一种基于频率校正电路的新型声音检测系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于频率校正电路的新型声音检测系统，其特征在于，主要由中央处理器，分别与中央处理器相连接的频率校正电路、报警器、示波器和存储器，与频率校正电路相连接的多级运算放大电路，以及与多级运算放大电路相连接的声音传感器组成。本发明专利技术可以准确的对材料变形和断裂时所发出的微弱声音进行检测，使人们可以及时对材料进行更换，避免带不必要的损失。同时，本发明专利技术设置有频率校正电路，其可以对在传输过程中出现频率波动的信号进行频率校正，从而提高本发明专利技术的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种声音检测系统，具体是指一种基于频率校正电路的新型声音检测系统。
技术介绍
声发射是一种常见的物理现象，各种材料声发射信号的频率范围很宽，从几Hz的次声频、20Hz～20KHz的声频到数MHz的超声频。声发射信号幅度的变化范围也很大，从10m的微观位错运动到1m量级的地震波。如果声发射释放的应变能足够大，就可产生人耳听得见的声音。大多数材料变形和断裂时有声发射发生，但许多材料的声发射信号强度很弱，人耳不能直接听见，需要藉助电子仪器才能检测出来。然而目前现有的电子仪器的检测结果并不准确，在很大程度上影响了人们对材料的分析。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有的电子仪器检测结果不准确的缺陷，提供一种基于频率校正电路的新型声音检测系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：一种基于频率校正电路的新型声音检测系统，主要由中央处理器，分别与中央处理器相连接的频率校正电路、报警器、示波器和存储器，与频率校正电路相连接的多级运算放大电路，以及与多级运算放大电路相连接的声音传感器组成。进一步的，所述频率校正电路由三极管VT6，三极管VT7，场效应管MOS1，场效应管MOS2，串接在三极管VT6的基极和集电极之间的电阻R10，串接在三极管VT7的基极和集电极之间的电阻R11，串接在三极管VT7的集电极和场效应管MOS1的源极之间的电阻R13，N极与三极管VT6的发射极相连接、P极则经电容C5后与三极管VT6的基极相连接的二极管D3，N极与三极管VT7的发射极相连接、P极则与三极管VT6的发射极相连接的二极管D4，正极与二极管D4的P极相连接、负极则与三极管VT7的基极相连接的电容C6，串接在场效应管MOS2的栅极和三极管VT6的发射极之间的电阻R12，N极与场效应管MOS2的漏极相连接、P极则与三极管VT6的发射极相连接的二极管D5，以及P极与场效应管MOS2的源极相连接、N极则与三极管VT7的集电极共同形成该频率校正电路的输出端的二极管D6组成；所述三极管VT6的基极与其集电极共同形成该频率校正电路的输入端并与多级运算放大电路的输出端相连接，所述三极管VT6的发射极还与电容C5的正极相连接，其集电极还与三极管VT7的集电极相连接；所述场效应管MOS1的栅极与三极管VT7的发射极相连接；所述频率校正电路的输出端与中央处理器相连接。所述的多级运算放大电路由差分放大电路，分别与差分放大电路相连接的偏置电路和共基极电路，以及与共基极电路相连接的功率放大电路组成。所述的差分放大电路由三极管VT1，三极管VT2，差分放大器P1，串接在三极管VT1的集电极和三极管VT2的发射极之间的电阻R1，串接在差分放大器P1的输出端和正极之间的电阻R2，正极与三极管VT2的基极相连接、负极则与差分放大器P1的输出端相连接的电容C1，一端与三极管VT1的集电极相连接、另一端则与共基极电路相连接的电阻R7，以及P极与差分放大器P1的正极相连接、N极则与共基极电路相连接的二极管D1组成；所述差分放大器P1的负极与偏置电路相连接的同时接地，其输出端还与偏置电路相连接；所述三极管VT2的集电极与三极管VT1的基极相连接。所述偏置电路由三极管VT3，串接在差分放大器P1的负极和三极管VT3的集电极之间的电阻R5，串接在差分放大器P1的输出端和三极管VT3的基极之间的电阻R3，以及负极与三极管VT3的基极相连接、正极则经电阻R4后与三极管VT1的发射极共同形成该多级运算放大电路的输入端的电容C2组成；所述三极管VT3的发射极接地；所述多级运算放大电路的输入端与声音传感器相连接。所述共基极电路由三极管VT4，三极管VT5，串接在三极管VT5的基极和集电极之间的电阻R6，N极与三极管VT4的集电极相连接、P极接地的二极管D2，以及一端与三极管VT5的发射极相连接、另一端则经电阻R7后与三极管VT1的集电极相连接的电阻R8组成；所述三极管VT5的基极与二极管D1的N极相连接、其集电极则与三极管VT4的发射极相连接；所述三极管VT4的基极与三极管VT5的基极相连接、其集电极和发射极则均与功率放大电路相连接；所述电阻R7和电阻R8的连接点与功率放大电路相连接。