抗冲击磁流变阻尼器制造技术

技术编号:14550034 阅读:94 留言:0更新日期:2017-02-04 23:07
本发明专利技术提供一种抗冲击磁流变阻尼器,包括:缸体、活塞、线圈、第一端盖和第二端盖,缸体的内部形成有内筒,缸体的外周壁沿缸体的轴线方向形成有多条外凸的凸条,凸条的两端部之间形成有多条节流通道,每条节流通道的两端口分别与内筒连通,每个铁芯上设置有线圈,铁芯和线圈位于安装槽中;第一端盖密封住缸体的一端口,第二端盖密封住缸体的另一端口,第一端盖和第二端盖遮盖住内筒和节流通道,第一端盖上开设有第一密封孔,活塞滑动设置在内筒中,活塞的活塞杆插在第一密封孔中,内筒和节流通道中填充有磁流变液。实现提高抗冲击磁流变阻尼器在高速冲击下的缓冲性能,以扩大抗冲击磁流变阻尼器的应用范围。

Shock resistant MR damper

The invention provides a shock damper, comprising a cylinder body, a piston, a coil, a first and second end caps, the inside of the cylinder body is formed inside the cylinder, the axis direction of the peripheral Biyan cylinder cylinder is formed with a plurality of convex convex strips, a plurality of channels formed between the two ends of the convex throttle the two port of each throttle channel are respectively communicated with the inner cylinder, each core is provided with a coil, an iron core and a coil in the mounting groove; a port of the first end cover sealed cylinder, second end cap another port sealed cylinder, the first and second end caps covering the inner cylinder and throttle the first channel, the end cover is provided with a first sealing hole is arranged in the inner cylinder, piston, piston rod of the piston is inserted in the first sealing hole of the inner cylinder and the throttle channel filled with magnetorheological fluid. In order to enlarge the application range of the shock resistant MR damper, the performance of the impact damper is improved.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及机械设备,尤其涉及一种抗冲击磁流变阻尼器
技术介绍
磁流变液具有可控性、可逆性和快速响应性等突出优点。使用磁流变液制成的磁流变阻尼器是实现振动或冲击半主动控制的理想元件。磁流变液(MagnetorheologicalFluids,MRFs)属于智能材料的一种。其主要组成成分包括基液和铁磁性颗粒。基液可以是矿物油、合成油、水和乙二醇等。铁磁性颗粒的直径一般是微米级的。商用磁流变液还包含改善润滑特性和防止重力沉降的添加剂等。当没有外加磁场时,磁流变液是一种可以自由流动的流体;当对其施加磁场的作用时,其流变学特性,如剪切屈服应力、黏度等,会在毫秒级的时间内发生显著变化,而且这种变化是可逆的。当使用电磁铁提供磁场时,磁流变液的剪切屈服强度就可以通过改变电磁铁线圈中电流大小来加以控制。而基于磁流变效应制成的磁流变阻尼器(Magnetorheologicaldamper,MRdamper)是所有磁流变器件中研究最为广泛和深入的一种。现有技术中的磁流变阻尼器在用于高速冲击缓冲控制时存在一定局限性。具体来说磁流变阻尼器的节流通道的横截面积与活塞的大小及阻尼器的其它尺寸是关联的,不能独立设计。节流通道横截面积较小的情况下,活塞相对运动速度较大时,磁流变液会以很高的流速流经节流通道,产生很大的不可控的黏性阻尼力,使得磁流变阻尼器在高速冲击下的缓冲性能降低,不适用于高速冲击缓冲控制,导致现有技术中磁流变阻尼器的应用范围较窄。