衬底处理设备制造技术

本发明专利技术提供一种衬底处理设备，且更确切地说，提供一种可以在多个衬底上独立地执行工艺的批量型衬底处理设备。所述衬底处理设备包含包括多个分割板及多个连接杆的衬底舟、内部反应管、气体供应单元及排气单元，且将多个衬底加载成与所述分割板分开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种衬底处理设备，并且更具体地说，涉及一种可以在多个衬底上独立地执行工艺的批量型衬底处理设备(batch-typesubstrateprocessingapparatus)。
技术介绍
一般来说，作为衬底处理设备，存在可以在单个衬底上执行衬底工艺的单晶片类型衬底处理设备，及可以在多个衬底上同时执行衬底工艺的批量型衬底处理设备。所述单晶片类型在简单配置方面具有优点但具有低生产率的问题。因此，主要使用实现大规模生产的批量型衬底处理设备。在现有技术的批量型衬底处理设备中，在垂直方向上堆叠多个衬底且执行工艺。通过衬底工艺之前的单晶片类型工艺或其它工艺或通过输送模块的末端执行器(endeffector)，可能使附着在衬底的底表面上的颗粒在衬底的加载及卸载期间或所述工艺期间落在下部衬底的膜形成表面上，使得可能降低生长的膜的质量。另外，由于现有技术的批量型衬底处理设备具有一种结构，其中衬底之间的空间被开放，所以尽管通过对应于衬底的喷射嘴供应恒定量的工艺气体，但定位在上侧及下侧处的衬底受到影响，使得无法对衬底舟(substrateboat)中的衬底均匀地执行衬底工艺。[引文列表][专利文献]专利文献1：韩国专利号10-1313262
技术实现思路
本专利技术将提供一种衬底处理设备，其中通过多个分割板形成多个加载空间(loadingspaces)，多个衬底将被加载到其中，使得可以对衬底独立地执行工艺。根据本专利技术的一方面，提供一种衬底处理设备，其包含：衬底舟，其包含形成多个加载空间的多个分割板及连接所述分割板的多个连接杆，多个衬底加载在所述多个加载空间中，所述多个衬底在多个平台中加载到所述多个加载空间中；内部反应管，在其中形成接纳衬底舟的接纳空间且执行用于加载在衬底舟中的衬底的工艺；气体供应单元，其通过喷射嘴将含有原料气体及蚀刻气体的工艺气体供应到所述衬底；及排气单元，其通过对应于所述喷射嘴而提供的抽吸端口排放所述内部反应管内部的工艺残余物，其中与所述分割板分开地加载所述衬底。所述气体供应单元可进一步包含多个辅助喷嘴，为相应的加载空间提供所述多个辅助喷嘴以穿透所述内部反应管且与所述分割板的边缘分开。所述连接杆中的每一个可具备与所述分割板耦合的多个缝隙。可相对于衬底的加载方向对称地布置所述连接杆。所述衬底舟可进一步包含多个第一支撑顶端，所述多个第一支撑顶端与所述分割板的边缘耦合且支撑所述衬底。所述第一支撑顶端可根据所述加载空间而具有不同的高度。所述衬底舟可进一步包含多个第二支撑顶端，多个所述第二支撑顶端与具有形成于所述连接杆中的每一个中的不同高度的耦合凹槽耦合且支撑所述衬底。多个所述耦合凹槽可安置到所述加载空间中的每一个，且所述第二支撑顶端可在根据所述加载空间的不同高度处与所述耦合凹槽耦合。所述气体供应单元可将工艺气体独立地供应给所述加载空间中的每一个。在根据实施例本专利技术的衬底处理设备中，通过多个分割板形成多个加载空间，多个衬底将被加载到其中，使得可以对在多个平台中加载于所述加载空间中的衬底独立地执行工艺。因此，通过衬底工艺之前的单晶片类型工艺或其它工艺或通过输送模块的末端执行器，可以防止附着在衬底的底表面上的颗粒在衬底的加载及卸载期间或所述工艺期间落在下部衬底的膜形成表面上，使得可以将相等量的工艺气体供应到衬底。因此，有可能实现均匀生长的膜，其具有用于衬底的极好的质量。另外，可以将气体独立地供应到衬底，使得可以根据衬底的情形而控制气体的供应量。因此，可以在相应的衬底的最佳条件下执行工艺，使得有可能提高生长的膜的质量。另外，可以根据工艺情形将不同的工艺气体选择性地供应到相应的衬底，使得可以通过使用单个工艺在单个腔室中形成各种类型的生长膜。附图说明图1为说明根据本专利技术的实施例的衬底处理设备的横截面图。图2是说明根据本专利技术的实施例的使工艺气体流过衬底舟的概念图。图3(a)及图3(b)是说明根据本专利技术的实施例的包含第一支撑顶端的衬底舟的图。图4(a)及图4(b)是说明根据本专利技术的实施例的包含第二支撑顶端的衬底舟的图。具体实施方式在下文，将参考附图详细地描述本专利技术的实施例。本专利技术不限于下文揭示的实施例，而是可以各种形式实施。提供所述实施例以便完成对本专利技术的揭示且让所属领域的技术人员更好地理解本专利技术。在本说明书中，相同组件是相同参考标号标示。在图式中，可能夸示一些部分的大小以实现更准确的描述，且相同组件由相同的参考标号标示。