本实用新型专利技术涉及一种基于CrOCl晶体的激光脉冲调制器的全固态激光器,CrOCl激光脉冲调制器由CrOCl晶体制得,基于CrOCl激光脉冲调制器的全固态激光器包括CrOCl激光脉冲调制器。本实用新型专利技术将CrOCl晶体用作激光脉冲调制器,具有以下优势:(1)Cr3+离子在CrOCl晶体中是基质离子,有浓度高、分布均匀的特点,可饱和吸收效应具有高效性、均匀性。(2)工作波段宽。CrOCl晶体的短波截止边位于600nm,长波截止边位于18mm,在这个波段内都可实现可饱和吸收。(3)容易制备,可用气相传输法生长,产率高,尺寸大,易剥离,且表面光滑,可直接用于激光脉冲的调制,生产和加工过程极为便利。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种基于CrOCl晶体的激光脉冲调制器的全固态激光器,属于激光
技术介绍
激光器被誉为20世纪最伟大的技术之一,发展至今已形成一个巨大的产业,影响着国民经济的各个领域。脉冲激光具有峰值功率高、能量大、脉冲时间短等优势,是激光的重要组成部分和发展方向,在国防、科研、医疗等众多领域有重要应用。实现脉冲激光的技术可大致分为两类:主动调制、被动调制。通过材料本身的可饱和吸收特性对激光产生过程的损耗进行调节,从而获得脉冲激光的方式称为被动调制技术。被动调制具有操作简单、结构紧凑、能耗低等优势,在脉冲激光中扮演着重要角色,其应用越来越普遍。目前常用的可饱和吸收材料有两类:1.具有特殊离子掺杂的绝缘体材料,如掺铬的钇铝石榴石(Cr:YAG)晶体或陶瓷以及色心晶体;2.半导体材料,如砷化镓或特殊工艺做成的可饱和吸收镜(SESAM)。这两类材料制备工艺较为复杂,并且可饱和吸收性能对于波长有很强的依赖性,因此应用范围有限。目前,人们仍在积极探索新型的性能更加优异、全面的可饱和吸收材料。Cr离子掺杂的晶体在激光调制领域具有重要地位。因其生长条件不同,可以形成不同价态,如二价Cr2+、三价Cr3+、四价Cr4+和五价Cr5+。其中,四价Cr4+离子掺杂的晶体是产生1μm附近脉冲激光的常用材料,是被动调Q和锁模的重要元件,最典型的如Cr4+:YAG。利用二价Cr2+离子掺杂的晶体(Cr2+:ZnSe)在1.645μm波段实现了激光调Q。利用五价Cr5+离子掺杂的晶体(Cr5+:YVO4)在1.08μm波段实现了激光调Q。到目前为止还未发现三价Cr3+离子晶体的可饱和吸收效应。我们在开孔Z扫描测试中首次发现,CrOCl晶体具有强的可饱和吸收特性,即在弱光照射时透过率较低,而在强光照射时透过率显著提高。实验装置如图1所示,包含泵浦源1、分光镜2、聚焦透镜3、CrOCl晶体4、第一能量计5、第二能量计6。泵浦源1为染料锁模Nd:YAG脉冲激光器(美国Continuum公司生产,型号PY61C-10,波长1064nm,脉冲宽度40ps,工作频率10Hz),分光镜2将泵浦源1的出射光束分为两束,光束一照射在聚焦透镜3上,聚焦透镜3的焦距为300mm,光束一透过聚焦透镜3和CrOCl晶体4后照射在第一能量计5上,光束二照射在第二能量计6上作为参考光束,第一能量计5和第二能量计6连接计算机进行数据采集。实验过程中,CrOCl晶体在轨道上沿光轴方向直线移动,当CrOCl晶体靠近焦点时光束能量密度逐渐升高,并在焦点位置达到最大,通过焦点后光束能量密度逐渐降低。实验中CrOCl晶体的总移动距离为100mm,光束焦点位于中间位置。实验结果如图2所示,图2中,拟合曲线是根据非线性光学理论对实验数据的拟合,crocl晶体沿光轴方向由远距离接近焦点位置时归一化透过率逐渐增大至150%,表明crocl晶体在1064nm激光照射下通过焦点位置附近时产生了饱和吸收现象,显示了CrOCl晶体具有强的可饱和吸收特性,可作为被动调制元件产生高峰值功率的脉冲激光。中国专利文献CN101378173A公开了掺铬钼酸铝铷可调谐激光晶体及其制备方法和用途,涉及一种可调谐固态激光器中的工作介质。该方法采用60-80at%Rb2Mo3O10为助熔剂,降温速率为1-5℃/天,转速为5-30转/分钟,生长出了高质量、较大尺寸的Cr3+:RbAl(MoO4)2晶体。该晶体属三方晶系,具有P空间群结构,折射率1.73。该晶体可作为可调谐激光晶体,其可调谐范围在710-1000nm之间,用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。