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是:提供一种抗冲击磁流变阻尼器,解决现有技术中磁流变阻尼器在高速冲击下的缓冲性能降低的缺陷,实现提高抗冲击磁流变阻尼器在高速冲击下的缓冲性能,以扩大抗冲击磁流变阻尼器的应用范围。本专利技术提供的技术方案是,一种抗冲击磁流变阻尼器,包括:缸体、活塞、线圈、第一端盖和第二端盖,所述缸体的内部形成有内筒,所述缸体的外周壁沿所述缸体的轴线方向形成有多条外凸的凸条,所述凸条的两端部之间形成有多条节流通道,每条所述节流通道的两端口分别与所述内筒连通,相邻两条所述凸条之间形成安装槽,并且,相邻两条所述凸条之间还形成有铁芯,每个所述铁芯上设置有线圈,所述铁芯和所述线圈位于所述安装槽中;所述第一端盖密封住所述缸体的一端口,所述第二端盖密封住所述缸体的另一端口,所述第一端盖和所述第二端盖遮盖住所述内筒和所述节流通道,所述第一端盖上开设有第一密封孔,所述活塞滑动设置在所述内筒中,所述活塞的活塞杆插在所述第一密封孔中,所述内筒和所述节流通道中填充有磁流变液。进一步的,所述凸条的两端部之间形成有多条所述节流通道呈放射状分布。进一步的,相邻两条所述凸条之间沿所述缸体的轴线方向形成有多条所述铁芯。进一步的,多个所述线圈串联设置;或者,多个所述线圈并联设置。进一步的,所述第一端板上还设置有蓄能器,所述蓄能器与所述内筒连通,所述蓄能器中充满惰性气体。进一步的,所述活塞杆贯穿所述活塞,所述第二端盖上还开设有第二密封孔,所述活塞杆的一端部插在所述第一密封孔中,所述活塞杆的另一端部插在所述第二密封孔中。进一步的,所述活塞杆的一端部设置有第一关节轴承,所述第二端盖上固定设置有套筒,所述活塞杆的另一端部还插在所述套筒中,所述套筒上还设置有第二关节轴承。进一步的,所述第一关节轴承与所述活塞杆之间还设置有力传感器。进一步的,所述套筒中还设置有位移传感器,所述活塞杆的另一端部设置有与所述位移传感器配合的动铁芯。进一步的,所述缸体外设置有散热片。本专利技术提供的抗冲击磁流变阻尼器,通过在缸体中形成内筒用于与活塞配合滑动,而缸体的外周壁形成的凸条形成有与内筒连通的多条节流通道,而活塞在内筒中滑动过程中,内筒被活塞分隔成的两部分空间中的磁流变液经由多条节流通道流动,节流通道的宽度不与缸体的尺寸直接相关,可以根据需要设计,可以进一步的增大节流通道的宽度,显著降低节流通道内磁流变液的流速,有效的降低磁流变液的黏性阻尼力,在保持可控阻尼力和摩擦阻尼力大小不变的情况下,可控阻尼力占整个阻尼器阻尼力的比重显著提高,扩大抗冲击磁流变阻尼器的应用范围。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术抗冲击磁流变阻尼器实施例的结构示意图;图2为本专利技术抗冲击磁流变阻尼器实施例的剖视图;图3为本专利技术抗冲击磁流变阻尼器实施例中缸体与线圈的组装图;图4为本专利技术抗冲击磁流变阻尼器实施例中缸体的结构示意图一;图5为本专利技术抗冲击磁流变阻尼器实施例中缸体的结构示意图二;图6为本专利技术抗冲击磁流变阻尼器实施例中缸体的结构示意图三;图7为本专利技术抗冲击磁流变阻尼器实施例的局部剖视图。附图标记:1、关节轴承;2、活塞杆;3、第一端盖;4、锁紧螺母;5、锁紧螺杆;6、线圈;7、凸条;8、缸体;9、磁流变液;10、第二端盖;11、套筒;12、活塞杆动密封;13、节流通道;14、端盖静密封圈;15、下腔室;16、活塞动密封;17、活塞;18、上腔室;19、内筒;20、蓄能器;21、铁芯;22、散热片;23、力传感器;24、位移传感器;25、安装槽;26、动铁芯。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。如图1-图4所示,本实施例抗冲击磁流变阻尼器,包括:缸体8、活塞17、线圈6、第一端盖3和第二端盖10,所述缸体8的内部形成有内筒19,所述缸体8的外周壁沿所述缸体8的轴线方向形成有多条外凸的凸条7,所述凸条7的两端部之间形成有多条节流通道13,每条所述节流通道13的两端口分别与所述内筒19连通,相邻两条所述凸条7之间形成安装槽25,并且,相邻两条所述凸条7之间还形成有铁芯21,每个所述铁芯21上设置有线圈6,所述铁芯21和所述线圈6位于所述安装槽25中;所述第一端盖3密封住所述缸体8的一端口,所述第二端盖10密封住所述缸体8的另一端口,所述第一端盖3和所述第二端盖10遮盖住所述内筒19和所述节流通道13,使得内筒19和所述节流通道13位于缸体8、第一端盖3和所述第二端盖10之间形成密封空间中,所述第一端盖3上开设有第一密封孔(未图示),所述活塞17滑动设置在所述内筒19中,所述活塞17的活塞杆2插在所述第一密封孔中,所述内筒19和所述节流通道13中填充有磁流变液9。具体而言,本实施例抗冲击磁流变阻尼器中的缸体8形成有一体结构的内筒19、凸条7和铁芯21,活塞17将内筒19分隔成上腔室18和下腔室15。一体式设计的缸本文档来自技高网...
抗冲击磁流变阻尼器