在选择性外延生长(selectiveepitaxialgrowth，简称：SEG)设备中，供应原料气体及少量蚀刻气体的混合物，使得在衬底上执行沉积反应与蚀刻反应。所述沉积反应及所述蚀刻反应以相对于多晶层及外延层的相对差异的反应速率同时发生。在沉积工艺中，在现有的多晶层或非晶层沉积在至少一个次级层上时，外延层形成于单晶表面上。然而，一般以高于外延层的速率蚀刻所沉积的多晶层。因此，通过改变蚀刻气体的浓度，网选择性过程导致沉积外延材料并且沉积有限或无限的多晶材料。例如，在SEG设备中，可以在单晶硅表面上形成含硅材料的外延层，同时沉积材料不保留在间隔物(spacer)上。根据本专利技术的实施例的衬底处理设备100可为此SEG设备。图1为说明根据本专利技术的实施例的衬底处理设备的横截面图。参考图1，根据本专利技术的实施例的衬底处理设备100经配置以包含：衬底舟110，其包含形成多个衬底10加载在其中的多个加载空间的多个分割板111及连接所述分割板111的多个连接杆112，以允许衬底10在多个平台中加载于所述加载空间中；内部反应管120，在其中形成接纳衬底舟110的接纳空间且执行用于加载在衬底舟110中的衬底10的工艺；气体供应单元130，其通过喷射嘴131将含有原料气体及蚀刻气体的工艺气体供应到衬底10；及排气单元140，其通过对应于喷射嘴131而提供的抽吸端口141排放内部反应管120内部的工艺残余物。在根据本专利技术的实施例的衬底处理设备100中，外延层可以形成于衬底10上。在此情况下，衬底处理设备100可为SEG设备。一般来说，在衬底处理设施中，执行输送工艺、清洁工艺及外延工艺。由于外延工艺比清洁工艺花费更长的时间，所以可通过多个衬底处理设备100提高生产良率。衬底处理设备100可执行外延工艺。可通过化学气相沉积执行所述外延工艺，且外延层形成于外延表面上。例如，衬底10上的外延表面可暴露于含有硅气体(例如，SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、Si2H6或SiH4)及运载气体(例如，N2或H2)的工艺气体。在需要将掺杂剂包含在外延层中的情况下，硅气体可进一步含有含掺杂剂的气体(例如，AsH3、PH3或B2H6)。衬底舟110可在多个平台中(或在垂直方向上)加载多个衬底10以用于执行批量型中的工艺，且衬底舟100可上升及下降以用于所述加载或工艺。例如，衬底舟110可在多个平台中加载二十二个衬底10。在衬底舟110定位在下部腔室162内部提供的加载空间中或加载位置处)时，可将衬底10加载于衬底舟110中。更具体来说，在衬底10在衬底舟110的一个平台中被加载的情况下，如果衬底舟110上升，相对于加载衬底10的平台，下一衬底10可以加载于下部平台中。在所有衬底10都被加载于衬底舟110中时，可将衬底舟1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理设备，其特征在于，包括：衬底舟，其包含多个分割板及连接所述分割板的多个连接杆，多个所述分割板形成多个衬底被加载在其中的多个加载空间，多个所述衬底在多个平台中被加载到多个所述加载空间中；内部反应管，在其中形成接纳所述衬底舟的接纳空间并且执行用于加载在所述衬底舟中的所述衬底的工艺；气体供应单元，其通过喷射嘴将含有原料气体及蚀刻气体的工艺气体供应到所述衬底；及排气单元，其通过对应于所述喷射嘴而提供的抽吸端口排放所述内部反应管内部的工艺残余物，其中所述衬底被加载成与所述分割板分开。

【技术特征摘要】
2015.07.20 KR 10-2015-01023911.一种衬底处理设备，其特征在于，包括：衬底舟，其包含多个分割板及连接所述分割板的多个连接杆，多个所述分割板形成多个衬底被加载在其中的多个加载空间，多个所述衬底在多个平台中被加载到多个所述加载空间中；内部反应管，在其中形成接纳所述衬底舟的接纳空间并且执行用于加载在所述衬底舟中的所述衬底的工艺；气体供应单元，其通过喷射嘴将含有原料气体及蚀刻气体的工艺气体供应到所述衬底；及排气单元，其通过对应于所述喷射嘴而提供的抽吸端口排放所述内部反应管内部的工艺残余物，其中所述衬底被加载成与所述分割板分开。2.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其特征在于，所述气体供应单元进一步包含多个辅助喷嘴，所述多个辅助喷嘴是为相应的所述加载空间提供以穿透所述内部反应管且与所述分割板的边缘分开。3.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑愚德，崔圭镇，朴松焕，韩星珉，崔圣厦，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：韩国;KR