所述的功率放大电路由功率放大器P2，负极与功率放大器P2的负极相连接、正极则与电阻R7和电阻R8的连接点相连接的电容C4，一端与功率放大器P2的正极相连接、另一端则与电容C4的正极相连接的电阻R9，以及正极与功率放大器P2的负极相连接、负极则与二极管D2的N极相连接的电容C3组成；所述功率放大器P2的输出端与三极管VT5的集电极相连接；所述电容C4的正极与三极管VT6的基极相连、其负极则与三极管VT6的集电极相连接。本专利技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：(1)本专利技术可以准确的对材料变形和断裂时所发出的微弱声音进行检测，使人们可以及时对材料进行更换，避免带不必要的损失。(2)本专利技术的通过多级运算放大电路可以对采集到的微弱声音信号进行不失真的放大，从而提高了本专利技术的检测精度。(3)本专利技术设置有频率校正电路，其可以对在传输过程中出现频率波动的信号进行频率校正，从而提高本专利技术的稳定性。附图说明图1为本专利技术的整体结构框图。图2为本专利技术的多级运算放大电路的结构图。图3为本专利技术的频率校正电路的结构图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式并不限于此。实施例如图1所示，本专利技术的一种基于频率校正电路的新型声音检测系统，主要由中央处理器，分别与中央处理器相连接的频率校正电路、报警器、示波器和存储器，与频率校正电路相连接的多级运算放大电路，以及与多级运算放大电路相连接的声音传感器组成。其中，声音传感器用于采集材料变形和断裂时所发出的微弱声音信号并把该声音信号转换为电信号输送给多级运算放大电路，其优先采用哈尔滨奥松机器人科技有限公司生产的RB-02S084型声音传感器来实现。多级运算放大电路则用于把声音传感器所输出的微弱电信号进行不失真的放大。频率校正电路用于对在传输过程中出现频率波动的信号进行频率校正。中央处理器则作为本发明的控制中心，用于对多级运算放大电路输送进行来的信号进行识别并分别发送给报警器、示波器和存储器，其优先采用LT3475集成芯片来实现。该报警器与LT3475集成芯片的BOOST2管脚相连接，用于发出警报声。示波器则与LT3475本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于频率校正电路的新型声音检测系统，其特征在于，主要由中央处理器，分别与中央处理器相连接的频率校正电路、报警器、示波器和存储器，与频率校正电路相连接的多级运算放大电路，以及与多级运算放大电路相连接的声音传感器组成。

【技术特征摘要】
1.一种基于频率校正电路的新型声音检测系统，其特征在于，主要由中央
处理器，分别与中央处理器相连接的频率校正电路、报警器、示波器和存储器，
与频率校正电路相连接的多级运算放大电路，以及与多级运算放大电路相连接
的声音传感器组成。
2.根据权利要求1所述的一种基于频率校正电路的新型声音检测系统，其
特征在于：所述频率校正电路由三极管VT6，三极管VT7，场效应管MOS1，
场效应管MOS2，串接在三极管VT6的基极和集电极之间的电阻R10，串接在
三极管VT7的基极和集电极之间的电阻R11，串接在三极管VT7的集电极和场
效应管MOS1的源极之间的电阻R13，N极与三极管VT6的发射极相连接、P
极则经电容C5后与三极管VT6的基极相连接的二极管D3，N极与三极管VT7
的发射极相连接、P极则与三极管VT6的发射极相连接的二极管D4，正极与二
极管D4的P极相连接、负极则与三极管VT7的基极相连接的电容C6，串接在
场效应管MOS2的栅极和三极管VT6的发射极之间的电阻R12，N极与场效应
管MOS2的漏极相连接、P极则与三极管VT6的发射极相连接的二极管D5，以
及P极与场效应管MOS2的源极相连接、N极则与三极管VT7的集电极共同形
成该频率校正电路的输出端的二极管D6组成；所述三极管VT6的基极与其集
电极共同形成该频率校正电路的输入端并与多级运算放大电路的输出端相连
接，所述三极管VT6的发射极还与电容C5的正极相连接，其集电极还与三极
管VT7的集电极相连接；所述场效应管MOS1的栅极与三极管VT7的发射极相
连接；所述频率校正电路的输出端与中央处理器相连接。
3.根据权利要求2所述的一种基于频率校正电路的新型声音检测系统，其
特征在于：所述的多级运算放大电路由差分放大电路，分别与差分放大电路相
连接的偏置电路和共基极电路，以及与共基极电路相连接的功率放大电路组成。
4.根据权利要求3所述的一种基于频率校正电路的新型声音检测系统，其
特征在于：所述的差分放大电路由三极管VT1，三极管VT2，差分放大器P1，
串接在三极管VT1的集电极和三极管VT2的发射极之间的电阻R1，串接在差
分放大器P1的输出端和正极之间的电阻R2，正极与三极管VT2的基极相连接、

【专利技术属性】
技术研发人员：钟黎，
申请(专利权)人：成都思博特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51