康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料的制备及其应用制造技术

技术编号:14552825 阅读:462 留言:0更新日期:2017-02-05 01:59
本发明专利技术提供了一种康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料的制备,属于纳米材料技术领域。本发明专利技术先以三聚氰胺为原料,通过水热处理和高温煅烧合成了碳掺杂的石墨烯碳氮C-g-C3N4(CCN),再通过与二水氯化铜、硫脲进一步水热反应合成了CCN-CuS p-n型异质结,p-n型异质结构不仅减少了电荷转移电阻,而且使光诱导电荷有效的分离,能有效光提高催化剂的活性。实验表明,本发明专利技术制备的CCN-CuS p-n型异质结纳米材料表现出优秀的可见光催化活性和良好的循环稳定性,对罗丹明B的降解率可达92.6%,因此,可用于有机染料废水的降解处理。

Preparation and application of flower like p-n heterojunction copper sulfide nano material

The invention provides a preparation method of carnation flower like p-n heterojunction copper sulfide nano material, which belongs to the technical field of nanometer materials. The invention firstly using melamine as raw material, graphene, carbon and nitrogen doped carbon C-g-C3N4 were synthesized by hydrothermal treatment and calcination temperature (CCN), and two by cupric chloride and thiourea water further hydrothermal reaction synthesis of CCN-CuS type p-n heterojunction, p-n type hetero structure not only reduces the charge transfer resistance, and light induced charge effective separation, can effectively improve the catalytic activity of light. Experiments show that the prepared CCN-CuS type p-n heterojunction nanomaterials exhibit excellent photocatalytic activity and good cycle stability, the degradation rate ofrhodamine B up to 92.6%, therefore, can be used for degradation of organic dye wastewater.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硫化铜纳米材料的制备,尤其涉及一种康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料的制备;本专利技术同时还涉及该康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料的结构、性能以及作为光催化剂在有机废水处理中的应用,属于纳米材料
和有机废水处理

