一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质及制备方法技术

技术编号:14536062 阅读:410 留言:0更新日期:2017-02-02 21:46
本发明专利技术公开了一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质,按照质量份数计,土壤层包括:泥炭土25‑40份,壤土10‑20份,粘土5‑15份,珍珠岩2‑10份,有机质15‑25份;基质层包括:腐殖土45‑60份,珍珠岩1‑5份,椰糠1‑5份,45%三元复合肥0‑5份,有机质1‑8份;种植层包括:腐殖土8份,珍珠岩1份,椰糠1份,泥炭土10‑15份,稻谷壳3‑10份,膨润土1‑5份,贝壳粉5‑10份,尿素0‑3份;疏水层包括:砂石50‑70份,腐殖土8份,珍珠岩1份,椰糠1份。本发明专利技术的基质是一种混合基质,制备方法简单,并且能够提高佛甲草的生长率和减少佛甲草烂根烧苗现象,提高佛甲草在高温高湿环境下的耐候性。

A method for preparation of medium and light lineare roof

The invention discloses a method for cultivating Sedum roof light matrix, the number of copies in accordance with the quality plan, including: peat soil layer 25 40 copies, 20 copies of the 10 clay loam, 5 15 copies, 10 copies of 2 perlite, 15 organic 25; matrix layer includes: humus 45 60 1 copies, 5 copies of perlite, cocopeat 1 5, 45% three yuan compound fertilizer 0 5 copies, 8 copies of 1 organic; planting: humus layer includes 8 copies, 1 copies of coir perlite, peat soil 10 1 copies, 15 copies, 10 copies of the 3 rice shell, bentonite the bentonite 1 shell powder 5 5 copies, 10 copies, 3 copies of urea 0; hydrophobic layer includes: sand 50 70 copies, 8 copies of the humus, perlite 1 copies, 1 copies of cocopeat. The matrix of the invention is a kind of mixed matrix, the preparation method is simple, and can improve the growth rate and reduce the sedum lineare seedling rot phenomenon, improve lineare in high temperature and high weatherability wet environment.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及佛甲草培育领域,具体涉及一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质及制备方法。
技术介绍
随着城市生态化建设的发展,屋顶绿化已经受到各界的高度重视,甚至有些国家将屋顶绿化作为一项建筑硬性指标,以期待屋顶绿化来消除日益严重的城市“热岛”效应。目前,最常用的屋顶绿化植物是佛甲草,佛甲草又名万年草,是景天科多年生草本植物,佛甲草是一种多浆植物,含水量极高,其叶、茎表皮的角质层具有防止水分蒸发的特性。其生长适应性极强,耐寒、耐旱、耐盐碱,整齐美观,即可以作为盆栽欣赏,也可以作为露天观赏地被栽植。目前,常用的佛甲草培育基质主要有泥炭、草灰、塘泥、沙石、蘑菇等常见基质,使用这种基质,佛甲草在春秋季节生长较好,但是如果是夏天高温季节,常出现佛甲草烂根的现象,不但生产缓慢,还容易死亡,现在需要一种佛甲草培育基质,期望通过基质配方的改进来提高佛甲草的生长效率以及减少烂根烧苗的现象。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的以上问题,提供一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质及其制备方法,本专利技术的基质是一种混合基质,制备方法简单,并且能够提高佛甲草的生长率和减少佛甲草烂根烧苗现象,提高佛甲草在高温高湿环境下的耐候性。为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本专利技术通过以下技术方案实现:一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质,其由下到上依次包括:土壤层、第一基质层、根系固定层、第二基质层、种植层、疏水层、保湿层,所述根系固定层为无纺布,所述保湿层为保湿网,按照质量份数计,所述土壤层包括:所述第一基质层与所述第二基质层包括:所述种植层包括:所述疏水层包括:进一步优选地,所述腐殖土包括以下中的一种或几种:枯叶腐殖质、木屑腐殖质、草根腐殖质、中药渣、甘蔗腐殖质、菌菇废料、玉米秸秆腐殖质、小麦秸秆腐殖质、水稻秸秆腐殖质、高粱秸秆腐殖质、煤灰。