在该专利中,掺铬钼酸铝铷晶体是一种激光晶体,用作可调谐固体激光器中的工作介质,产生宽调谐激光输出,铬离子在晶体结构中是掺杂离子,部分取代铝离子的晶格位置,含量较少(掺杂浓度在0.2at%-0.5at%之间)。而在本专利中,虽然Cr离子也是三价态,但在CrOCl的晶格结构中属于基质离子而非掺杂离子,因此晶格占有率为100at%,浓度更高、分布更均匀。从功能上来看本专利中的CrOCl是一种可饱和吸收体,用于激光调制,本身并不发射激光,而在上述专利中Cr3+:RbAl(MoO4)2是一种激光晶体,本身发射激光。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本技术提供了一种基于CrOCl晶体的激光脉冲调制器的全固态激光器;本技术首次将三价Cr3+离子晶体即CrOCl晶体用作激光脉冲调制器,与已有的Cr离子掺杂型可饱和吸收体相比具有以下显著优势:(1)Cr3+离子在CrOCl晶体中是基质离子,而不是掺杂离子,具有浓度高、分布均匀的特点,相应地其可饱和吸收效应具有高效性、均匀性。(2)工作波段宽。CrOCl晶体的短波截止边位于600nm,长波截止边位于18μm,在这个波段内都可实现可饱和吸收,而传统的Cr离子掺杂型可饱和吸收体的可用波段仅为几百纳米甚至更窄。(3)容易制备,CrOCl晶体是具有层状结构的晶体材料,可用气相传输法生长,产率高,尺寸大,易剥离,且表面光滑,可直接用于激光脉冲的调制,生产和加工过程极为便利。术语解释“增透”:一般指对特定波长的光透过率≥95%,“高反射”一般指对特定波长的光反射率≥99%,“部分反射”一般指对特定波长的光反射率在30%-99%之间。本技术的技术方案为:一种基于CrOCl激光脉冲调制器的全固态激光器,包括沿光路依次安放的第一泵浦源、第一前腔镜、第一激光增益介质、所述CrOCl激光脉冲调制器、第一输出镜。根据本技术优选的,所述第一泵浦源为半导体激光二极管(LD)或氙灯。提供泵浦能量。所述第一前腔镜及所述第一输出镜组成第一谐振腔,所述第一前腔镜镀以对激光工作波段高反射介质膜,所述第一输出镜镀以对激光工作波段反射介质膜。所述第一激光增益介质为半导体、激光晶体、激光陶瓷或激光玻璃。所有能产生激光增益的固体介质都可以作为第一激光增益介质,加工成圆柱体或者长方体,其端面镀以有利于泵浦光吸收和激光振荡的介质膜,也可以只抛光不镀膜。将所述CrOCl激光脉冲调制器放于谐振腔内,形成调Q或锁模激光输出。上述全固态脉冲激光器的谐振腔参数可自行设计,如腔长、腔镜曲率、输出镜的耦合透过率等,并可根据实际需要添加全反镜以改变腔型,相关设计是本领域熟知的技术。根据本技术优选的,所述第一激光增益介质为钕掺杂钇铝石榴石Nd:YAG晶体或钕掺杂钒酸钇Nd:YVO4晶体,所述钕掺杂钇铝石榴石Nd:YAG晶体中Nd3+离子浓度为0.1-3at.%,所述钕掺杂钒酸钇Nd:YVO4晶体中Nd3+离子浓度为0.1-5at.%。一种端面泵浦基于CrOCl激光脉冲调制器的调Q激光器,包括沿光路依次安放的第二泵浦源、第一光纤耦合系统、第一聚焦系统、第二前腔镜、第二激光增益介质、所述CrOCl激光脉冲调制器、第二输出镜。第二泵浦源发出的泵浦光经第一光纤耦合系统、第一聚焦系统和第二前腔镜输入到第二激光增益介质中,产生的激光被CrOCl激光脉冲调制器调制,从第二输出镜一端输出调Q脉冲。根据本技术优选的,所述第二前腔镜及第二输出镜组成第二谐振腔,所述第二谐振腔长度为1-10cm;所述第二泵浦源为发射波长为808nm本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于CrOCl晶体的激光脉冲调制器的全固态激光器,其特征在于,包括沿光路依次安放的第一泵浦源、第一前腔镜、第一激光增益介质、CrOCl激光脉冲调制器、第一输出镜。
【技术特征摘要】
1.一种基于CrOCl晶体的激光脉冲调制器的全固态激光器,其特征在于,包括沿光路依次安放的第一泵浦源、第一前腔镜、第一激光增益介质、CrOCl激光脉冲调制器、第一输出镜。2.根据权利要求1所述的全固态激光器,其特征在于,所述第一泵浦源为半导体激光二极管或氙灯;所述第一前腔镜及所述第一输出镜组成第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:王正平,王梦霞,张健,陶绪堂,许心光,
申请(专利权)人:山东大学,
类型:新型
国别省市:山东;37
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