技术介绍
在过去的几十年里,随着化石燃料的过度使用,全球对能源的的需求和环境问题越来越引起人们的重视。随着人们对太阳能利用的研究的深入,利用半导体光催化技术,解决污染,转化太阳能的提议被很多的人采纳。窄的禁带宽度和高的电荷分离是一个半导体利用太阳能的两大基本原则,根据策略设计较低禁带宽度,在两个半导体之间形成p-n结有利于提高光诱导的电子空穴的分离和抑制它们的复合。硫化铜,一个典型的p型过渡金属硫化物,在很多领域引起了广泛的关注,像低温超半导体,光催化,太阳能电池,电化学传感器,生物医学,锂离子电池和非线性光学材料。然而,由于其在近红外区有相对高的反射率和在可见区有相对低的反射率这一特性,使其成为能量储存的候选材料。众所周知,硫化铜的性能受他的形貌和尺寸的影响。把尺寸和形貌控制在微纳米级能够使材料获得超级好的性能。近来,很多研究组致力于合成各种形貌的微纳米级结构的硫化铜。如硫化铜纳米棒,纳米线,纳米纤维,六边形,纳米片,纳米管,纳米薄层,立方八面体,花球,海胆状结构和微米花球等等。尽管如此,通过简单的方法合成具有一定尺寸和形状单相的硫化铜依然是一个极大的挑战。>自从具有π共轭无机半导体类似石墨烯碳氮(g-C3N4)被发现在光催化水,有机光催化合成和环境修复有很大的现在价值。许多的研究组决定探索的理论研究包括化学结构和改变形貌;调控半导体电子能带结构;构建以g-C3N4为基础的异质结构和复合光催化材料。然而g-C3N4的光催化活性受光生电子空穴复合率的影响。通过贵金属的负载,非金属的掺杂,与不同窄带能隙半导体(硫化锌,硫化镉,三氧化钨和氧化铋)结合,引入含碳材料都能够提高光催化活性,能够拓宽可见光的吸收范围和加强对太阳光的吸收。这些复合材料有硫化铜(p-型)/氧化锌(n-型)纳米阵列,铁酸钙(p-型)/铁酸镁(n-型),氧化镍(p-型)/氧化锌(n-型),硫化铜(p-型)/硫化锌硫化铜(n-型)。但是,关于硫化铜(p-n)型异质结构的复合材料,到目前为止尚未见文献报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种以g-C3N4为基础的康乃馨花状p-n型异质结硫化铜纳米复合材料,以加强石墨烯碳氮(g-C3N4)的光催化活性,提高其工业应用价值。一、康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料的制备(1)碳掺杂的g-C3N4纳米材料的合成:三聚氰胺粉充分分散于无水乙醇中,于160~200℃溶剂热反应20~24h制备含碳材料,离心,干燥,然后转入瓷坩埚,以20℃/min的速度升温至500~520℃,煅烧2~4h;冷却后收集样品,研磨,得到碳掺杂的g-C3N4纳米材料,标记为CCN或C-C3N4。(2)康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料的合成:将二水氯化铜、硫脲、碳掺杂的g-C3N4纳米材料充分分散于水-乙醇混合体系中,水热反应升温至100~140℃反应10~12h;产物用蒸馏水、无水乙醇洗涤,干燥,即得康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料。其合成具体工艺为:先将硫脲充分溶解于无水乙醇中;再加入步骤(1)合成的碳掺杂的g-C3N4纳米材料,超声10~30分钟;再加入二水氯化铜水溶液,磁力剧烈搅拌10~30min;然后升温至100~140℃,反应10~12h;产物用蒸馏水和无水乙醇洗涤,干燥,得到康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料,标记为CCN-CuS。二水氯化铜、硫脲、碳掺杂的g-C3N4纳米材料的质量比1:0.5:0.00028~1:0.9:0.0056。水-乙醇混合体系中,水与乙醇的体积比为1:0.2~1:1。干燥是在50~70℃的真空烘箱内干燥4~6h。二、康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料的结构1、XRD分析图1为CCN-CuS复合光催化剂的XRD图。从图1中可以看出,主要的衍射峰对应的是斜方晶系的CuS与卡片一致(JCPDSNo.56-7111),没有其它杂峰出现。衍射峰出峰2θ在27.9°,29.5°,31.4°,48.1°和59.0°分别对应硫化铜(111),(112),(023),(130)和(223)晶面。衍射峰2θ在12.9°和27.5°对应(100)和(002)C-C3N4晶面。除此之外,随着CCN负载含量的增加,2θ偏小0.4°,表明CCN与CuS很好的结合形成CCN-CuS纳米花复合材料。此外,27.5°峰强度的改变可能是由于CCN的引入。但是适量CCN的引入有益于CCN-CuSNFs形成较高的结晶度,但是过量的负载也会影响结晶度。2、SEM分析图2为纯CuS纳米花(a)和负载不同含量CCN的CCN-CuS扫描电镜图(b~e)。从图2可知,纯CuS的形貌类似康乃馨花,但它的形成是一种自组装过程,且没有加入结构导向剂。从图b~e可以看出,随着CCN负载量的增加,CCN-CuS变成有规则的纳米片,并形成p-n型异质结。这可能是加入CCN后,合成CuS的化学环境发生改变所致。因此,CCN-CuS的形貌受CCN含量的影响。3、HRTEM分析为进一步详细研究CCN-CuS的结构特征,我们做了HRTEM(图3)。从CCN-CuSNFs中观察到,晶格间距0.281nm,0.303nm,0.336nm分别对应斜方晶系CuS和CCN的(023),(112),(002)晶面。CuS和CCN中间的分界线表明:两个纳米材料紧密相连形成p-n型异质结。p-n型异质结提供渠道转移CCN和CuS之间的光生电子和空穴,抑制了CuS和CCN内部电子空穴的复合,从而提高了光催活性。4、生长过程和形成机理根据以上的实验结果,康乃馨状CCN-CuS的可能的生长过程和形成机理为:在最初阶段,硫源硫脲(CS(NH2)2)吸附在CCN表面,在室温下CuCl2?2H2O溶液加入后形成稳定配合物[Cu{CS(NH2)2本文档来自技高网...
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【技术保护点】
一种康乃馨花状p‑n异质结硫化铜纳米材料的制备方法,包括以下工艺步骤:(1)碳掺杂的g‑C3N4纳米材料的合成:将三聚氰胺粉充分分散于无水乙醇中,于160~200℃溶剂热反应20~24h ,制备含碳材料,离心,干燥,然后转入瓷坩埚,以20℃/min的速度升温至500 ~520℃,煅烧2~4h;冷却后收集样品,研磨,得到碳掺杂的g‑C3N4纳米材料;(2)康乃馨花状p‑n异质结硫化铜纳米材料的合成:将二水氯化铜、硫脲、碳掺杂的g‑C3N4纳米材料充分分散于水‑乙醇混合体系中,水热反应升温至100~140℃反应10~12h;产物用蒸馏水、无水乙醇洗涤,干燥,即得康乃馨花状p‑n异质结硫化铜纳米材料。

【技术特征摘要】
1.一种康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料的制备方法,包括以下工艺步骤:
(1)碳掺杂的g-C3N4纳米材料的合成:将三聚氰胺粉充分分散于无水乙醇中,于160~200
℃溶剂热反应20~24h,制备含碳材料,离心,干燥,然后转入瓷坩埚,以20℃/min的速度升
温至500~520℃,煅烧2~4h;冷却后收集样品,研磨,得到碳掺杂的g-C3N4纳米材料;
(2)康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料的合成:将二水氯化铜、硫脲、碳掺杂的g-
C3N4纳米材料充分分散于水-乙醇混合体系中,水热反应升温至100~140℃反应10~12h;产物
用蒸馏水、无水乙醇洗涤,干燥,即得康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料。
2.如权利要求1所述一种康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料的制备方法,其特征在
于:所述步骤(2)康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料的合成工艺为:先将硫脲充分溶解
于无水乙醇中;再加入步骤(1)合成的碳掺杂的g-...

【专利技术属性】
技术研发人员:王其召张淑玲石彦彪侯国蓉高朵朵吴艳霞王芳平苏碧桃
申请(专利权)人:西北师范大学
类型:发明
国别省市:甘肃;62

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