IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD阵列基板技术

本发明专利技术提供一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD阵列基板。本发明专利技术的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，将公共电极走线与栅极采用同层金属制得，将像素电极与漏极采用同层金属制得，在绝缘保护层及栅极绝缘层上形成对应于所述公共电极走线上方的过孔，在所述绝缘保护层上形成透明导电材料的公共电极，使公共电极通过过孔与公共电极走线相接触，从而能够提升像素电极的充电效率；本发明专利技术的TFT阵列基板，像素电极与漏极采用同层金属制得，公共电极走线与栅极采用同一层金属层制得，公共电极为透明导电材料并位于绝缘保护层上，公共电极通过绝缘保护层及栅极绝缘层上的过孔与公共电极走线相接触，像素电极的充电效率高，能够提高IPS型液晶显示面板的显示效果。

IPS type TFT-LCD array substrate manufacturing method and IPS type TFT-LCD array substrate

The invention provides a method for manufacturing a IPS type TFT-LCD array substrate and a IPS type TFT-LCD array substrate. Production method of IPS type TFT-LCD array substrate of the invention, the common electrode wire and the grid using the same metal layer, the pixel electrode and the drain electrode using the same metal layer, the insulating protective layer and a gate insulating layer is formed on the common electrode corresponding to the through hole line above the common electrode the formation of a transparent conductive material protective layer on the insulating electrode through the hole, the public and the public electrode line contact, so as to enhance the charging efficiency of the pixel electrode; TFT array substrate of the invention, the pixel electrode and the drain electrode using the same metal layer, a common electrode wire and gate using the same metal layers are prepared for the common electrode of transparent conductive material and arranged in an insulation protective layer, a common electrode insulating layer and a gate insulating layer on the through hole and the common electrode line contact through the pixel electrode High charging efficiency, can improve the display effect of IPS LCD panel.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD阵列基板。
技术介绍
随着显示技术的发展，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。通常液晶显示面板由彩膜(CF，ColorFilter)基板、阵列基板、夹于彩膜基板与阵列基板之间的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(阵列基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成阵列基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在阵列基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。TFT-LCD的阵列基板上设置有数条扫描线、数条数据线、和数条公共电极走线，该数条扫描线和数条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的栅极与相应的栅线相连，当栅线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极。目前主流市场上的TFT-LCD，就液晶的驱动模式而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(TwistedNematic，TN)或超扭曲向列(SuperTwistedNematic，STN)型，面内转换(In-PlaneSwitching，IPS)型、及垂直配向(VerticalAlignment，VA)型。其中IPS模式是利用与基板面大致平行的电场驱动液晶分子沿基板面内转动以响应的模式，由于具有优异的视角特性，所以被用于各种TV显示用途当中。现有的IPS型TFT-LCD的阵列基板的结构如图1所示，其上的每一像素单元包括设于基板100上的栅极101、设于栅极101及基板100上栅极绝缘层102、设于栅极绝缘层102上的半导体层103、设于半导体层103、及栅极绝缘层102上的源极104和漏极105、设于所述源极104、漏极105、半导体层103、及栅极绝缘层102上绝缘保护层106、及形成于所述绝缘保护层106上的像素电极107；且在该阵列基板上，公共电极层120与栅极101和栅极扫描线110为同一金属层制得，像素电极107通过绝缘保护层106上的过孔结构连接到漏极105，而由于像素电极107与漏极105之间的阻抗会影响到像素电极107的充电效率，如果阻抗过大会使得像素电极107无法在一行的扫描时间内充电到理想的电压，进而影响显示效果。影响过孔接触阻抗的因素很多，如界面电子势垒高度、过孔大小以及过孔重叠(overlap)。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，将像素电极与漏极采用同一金属层制作得到，将公共电极采用透明导电材料，并与公共电极走线通过过孔连接，从而提升像素电极的充电效率。本专利技术的目的还在于提供一种IPS型TFT-LCD阵列基板，像素电极与漏极属于同一金属层，公共电极采用透明导电材料，并与公共电极走线通过过孔连接，像素电极的充电效率高。为实现上述目的，本专利技术提供一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供基板，在所述基板上沉积栅极金属层，并对所述栅极金属层进行图案化处理，得到栅极、公共电极走线、及栅极扫描线；步骤2、在栅极金属层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积一层非晶硅层，并对非晶硅层进行N型掺杂后，对所述非晶硅层进行图案化处理，得到对应于栅极上方的半导体层；步骤3、在所述半导体层、及栅极绝缘层上沉积源漏极金属层，并对所述源漏极金属层进行图案化处理，得到源极、漏极、像素电极、及数据线，所述源极和漏极分别与所述半导体层的两端相接触；步骤4、在所述源漏极金属层上沉积绝缘保护层，并对绝缘保护层及栅极绝缘层进行图案化处理，在所述绝缘保护层及栅极绝缘层上形成对应于所述公共电极走线上方的过孔；步骤5、在所述绝缘保护层上沉积一层透明导电层，并对所述透明导电层进行图案化处理，得到公共电极，所述公共电极通过过孔与公共电极走线相接触。所述步骤1中通过物理气相沉积法沉积栅极金属层，所沉积的栅极金属层的膜厚为所述栅极金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合；对所述栅极金属层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光显影、湿法蚀刻、及光阻剥离。所述步骤2中通过化学气相沉积法沉积栅极绝缘层和非晶硅层，所沉积的栅极绝缘层的膜厚为所沉积的非晶硅层的膜厚为所述栅极绝缘层为氮化硅层，对所述非晶硅层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、干法蚀刻、及光阻剥离。所述步骤3中通过物理气相沉积法沉积源漏极金属层，所沉积的源漏极金属层的膜厚为所述源漏极金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合，对所述源漏极金属层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、湿法蚀刻、及光阻剥离。所述步骤4中通过化学气相沉积法沉积绝缘保护层，所沉积的绝缘保护层为膜厚为的，所述的绝缘保护层为氮化硅层，对所述绝缘保护层及栅极绝缘层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、干法蚀刻、及光阻剥离。所述步骤5中通过物理气相沉积法沉积透明导电层，所沉积透明导电层的膜厚为所述透明导电层的材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种；对所述透明导电层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、湿法蚀刻、及光阻剥离。本专利技术还提供一种IPS型TFT-LCD阵列基板，包括：基板、设于所述基板上的数条栅极扫描线、数条数据线、数条公共电极走线、及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IPS型TFT‑LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(10)，在所述基板(10)上沉积栅极金属层，并对所述栅极金属层进行图案化处理，得到栅极(11)、公共电极走线(20)、及栅极扫描线(30)；步骤2、在栅极金属层上沉积栅极绝缘层(12)，在所述栅极绝缘层(12)上沉积一层非晶硅层，并对非晶硅层进行N型掺杂后，对所述非晶硅层进行图案化处理，得到对应于栅极(11)上方的半导体层(13)；步骤3、在所述半导体层(13)、及栅极绝缘层(12)上沉积源漏极金属层，并对所述源漏极金属层进行图案化处理，得到源极(14)、漏极(15)、像素电极(16)、及数据线，所述源极(14)和漏极(15)分别与所述半导体层(13)的两端相接触；步骤4、在所述源漏极金属层上沉积绝缘保护层(17)，并对绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)进行图案化处理，在所述绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)上形成对应于所述公共电极走线(20)上方的过孔(201)；步骤5、在所述绝缘保护层(17)上沉积一层透明导电层，并对所述透明导电层进行图案化处理，得到公共电极(21)，所述公共电极(21)通过过孔(201)与公共电极走线(20)相接触。...