【技术保护点】
一种抗冲击磁流变阻尼器,其特征在于,包括:缸体、活塞、线圈、第一端盖和第二端盖,所述缸体的内部形成有内筒,所述缸体的外周壁沿所述缸体的轴线方向形成有多条外凸的凸条,所述凸条的两端部之间形成有多条节流通道,每条所述节流通道的两端口分别与所述内筒连通,相邻两条所述凸条之间形成安装槽,并且,相邻两条所述凸条之间还形成有铁芯,每个所述铁芯上设置有线圈,所述铁芯和所述线圈位于所述安装槽中;所述第一端盖密封住所述缸体的一端口,所述第二端盖密封住所述缸体的另一端口,所述第一端盖和所述第二端盖遮盖住所述内筒和所述节流通道,所述第一端盖上开设有第一密封孔,所述活塞滑动设置在所述内筒中,所述活塞的活塞杆插在所述第一密封孔中,所述内筒和所述节流通道中填充有磁流变液。

【技术特征摘要】
1.一种抗冲击磁流变阻尼器,其特征在于,包括:缸体、活塞、线圈、第一端盖和第二端盖,所述缸体的内部形成有内筒,所述缸体的外周壁沿所述缸体的轴线方向形成有多条外凸的凸条,所述凸条的两端部之间形成有多条节流通道,每条所述节流通道的两端口分别与所述内筒连通,相邻两条所述凸条之间形成安装槽,并且,相邻两条所述凸条之间还形成有铁芯,每个所述铁芯上设置有线圈,所述铁芯和所述线圈位于所述安装槽中;所述第一端盖密封住所述缸体的一端口,所述第二端盖密封住所述缸体的另一端口,所述第一端盖和所述第二端盖遮盖住所述内筒和所述节流通道,所述第一端盖上开设有第一密封孔,所述活塞滑动设置在所述内筒中,所述活塞的活塞杆插在所述第一密封孔中,所述内筒和所述节流通道中填充有磁流变液。
2.根据权利要求1所述的抗冲击磁流变阻尼器,其特征在于,所述凸条的两端部之间形成有多条所述节流通道呈放射状分布。
3.根据权利要求1所述的抗冲击磁流变阻尼器,其特征在于,相邻两条所述凸条之间沿所述缸体的轴线方向形成有多条所述铁芯。
4.根据权利要求1所述的抗冲击磁流变阻尼器,其特征在于,多个...

【专利技术属性】
技术研发人员:王强张保成张开升于喆昌
申请(专利权)人:中国海洋大学
类型:发明
国别省市:山东;37

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