【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电源领域,尤其涉及一种超低待机控制电路、电源电路及用电设备。
技术介绍
目前很多用电设备例如自动升降桌等,一般是固定摆放,其电源插头长期插于交流电源上,并且为了更快响应用户控制,长期不关断交流开关,直接通过升降按钮控制桌子高度,因此导致在不使用期间升降桌电源一直处于待机模式,特别是对于高待机损耗的电源,将造成巨大的资源浪费。由于现在社会倡导的节能理念,市场需要更多待机损耗较低的电源,包括能源之星和欧盟生态标签(EUEco-Label)在内的众多能效计划现在都将最大待机功耗规定为0.1瓦。作为其节能计划的组成部分,欧盟委员会(EuP)已针对用能产品的待机和关断模式损耗颁布了更为严格的用能产品指令Lot6,该指令Lot6将于2016年初生效,并且自2010年起,新产品的待机功耗必须低于0.3瓦,到2016年,输出功率≤49W的适配器的待机功耗将降至100mW,输出功率>49W的适配器将降至210mW。因此目前市场中的电源产品均无法满足如此严格的待机和关断模式损耗的要求,不利于节能社会的发展。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种超低待机控制电路,旨在解决降低电源产品在待机和关断模式下的损耗的问题,以满足新的能效计划的要求。本专利技术实施例是这样实现的,一种超低待机控制电路,所述超低待机控制电路与电源电路中的PWM单元连接,包括:待机信号接收单元,用于接收待机 ...
【技术保护点】
一种超低待机控制电路,其特征在于,所述超低待机控制电路与电源电路中的PWM单元连接,包括:待机信号接收单元,用于接收待机信号,并根据待机信号生成PWM控制信号,所述待机信号接收单元的第一、第二电源端与Standby电源连接,所述待机信号接收单元的输入端接收待机信号;PWM启动控制单元,用于根据所述PWM控制信号启动PWM单元,以控制所述电源电路工作,所述PWM启动控制单元的输入端与所述待机信号接收单元的输出端连接,所述PWM启动控制单元的输出端与所述PWM单元的电源端连接;PWM关断控制单元,用于根据所述PWM控制信号关断PWM单元,以降低所述电源电路的待机损耗,所述PWM关断控制单元的输入端与所述待机信号接收单元的输出端连接,所述PWM关断控制单元的输出端与所述PWM单元的过温保护端连接。
【技术特征摘要】
1.一种超低待机控制电路,其特征在于,所述超低待机控制电路与电源电
路中的PWM单元连接,包括:
待机信号接收单元,用于接收待机信号,并根据待机信号生成PWM控制
信号,所述待机信号接收单元的第一、第二电源端与Standby电源连接,所述
待机信号接收单元的输入端接收待机信号;
PWM启动控制单元,用于根据所述PWM控制信号启动PWM单元,以控
制所述电源电路工作,所述PWM启动控制单元的输入端与所述待机信号接收
单元的输出端连接,所述PWM启动控制单元的输出端与所述PWM单元的电
源端连接;
PWM关断控制单元,用于根据所述PWM控制信号关断PWM单元,以降
低所述电源电路的待机损耗,所述PWM关断控制单元的输入端与所述待机信
号接收单元的输出端连接,所述PWM关断控制单元的输出端与所述PWM单
元的过温保护端连接。
2.如权利要求1所述的超低待机控制电路,其特征在于,所述超低待机控
制电路还包括一接口单元,所述接口单元的第一端与待机信号接收单元的第一
电源端连接,所述接口单元的第二端接地,所述接口单元的第三端与所述待机
信号接收单元的输入端连接。
3.如权利要求1所述的超低待机控制电路,其特征在于,所述待机信号接
收单元包括:
电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R12、电阻R13、电阻R14、第三光耦、
第二开关管、第三开关管、第五开关管和稳压二极管ZD1;
所述电阻R13的一端为所述待机信号接收单元的输入端,所述电阻R13的
另一端同时与所述电阻R12的一端和所述第五开关管的控制端连接,所述电阻
R12的另一端和所述第五开关管的输入端同时为所述待机信号接收单元的第一
电源端,所述第五开关管的输出端通过所述电阻R14与所述第三光耦的发光二
\t极管阳极连接,所述第三光耦的发光二极管阴极接地,所述第三光耦的受光器
件的输出端接地,所述第三光耦的受光器件的输入端与所述电阻R6的一端连
接,所述电阻R6的另一端同时与所述电阻R5的一端和所述第二开关管的控制
端连接,所述电阻R5的另一端和所述第二开关管的输入端同时为所述待机信
号接收单元的第二电源端,所述第二开关管的输出端同时与所述电阻R7的一
端和所述第三开关管的输入端连接,所述电阻R7的另一端和所述第三开关管
的控制端同时与所述稳压二极管的阴极连接,所述稳压二极管的阳极接地,所
述第三开关管的输出端为所述待机信号接收单元的输出端。
4.如权利要求3所述的超低待机控制电路,其特征在于,所述第二开关管
和所述第五开关管均为PNP型三极管,所述PNP型三极管的发射极为所述第
二开关管和所述第五开关管的输入端,所述PNP型三极管的集电极为所述第二
开关管和所述第五开关管的输出端,所述PNP型三极管的基极为所述第二开关
管和所述第五开关管的控制端;
所述第三开关管为NPN型三极管,所述NPN型三极管的集电极为所述第
三开关管的输入端,所述NPN型三极管的发射极为所述第三开关管的输出端,
所述NPN型三极管的基极为所述第三开...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑阳辉,赵素芳,谢宝棠,
申请(专利权)人:深圳市瑞必达科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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