【技术特征摘要】
1.一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供基板(10)，在所述基板(10)上沉积栅极金属层，并对所
述栅极金属层进行图案化处理，得到栅极(11)、公共电极走线(20)、及栅
极扫描线(30)；
步骤2、在栅极金属层上沉积栅极绝缘层(12)，在所述栅极绝缘层(12)
上沉积一层非晶硅层，并对非晶硅层进行N型掺杂后，对所述非晶硅层进行图
案化处理，得到对应于栅极(11)上方的半导体层(13)；
步骤3、在所述半导体层(13)、及栅极绝缘层(12)上沉积源漏极金属
层，并对所述源漏极金属层进行图案化处理，得到源极(14)、漏极(15)、
像素电极(16)、及数据线，所述源极(14)和漏极(15)分别与所述半导体
层(13)的两端相接触；
步骤4、在所述源漏极金属层上沉积绝缘保护层(17)，并对绝缘保护层
(17)及栅极绝缘层(12)进行图案化处理，在所述绝缘保护层(17)及栅极
绝缘层(12)上形成对应于所述公共电极走线(20)上方的过孔(201)；
步骤5、在所述绝缘保护层(17)上沉积一层透明导电层，并对所述透明
导电层进行图案化处理，得到公共电极(21)，所述公共电极(21)通过过孔
(201)与公共电极走线(20)相接触。
2.如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，
所述步骤1中通过物理气相沉积法沉积栅极金属层，所沉积的栅极金属层的膜
厚为所述栅极金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种
的堆栈组合；对所述栅极金属层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂
布、曝光、显影、湿法蚀刻、及光阻剥离。
3.如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，
所述步骤2中通过化学气相沉积法沉积栅极绝缘层(12)和非晶硅层，所沉积
的栅极绝缘层(12)的膜厚为所沉积的非晶硅层的膜厚为
所述栅极绝缘层(12)为氮化硅层，对所述非晶硅层进行图案
化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光显影、干法蚀刻、及光阻剥离。
4.如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，

\t所述步骤3中通过物理气相沉积法沉积源漏极金属层，所沉积的源漏极金属层
的膜厚为所述源漏极金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种
或多种的堆栈组合，对所述源漏极金属层进行图案化处理的步骤包括依次进行
的光阻涂布、曝光、显影、湿法蚀刻、及光阻剥离。
5.如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44