The present invention provides a polishing apparatus for polishing the periphery of a substrate. The polishing apparatus includes a substrate configured to maintain horizontally and rotate the substrate rotation holding mechanism, provided around the substrate, plural polishing head assemblies configured to supply polishing tapes to the plural polishing head assemblies and polishing head assemblies from multiple back polishing belt with multiple supply and recovery mechanism, and configured into a plurality of polishing head assemblies of multiple moving mechanism moves along the rotation to keep the radial directions of the substrate holding mechanism. The belt supply and recovery mechanism is disposed along the radial direction of the substrate in the outer side of the plurality of polishing head assemblies.
【技术实现步骤摘要】
本申请是2008年12月2日提交的专利技术名称为“抛光方法和基片”201210400827.2号专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种用于抛光诸如半导体晶片的基片的抛光装置和抛光方法,更具体地涉及适合用作用于抛光基片的斜角(bevel)部分的斜角抛光装置、以及用于抛光基片的缺口(notch)部分的缺口抛光装置的抛光装置。
技术介绍
从提高半导体制造产出量的角度,半导体晶片外周表面状态的处理近期已受到重视。在半导体制造工艺中,多种材料反复地沉积在晶片上以形成多层结构。于是,在并非用于产品的晶片外周上形成不想要的薄膜和粗糙表面。近年来,更常见的是通过利用臂仅保持晶片外周来转移晶片。在此情况下,在几个工艺过程中,不想要的薄膜脱离外周到形成在晶片上的器件上,导致产出量降低。因此,通常使用抛光装置抛光晶片外周以去除不想要的薄膜以及粗糙表面。利用用于抛光基片外周的抛光带的抛光装置已知为这种类型的抛光装置。该类型的抛光装置通过使抛光带的抛光表面与基片外周滑动接触以抛光基片外周。由于待去除不想要的薄膜的类型和厚度在不同基片之间是不同的,通常使用具有不同粗糙度的多个抛光带。典型地,进行粗抛光以去除不想要的薄膜并形成外周形状,此后进行精抛光以形成光滑表面。斜角部分与缺口部分通常形成在基片外周。斜角部分为尖角边缘已被去除的外周的一部分。形成斜角部分是为了防止基片破裂并防止产生颗粒。另一方面,缺口部分为在 ...
【技术保护点】
一种利用包括研磨颗粒和树脂的抛光带来抛光基片的抛光方法,包括:通过旋转保持机构转动所述基片;通过按压所述抛光带紧贴所述基片的外周来抛光所述基片的外周;在抛光过程中,将温度最高为10℃的包括纯水或超纯水的冷却液供给到所述基片与所述抛光带之间的接触部分。
【技术特征摘要】
2007.12.03 JP 2007-312724;2008.11.14 JP 2008-292191.一种利用包括研磨颗粒和树脂的抛光带来抛光基片的抛光方法,包
括:
通过旋转保持机构转动所述基片;
通过按压所述抛光带紧贴所述基片的外周来抛光所述基片的外周;
在抛光过程中,将温度最高为10℃的包括纯水或超纯水的冷却液供给
到所述基片与所述抛光带之间的接触部分。
2.根据权利要求1所述的抛光方法,其中,所述基片的外周的抛光采
用多个抛光头组件进行。
3.根据权利要求2所述的抛光方法,其中,所述多个抛光头组件包括
四个抛光头组件。
4.一种用于抛光基片的外周的抛光装置,所述抛光...
【专利技术属性】
技术研发人员:高桥圭瑞,关正也,草宏明,山口健二,中西正行,
申请(专利权)人:株式会社荏原制作所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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