【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及定碳化硅半导体领域，特别涉及一种碳化硅半导体。
技术介绍
碳化硅半导体作为一种新型半导体材料，具有潜在的优点：更小的体积、更有效率、完全去除开关损耗、低漏极电流、比标准半导体（纯硅半导体）更高的开关频率以及在标准的125℃结温以上工作的能力。小型化和高工作耐温使得这些器件的使用更加自如，甚至可以将这些器件直接置于电机的外壳内。碳化硅半导体具有以下特性：1、反向恢复时间极快，Rds极小，可以超高速开关，减少散热面积体积，大大提升电源节能效率；2、高频特性良好可以有效实现产品轻薄短小化（列如电动汽车充电设备）；3、耐高压特性良好高速列车及大电力等设备可在长时间高温下稳定操作运行；4、耐高温特性良好可让大电力设备（列如电动车）在长时间高温下稳定而且维持高效率运作。目前碳化硅半导体存在着击穿电压小和耐压性能差的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种定电流二极管，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。为实现上述目的，本专利技术提供以下的技术方案：一种碳化硅半导体，包括N+衬底层、N-集电层、P型层和欧姆接触层，所述N+衬底层为碳化硅材料，所述N-集电层设置在N+衬底层的上方，所述N-集电层的厚度为14-16um，所述N-集电层的上方设置有基层和外延层，所述P型层设置在N-集电层的外延层上，所述P型层上设置有N+发射层，所述欧姆接触层设置在基层内。优选的，所述碳化硅半导体两侧设置有耐压层。优选的，所述N-集电层内设置有沟道。优选的，所述沟道与沟道之间设置有绝缘保护膜...
【技术保护点】
一种碳化硅半导体，其特征在于，包括N+衬底层、N‑集电层、P 型层和欧姆接触层，所述N+衬底层为碳化硅材料，所述N‑集电层设置在N+衬底层的上方，所述N‑集电层的厚度为14‑16um，所述N‑集电层的上方设置有基层和外延层，所述P 型层设置在N‑集电层的外延层上，所述P 型层上设置有N+发射层，所述欧姆接触层设置在基层内。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅半导体，其特征在于，包括N+衬底层、N-集电层、P型层和欧姆接触层，所述N+衬底层为碳化硅材料，所述N-集电层设置在N+衬底层的上方，所述N-集电层的厚度为14-16um，所述N-集电层的上方设置有基层和外延层，所述P型层设置在N-集电层的外延层上，所述P型层上设置有N+发射层，所述欧姆接触层设置在基层内。
2.根据权利要求1所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄仲濬，蒋文甄，
申请(专利权)人：泰州优宾晶圆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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