进一步优选地,所述有机质包括以下中的一种或几种:菜籽饼、豆饼、花生饼、麸皮、玉米酒糟。进一步优选地,所述珍珠岩的粒径为0.05-0.5mm。进一步优选地,所述膨润土的粒度为50-200目。进一步优选地,所述贝壳粉的粒度为200-400目。进一步优选地,所述土壤层的pH为6.0-7.5,所述第一基质层与第二基质层的pH为6.5-8.5,所述种植层的pH为6.0-8.5。进一步优选地,所述土壤层、第一基质层、第二基质层、种植层、疏水层的厚度之比为10:4:3:2:1。进一步优选地,一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质制备方法,包括以下步骤:步骤一、按照各层配方中各个组分的含量称取备用,将各组分物料过1mm筛,然后喷洒40%福尔马林加水100倍稀释液消毒,消毒后的各个组分在阴凉处阴干15-24h,然后分别按照土壤层、基质层、种植层、疏水层混合均匀;步骤二、将分别混合均匀的土壤层、基质层、种植层、疏水层分别喷洒清水,使物料处于湿润状态,然后用薄膜密封,35-40℃环境中,堆沤10天;步骤三、堆沤后打开薄膜,太阳下暴晒7天,备用;步骤四、按照所述土壤层、第一基质层、第二基质层、种植层、疏水层的厚度之比为10:4:3:2:1分别铺设各层,准备种植佛甲草。进一步优选地,步骤四中,土壤层铺设完毕后,在土壤层的表面喷洒1:600的辛硫磷水溶液,种植层铺设完毕后,在种植层的表面喷砂1:500的多菌灵水溶液。本专利技术的有益效果是:本专利技术的基质是一种混合基质,制备方法简单,并且能够提高佛甲草的生长率和减少佛甲草烂根烧苗现象,提高佛甲草在高温高湿环境下的耐候性。本专利技术佛甲草的基质按照土壤层、基质层、种植层、疏水层四层严格配料,根据每层在佛甲草生长过程中的作用来配备不同的基质,总体有机质含量满足佛甲草的生长需要,并且隔层基质搭配合理,提高了整个基质的疏水性能,避免了高温、高湿环境中,水分在基质层中聚集发生烂根和烧苗现象。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本专利技术的较佳实施例详细说明如后。本专利技术的具体实施方式由以下实施例详细给出。具体实施方式下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。实施例1实施例1中公开了一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质,其由下到上依次包括:土壤层、第一基质层、根系固定层、第二基质层、种植层、疏水层、保湿层,所述根系固定层为无纺布,所述保湿层为保湿网。具体的,实施例1中的佛甲草培养基质各层组分如表1中所示。表1实施例1中培养基质的组成表其中,上述腐殖土包括:枯叶腐殖质、木屑腐殖质、草根腐殖质、中药渣、甘蔗腐殖质、菌菇废料、玉米秸秆腐殖质、小麦秸秆腐殖质、水稻秸秆腐殖质、高粱秸秆腐殖质、煤灰。上述有机质:菜籽饼、豆饼、花生饼、麸皮、玉米酒糟。上述珍珠岩的粒径为0.05-0.5mm;上述膨润土的粒度为50-200目;上述贝壳粉的粒度为200-400目。上述土壤层的pH为6.0-7.5,上述第一基质层与第二基质层的pH为6.5-8.5,上述种植层的pH为6.0-8.5。上述土壤层、第一基质层、第二基质层、种植层、疏水层的厚度之比为10:4:3:2:1。佛甲草培养基质制备方法,包括以下步骤:步骤一、按照各层配方中各个组分的含量称取备用,将各组分物料过1mm筛,然后喷洒40%福尔马林加水100倍稀释液消毒,消毒后的各个组分在阴凉处阴干15-24h,然后分别按照土壤层、基质层、种植层、疏水层混合均匀;步骤二、将分别混合均匀的土壤层、基质层、种植层、疏水层分别喷洒清水,使物料处于湿润状态,然后用薄膜密封,35-40℃环境中,堆沤10天;步骤三、堆沤后打开薄膜,太阳下暴晒7天,备用;步骤四、按照上述土壤层、第一基质层、第二基质层、种植层、疏水层的厚度之比为10:4:3:2:1分别铺设各层,准备种植佛甲草。其中,步骤四中,土壤层铺设完毕后,在土壤层的表面喷洒1:600的辛硫磷水溶液,种植层铺设完毕后,在种植层的表面喷砂1:500的多菌灵水溶液。实施例2实施例2中佛甲草培养基质的组成如表2中所示。表2实施例2中的组成表。实施例3实施例3中的佛甲草培养基质的组成如表3中所示。表3实施例3中佛甲草培养基质的组成表种植测试将实施例1-3中的基质,按照实施例1中的方法制备,每个实施例中种植9组佛甲草,每组佛甲草的面积为1×1m,然后用基质层和疏水层做一个对比例,对比例中的基质层的厚度为实施例中土壤层、基质层、种植层的厚度之和,对比例中也种植9组佛甲草,每组佛甲草的面积为1×1m,上述36组佛甲草的培养条件完全一致。90天后实施例2中的两组出现枯黄佛甲草现象,实施例3中的四组出现枯黄佛甲草现象,对比例中的九组均出现枯黄佛甲草现象,且对比例中的其中7组佛甲草枯黄面积要比实施例2-3中的大,实施例1中未出现枯黄现象。因此,将实施例1作为最佳实施例。说明上述实施例中的基质能够提高佛甲草的生长率和减少佛甲草烂根烧苗现象,提高佛甲草在高温高湿环境下的耐候性。本专利技术佛甲草的基质按照土壤层、基质层、种植层、疏水层四层严格配料,根据每层在佛甲草生长过程中的作用来配备不同的基质,总体有机质含量满足本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质,其由下到上依次包括:土壤层、第一基质层、根系固定层、第二基质层、种植层、疏水层、保湿层,所述根系固定层为无纺布,所述保湿层为保湿网,其特征在于,按照质量份数计,所述土壤层包括:所述第一基质层与所述第二基质层包括:所述种植层包括:所述疏水层包括:

