The invention discloses a semiconductor wafer chemical mechanical polishing and cleaning liquid, according to the weight of raw materials including: organic acid 5-20, surface active agent 0.2-1, agent 0.1-1, pH light regulator 1-10, oxidation agent 0.01-0.1, stabilizer 0.1-1 parts, 0.1-1, inhibitor of deionized water 20-30, grinding agent 2-8 a. The organic acid is selected from one or more of citric acid and diammonium citrate. The pH value of the cleaning liquid is 9.5 to 11.5. The surface active agent is a polyether surfactant. The abrasive is silicon dioxide. The invention can reduce the surface tension of the cleaning agent can be quickly stripped of surface contaminants, effectively cleaning the wafer surface, reducing silicon surface roughness; inhibit the pollution of metal impurities on a silicon wafer, can reduce the oxide precipitation; low cost, no pollution to the environment, can thoroughly clean the pollutants; effective eradication of the diffusion of mobile metal ion. To improve the reliability of the chip, the good production rate is improved.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体表面处理领域,具体是一种半导体硅片化学机械抛光清洗液。
技术介绍
在集成电路的制造工艺过程中,芯片的表面状态及洁净度是影响器件质量与可靠性的最重要的因素之一,因此,在芯片制造过程中,必须对硅片进行化学机械抛光。目前,硅片化学机械抛光是将硅片置于抛光垫上,使用抛光液对硅片进行抛光。因现有抛光液中一般都含有二氧化硅、氧化铝、二氧化铈、金属离子和有机化合物等,所以硅片经过化学机械抛光后,上述化合物、离子以及抛光过程中产生的颗粒就会吸附在硅片表面上,造成硅片污染,因此需要在抛光后对硅片进行清洗,得到符合要求的洁净硅片。现有清洗液对硅片表面进行氧化和腐蚀,但容易出现腐蚀不均匀的现象,导致硅片表面平整度差,难以去除抛光及腐蚀过程中所产生的金属污染物(铁、镍、铜、钙、铬、锌、或其氢氧化物或氧化物)、粒径在0.1μm以下的颗粒以及金属离子,清洗效果差,清洗液成本高且对环境污染严重。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体硅片化学机械抛光清洗液,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种半导体硅片化学机械抛光清洗液,按照重量份的原料包括:有机酸5-20份、表面活性剂0.2-1份、光亮剂0.1-1份、pH调节剂1-10份、氧化剂0.01-0.1份、稳定剂0.1-1份、抑制剂0.1-1份、去离子水20-30份、研磨剂2-8份。作为本专利技术进一步的方案:按照重量份的原料包括:有机酸12.5份、表面活性剂0.6份、光亮剂0.5份、pH调节剂5份、氧化剂 ...
【技术保护点】
一种半导体硅片化学机械抛光清洗液,其特征在于,按照重量份的原料包括:有机酸5‑20份、表面活性剂0.2‑1份、光亮剂0.1‑1份、pH 调节剂1‑10份、氧化剂0.01‑0.1份、稳定剂0.1‑1份、抑制剂0.1‑1份、去离子水20‑30份、研磨剂2‑8份。
【技术特征摘要】
1.一种半导体硅片化学机械抛光清洗液,其特征在于,按照重量份的原料包括:有机酸5-20份、表面活性剂0.2-1份、光亮剂0.1-1份、pH调节剂1-10份、氧化剂0.01-0.1份、稳定剂0.1-1份、抑制剂0.1-1份、去离子水20-30份、研磨剂2-8份。
2.根据权利要求1所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液,其特征在于,按照重量份的原料包括:有机酸12.5份、表面活性剂0.6份、光亮剂0.5份、pH调节剂5份、氧化剂0.05份、稳定剂0.5份、抑制剂0.5份、去离子水25份、研磨剂5份。
3.根据权利要求1或2所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液,其特征在于,所述有机酸选自柠檬酸和柠檬酸氢二铵中的一种或几种。
4.根据权利要求1或2所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液,其特征在于,所述清洗液的pH值为7.5~12....
【专利技术属性】
技术研发人员:章建群,章慧云,黄晓伟,刘华,徐杰,
申请(专利权)人:章建群,
类型:发明
国别省市:江西;36
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