一种利用单模错位光纤同时测量温度和磁场的方法技术

本发明专利技术提供了一种利用单模错位光纤同时测量温度和磁场的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：a)选取三段单模光纤进行错位熔接，得到错位传感器；b)将所述错位传感器与光纤光栅熔接，进行温度标定和磁场标定；c)采集错位传感器与光纤光栅的波长漂移量，拟合错位传感器与光纤光栅的波长漂移量随温度和磁场变化量的关系曲线；d)利用步骤c)的关系曲线对待测环境中的温度和磁场同时测量。本发明专利技术将错位传感器和光纤光栅熔接在一起，由于光纤光栅和错位干涉结构具有不同的温度和磁场传感灵敏度，实现了同时对温度以及磁场进行测试。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器测量
，特别涉及一种利用单模错位光纤同时测量温度和磁场的方法。
技术介绍
全光纤化的传感器具有结构紧凑、使用寿命长、对测试量敏感、传输信道多等优势广泛地应用于光纤传感、光纤通信、光学加工等领域。通过光纤端面微加工技术或搭建具有干涉结构的全光纤传感器，在泵浦源作用下，输出具有梳状谱图样的干涉谱曲线。细芯光纤马赫-曾德光纤传感器结构简单且易于实现，该结构由一段细芯光纤熔接在两段芯径相对较粗的掺杂稀土光纤中，掺杂稀土光纤也被用作为传感器的增益介质。现有技术中，基于双芯光纤的马赫-曾德干涉仪，应用于温度和磁场的测量，干涉条纹衬幅比约为10dBm，条纹间隔约为2nm。光纤马赫-曾德干涉仪具有结构简单、条纹衬比度高、梳状谱密集等优势。纤芯错位就是光纤熔接时纤芯不匹配，根据纤芯失配原理，纤芯失配滤波器是一种结构特殊的马赫-曾德干涉仪。在单模-多模-单模(Singlemode-Multimode-Singlemode，SMS)结构，输入端单模光纤将入射光耦合入纤芯错位的单模光纤中，多模光纤调制后将入射光经由输出端单模光纤引出，光波模式沿光导纤维传输，在传输方向上会出现光强随多模光纤长度的改变而周期性变化的现象，甚至在多模光纤内出现与入射光场几乎相同的光场分布，这就是多模光纤中的模式干涉效应。由于在一根光纤就能实现多种模式之间的干涉，简化了光路，使结构更加紧凑，而且损耗低、不受外界干扰。但是单模-多模-单模结构的传感器对温度和磁场的灵敏度与光纤光栅对温度和磁场的灵敏度难以区别，在用于测量时难以实现温度和磁场的同时测量。因此，需要一种能有效地对温度和磁场进行同时测量的一种利用单模错位光纤同时测量温度和磁场的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种利用单模错位光纤同时测量温度和磁场的方法，所述方法包括如下步骤：a)选取三段单模光纤进行错位熔接，得到错位传感器；b)将所述错位传感器与光纤光栅熔接，进行温度标定和磁场标定；c)采集错位传感器与光纤光栅的波长漂移量，拟合错位传感器与光纤光栅的波长漂移量随温度和磁场变化量的关系曲线；d)利用步骤c)的关系曲线对待测环境中的温度和磁场同时测量。优选地，所述标定方法包括如下步骤：(1)将熔接后的错位传感器与光纤光栅置于可控温度变化和磁场和变化的环境中；(2)以错位传感器与光纤光栅的波谷作为采样点，逐渐改变环境中温度的大小，同时改变环境中磁场的大小，记录梳状谱移动的长度。优选地，所述错位传感器与光纤光栅的波长漂移量随温度和磁场变化量的关系曲线满足如下关系：其中Δλ1、Δλ2分别为错位传感器和光纤光栅的波长漂移量；ΔT、Δh分别为温度和磁场的变化量；KT1、KT2分别为错位传感器和光纤光栅的温度灵敏度；Kh1、Kh2分别为错位传感器和光纤光栅的磁场灵敏度；D＝KT1Kh2-KT2Kh1。优选地，所述温度灵敏度和所述磁场灵敏度通过计算灵敏度曲线的斜率得到。本专利技术的另一个方面提供了一种用于同时测量温度和磁场方法的测量系统，所述测量系统依次连接泵浦光源、波分复用器、增益光纤、第一单模光纤、错位传感器、光纤光栅、第二单模光纤和光谱仪；所述错位传感器由三段单模光纤错位熔接；所述错位传感器与所述光纤光栅熔接在一起用于对温度和磁场进行同时测量。优选地，所述增益光纤为一段掺杂稀土元素的光纤。本专利技术将错位传感器和光纤光栅熔接在一起，由于光纤光栅和错位传感器具有不同的温度和磁场传感灵敏度，实现了同时对温度以及磁场进行测量。应当理解，前述大体的描述和后续详尽的描述均为示例性说明和解释，并不应当用作对本专利技术所要求保护内容的限制。附图说明参考随附的附图，本专利技术更多的目的、功能和优点将通过本专利技术实施方式的如下描述得以阐明，其中：图1示意性示出了本专利技术利用单模错位光纤同时测量温度和磁场的流程图；图2示出了本专利技术三段单模光纤错位熔接的示意图；图3示出了本专利技术一个实施例中错位传感器与光纤光栅熔接对温度和磁场标定的示意图；图4示出了本专利技术错位传感器的波长漂移示意图；图5示出了本专利技术与光纤光栅的波长漂移示意图；图6示出了本专利技术另一个实施例中错位传感器与光纤光栅熔接对温度和磁场标定的示意图。