【技术特征摘要】
1.一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质,其由下到上依次包括:土壤层、第一基质层、根系固定层、第二基质层、种植层、疏水层、保湿层,所述根系固定层为无纺布,所述保湿层为保湿网,其特征在于,按照质量份数计,所述土壤层包括:所述第一基质层与所述第二基质层包括:所述种植层包括:所述疏水层包括:2.根据权利要求1所述的一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质,其特征在于,所述腐殖土包括以下中的一种或几种:枯叶腐殖质、木屑腐殖质、草根腐殖质、中药渣、甘蔗腐殖质、菌菇废料、玉米秸秆腐殖质、小麦秸秆腐殖质、水稻秸秆腐殖质、高粱秸秆腐殖质、煤灰。3.根据权利要求1所述的一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质,其特征在于,所述有机质包括以下中的一种或几种:菜籽饼、豆饼、花生饼、麸皮、玉米酒糟。4.根据权利要求1所述的一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质,其特征在于,所述珍珠岩的粒径为0.05-0.5mm。5.根据权利要求1所述的一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质,其特征在于,所述膨润土的粒度为50-200目。6.根据权利要求1所述的一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质,其特征在于,所述贝壳粉的粒度为200-400目。7.根据权利要求1所述的一种用于轻型屋顶上佛甲草培养基质,其特征在于,所述土壤层的pH为6....

【专利技术属性】
技术研发人员:陈小月
申请(专利权)人:上海音绿环保工程有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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