一种生产发光二极管必备的LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种生产发光二极管必备的LED芯片，包括安装在发光二极管上的LED芯片，所述LED芯片设置在支架上，并通过银胶固定，连接在所述LED芯片上的金线连接到另一个所述支架，所述LED芯片外部包裹有环氧树脂，所述LED芯片包括P电极和N电极，金属反射层上方设置有衬底，所述衬底上方设置有N成长层，所述N成长层上设置有所述N电极，所述N成长层上方设置有P成长层，所述P成长层上方设置有金属透明电极，所述金属透明电极上设置有所述P电极。有益效果在于：本实用新型专利技术结构简单，提高了内量子效应，从而提高了LED芯片的发光效率，节约能源，具有非常广阔的应用前景。

LED chip necessary for producing light emitting diode

The utility model discloses a light-emitting diode chip production LED necessary, including the LED chip installed in the light-emitting diode, the LED chip is arranged on the bracket, and the silver glue fixed, gold wire is connected with the LED chip is connected to another of the stent, the external LED chip package with epoxy resin, the LED chip comprises a P electrode and a N electrode, a metal reflective layer is arranged above the substrate, N growth layer is arranged above the substrate, the growth of N layer of the N electrode, the N growth of P growth layer layer above the P growth, transparent metal electrode layer above the metal transparent electrode, the P electrode. The utility model has the advantages that the structure is simple, the inner quantum effect is improved, the luminous efficiency of the LED chip is improved, the energy is saved, and the application prospect is very wide.

【技术实现步骤摘要】

本技术属于芯片
，具体涉及一种生产发光二极管必备的LED芯片。
技术介绍
发光二极管是一种半导体固体发光器件,其利用半导体PN结作为发光材料，可以将电转换为光。当半导体PN结的两端加上正向电压后，注入PN结中的电子和空穴发生复合，将过剩的能量以光子的形式释放出来。LED具有寿命长，功耗低的优点，随着技术的日渐成熟，LED的运用领域也越来越多元化，对LED芯片的功率和亮度的要求也越来越高，如何提高LED芯片的功率是LED发展中遇到的难题之一。LED的功率与LED的内量子效率、光析出率与夕卜量子效率息息相关，简单地说，IQE是注入电子与空穴复合发光的效率的体现，LEE是这些光逸出LED效率的体现，EQE为IQE与LEE之积，即注入电子转化为能逸出LED光的效率的体现。当光线从高折射率的物质向低折射率的物质入射时，部分光会在界面上发生反射，并且当入射角大于全反射角时，会发生全反射。发生全反射时，光线无法进入低折射率的物质，只有入射角度小于全反射临界角的光线才能低折射率的物质而发射出去时。因此，LED芯片内部产生的光线只有一部分能发射出去，大大降低了LED的效率。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种生产发光二极管必备的LED芯片。本技术通过以下技术方案来实现上述目的：一种生产发光二极管必备的LED芯片，包括安装在发光二极管上的LED芯片，所述LED芯片设置在支架上，并通过银胶固定，连接在所述LED芯片上的金线连接到另一个所述支架，所述LED芯片外部包裹有环氧树脂，所述LED芯片包括P电极和N电极，金属反射层上方设置有衬底，所述衬底上方设置有N成长层，所述N成长层上设置有所述N电极，所述N成长层上方设置有P成长层，所述P成长层上方设置有金属透明电极，所述金属透明电极上设置有所述P电极。为了进一步提高其工作性能，两个所述支架一个为阳极，一个为阴极，阳极上设置有放置所述LED芯片的发射碗。为了进一步提高其工作性能，所述金线与所述LED芯片和所述支架焊接，所述环氧树脂用于封装。为了进一步提高其工作性能，所述衬底材料为蓝宝石，所述P成长层和所述N成长层均使用氮化镓作为材料。本技术的有益效果在于：本技术结构简单，提高了内量子效应，从而提高了LED芯片的发光效率，节约能源，具有非常广阔的应用前景。附图说明图1是本技术所述一种生产发光二极管必备的LED芯片的结构图；图2是本技术所述一种生产发光二极管必备的LED芯片的封装结构图。附图标记说明如下：1、银胶；2、LED芯片；3、环氧树脂；4、金线；5、支架；6、金属反射层；7、N成长层；8、P成长层；9、P电极；10、金属透明电极；11、N电极；12、衬底。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。下面结合附图对本技术作进一步说明：如图1-图2所示，一种生产发光二极管必备的LED芯片，包括安装在发光二极管上的LED芯片2，LED芯片2设置在支架5上，LED芯片2是发光的半导体材料，支架5用于导电和支撑，并通过银胶1固定，银胶1起到固定LED芯片2和导电的作用，连接在LED芯片2上的金线4连接到另一个支架5，金线4连接LED芯片2与支架5，并使其能够导通，LED芯片2外部包裹有环氧树脂3，环氧树脂3用于封装，LED芯片2包括P电极9和N电极11，金属反射层6上方设置有衬底12，衬底12上方设置有N成长层7，N成长层7上设置有N电极11，N成长层7上方设置有P成长层8，P成长层8上方设置有金属透明电极10，金属透明电极10上设置有P电极9。为了进一步提高其工作性能，两个支架5一个为阳极，一个为阴极，阳极上设置有放置LED芯片2的发射碗，金线4与LED芯片2和支架5焊接，环氧树脂3用于封装，衬底12材料为蓝宝石，P成长层8和N成长层7均使用氮化镓作为材料。以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生产发光二极管必备的LED芯片，其特征在于：包括安装在发光二极管上的LED芯片，所述LED芯片设置在支架上，并通过银胶固定，连接在所述LED芯片上的金线连接到另一个所述支架，所述LED芯片外部包裹有环氧树脂，所述LED芯片包括P电极和N电极，金属反射层上方设置有衬底，所述衬底上方设置有N成长层，所述N成长层上设置有所述N电极，所述N成长层上方设置有P成长层，所述P成长层上方设置有金属透明电极，所述金属透明电极上设置有所述P电极。

【技术特征摘要】
1.一种生产发光二极管必备的LED芯片，其特征在于：包括安装在发光二极管上的LED芯片，所述LED芯片设置在支架上，并通过银胶固定，连接在所述LED芯片上的金线连接到另一个所述支架，所述LED芯片外部包裹有环氧树脂，所述LED芯片包括P电极和N电极，金属反射层上方设置有衬底，所述衬底上方设置有N成长层，所述N成长层上设置有所述N电极，所述N成长层上方设置有P成长层，所述P成长层上方设置有金属透明电极，所述金属透明电极上设置有所述P电极。
2....

【专利技术属性】
技术研发人员：王金，
申请(专利权)人：王金，
类型：新型
国别省市：广东;44