具体实施方式通过参考示范性实施例，本专利技术的目的和功能以及用于实现这些目的和功能的方法将得以阐明。然而，本专利技术并不受限于以下所公开的示范性实施例；可以通过不同形式来对其加以实现。说明书的实质仅仅是帮助相关领域技术人员综合理解本专利技术的具体细节。在下文中，将参考附图描述本专利技术的实施例。在附图中，相同的附图标记代表相同或类似的部件，或者相同或类似的步骤。在下文实施例中，对本专利技术的一种利用单模错位光纤同时测量温度和磁场的方法做详细说明的过程中，一些相关的技术术语应当是本领域技术人员所能够理解的。实施例一为了清楚的说明本专利技术的内容，在如下实施例中给出了本专利技术利用单模错位光纤同时测量温度和磁场的具体流程。如图1所示本专利技术利用单模错位光纤同时测量温度和磁场的流程图，具体地，利用单模错位光纤同时测量温度和磁场的方法，所述方法包括如下步骤：步骤S101：熔接错位传感器，选取三段单模光纤进行错位熔接，得到错位传感器；步骤S102：温度和磁场标定，将所述错位传感器与光纤光栅熔接，进行温度标定和磁场标定；步骤S103：拟合曲线，采集错位传感器与光纤光栅的波长漂移量，拟合错位传感器与光纤光栅的波长漂移量随温度和磁场变化量的关系曲线；步骤S104：温度和磁场同时测量，利用步骤S103的关系曲线对待测环境中的温度和磁场同时测量。错位传感器的熔接如图2所示本专利技术三段单模光纤错位熔接的示意图100，首先选取三段单模光纤，所述单模光纤包括包层和纤芯，光路传播过程中由于纤芯错位实现模间干涉。将选取的三段单模光纤其中的第一段单模光纤101与第二段单模光纤102进行错位熔接。优选地，选择手动调节熔接机参数，固定上述第一段单模光纤101，对第二段单模光纤102错位调节后，通过放电熔接完成两段单模光纤的熔接。同样地，采用相同的步骤固定第三段单模光纤103，对熔接好的第一段单模光纤101和第二段单模光纤102进行熔接，手动调节熔接机参数，通过放电完成三段单模光纤的熔接。本实施例中，优选三段单模光纤长度一致。温度和磁场的标定将错位熔接好的三段单模光纤作为错位传感器与光纤光栅进行熔接。如图3所示本专利技术一个实施例中错位传感器与光纤光栅熔接对温度和磁场标定的示意图200，搭建测量系统，所述测量通过光纤204系统依次连接泵浦光源201、波分复用器202、增益光纤203、第一单模光纤205、错位传感器206、光纤光栅208、第二单模光209纤、光谱仪210和温度控制器207。其中，错位传感器为上述三段单模光纤错位熔接得到。错位传感器206与光纤光栅208置于可以控制温度和磁场变化的环境中。在一些实施例中，增益光纤203优选掺杂稀土元素的光纤。将所述错位传感器206与所述光纤光栅208熔接在一起置于温度和磁场均为可控的环境中对温度的变化量与磁场211的变化量进行标定，本实施例中，磁场为均匀磁场。具体地，标定过程的步骤如下：步骤1：将熔接后的错位传感器206与光纤光栅208置于可控温度变化和磁场和变化的环境中；步骤2：以错位传感器206与光纤光栅208的波谷作为采样点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用单模错位光纤同时测量温度和磁场的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：a)选取三段单模光纤进行错位熔接，得到错位传感器；b)将所述错位传感器与光纤光栅熔接，进行温度标定和磁场标定；c)采集错位传感器与光纤光栅的波长漂移量，拟合错位传感器与光纤光栅的波长漂移量随温度和磁场变化量的关系曲线；d)利用步骤c)的关系曲线对待测环境中的温度和磁场同时测量。

【技术特征摘要】
1.一种利用单模错位光纤同时测量温度和磁场的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：a)选取三段单模光纤进行错位熔接，得到错位传感器；b)将所述错位传感器与光纤光栅熔接，进行温度标定和磁场标定；c)采集错位传感器与光纤光栅的波长漂移量，拟合错位传感器与光纤光栅的波长漂移量随温度和磁场变化量的关系曲线；d)利用步骤c)的关系曲线对待测环境中的温度和磁场同时测量。2.根据权利要求1所述的同时测量温度和磁场的方法，其特征在于，所述标定方法包括如下步骤：(1)将熔接后的错位传感器与光纤光栅置于可控温度变化和磁场变化的环境中；(2)以错位传感器与光纤光栅的波谷作为采样点，逐渐改变环境中温度的大小，同时改变环境中磁场的大小，记录梳状谱移动的长度。3.根据权利要求1所述的同时测量温度和磁场的方法，其特征在于，所述错位传感器与光纤光栅的波长漂移量随温度和磁场变...

【专利技术属性】
技术研发人员：何巍，祝连庆，娄小平，董明利，刘锋，闫光，张雯，
申请(专利权)人：北京信息科技大学，
类型：发明
国别省市：北京;11