一种渗碳淬火后奥氏体晶界腐蚀方法技术

技术编号:14517460 阅读:113 留言:0更新日期:2017-02-01 20:02
本发明专利技术涉及碳钢在渗碳淬火后奥氏体晶界的腐蚀技术领域,具体为一种渗碳淬火后奥氏体晶界腐蚀方法,其能够基本实现样品经过一次腐蚀就能在显微镜下观察到奥氏体晶界,包括以下步骤:(1)将十二烷基苯磺酸钠、苦味酸、35%的盐酸溶液、水混合搅拌形成腐蚀剂溶液,其中十二烷基苯磺酸钠与苦味酸的重量比为1:2,盐酸与水的体积比为1:20,1g十二烷基苯磺酸钠对应100ml水;(2)将步骤(1)中的腐蚀剂溶液加热至45~65℃;(3)将样品浸入步骤(2)中加热过后的腐蚀剂中10~60s,直到样品变成灰色后取出样品;(4)将样品并用无水乙醇冲刷样品上残余的腐蚀剂溶液;(5)将样品用热风烘干后制样完成,即可在显微镜下观察到奥氏体晶界。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳钢在渗碳淬火后奥氏体晶界的腐蚀
,具体为一种渗碳淬火后奥氏体晶界腐蚀方法。
技术介绍
渗碳处理后的奥氏体晶粒度检验对渗碳处理的过程控制有着非常重要的意义,传统的腐蚀方法主要是将样本用苦味酸盐酸溶液进行腐蚀,由于单次腐蚀后成功率低,需要多次重复试验后才可以腐蚀出渗碳零件的奥氏体晶界,效率太低。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术提供了一种渗碳淬火后奥氏体晶界腐蚀方法,其能够基本实现样品经过一次腐蚀就能在显微镜下观察到奥氏体晶界。其技术方案是这样的:一种渗碳淬火后奥氏体晶界腐蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将十二烷基苯磺酸钠、苦味酸、35%的盐酸溶液、水混合搅拌形成腐蚀剂溶液,其中十二烷基苯磺酸钠与苦味酸的重量比为1:2,盐酸与水的体积比为1:20,1g十二烷基苯磺酸钠对应100ml水;(2)将步骤(1)中的腐蚀剂溶液加热至45~65℃;(3)将样品浸入步骤(2)中加热过后的腐蚀剂中10~60s,直到样品变成灰色后取出样品;(4)将样品并用无水乙醇冲刷样品上残余的腐蚀剂溶液;(5)将样品用热风烘干后制样完成,即可在显微镜下观察到奥氏体晶界。其进一步特征在于,步骤(4)与步骤(5)之间还包括抛光步骤,具体步骤为:将样品放置于不旋转的抛光布上抛光3~5S进一步去除腐蚀剂溶液;步骤(1)中的水为蒸馏水;步骤(2)中腐蚀剂溶液通过水浴加热;步骤(3)中样品变成中灰色后取出样品;步骤(4)中无水乙醇冲刷样品的时间为3~5S;步骤(5)中样品烘干通过热风枪实现,烘干时间为10~12S;步骤(5)中制样完成后观察奥氏体晶界效果不理想时可以重复步骤(3)到(5)直至可以在显微镜下观察到奥氏体晶界;显微镜的放大倍数为放大500倍。采用本专利技术的方法后,加入了十二烷基苯磺酸钠的苦味酸盐酸溶液腐蚀性能大大提升,样品变色后去除使用无水乙醇冲刷掉腐蚀剂溶液,使用热风吹干使得除水速度快,不会留有水渍影响制样效果,样品经过这样一次腐蚀就能在显微镜下观察到奥氏体晶界,成功率达到90%。附图说明图1为本专利技术流程示意图;图2为腐蚀效果图。具体实施方式见图1所示,(1)将1g十二烷基苯磺酸钠、2g苦味酸、5滴盐酸(约为5ml)、100ml蒸馏水混合搅拌形成腐蚀剂溶液;(2)将步骤(1)中的腐蚀剂溶液水浴加热至45~65℃;(3)将样品完全浸入步骤(2)中加热过后的腐蚀剂中10~60s,直到样品变成中灰色后取出样品;(4)将样品并用无水乙醇冲刷样品上残余的腐蚀剂溶液;为了达到理想的腐蚀效果,可以将步骤(4)中得到的样品放置于不旋转的抛光布上抛光3~5S进一步去除腐蚀剂溶液;(5)将样品用热风枪烘干后制样完成,即可在显微镜下观察到奥氏体晶界。如果观察奥氏体晶界效果不理想时可以重复步骤(3)到(5)几次直至可以在显微镜下观察到奥氏体晶界。图2中材质为20CrNiMo经过渗碳淬火并通过本专利技术的腐蚀方法后经过500倍放大倍数的显微镜观察到的效果图,从图中可以清晰看出奥氏体晶界。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种渗碳淬火后奥氏体晶界腐蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将十二烷基苯磺酸钠、苦味酸、35%的盐酸溶液、水混合搅拌形成腐蚀剂溶液,其中十二烷基苯磺酸钠与苦味酸的重量比为1:2,盐酸与水的体积比为1:20,1g十二烷基苯磺酸钠对应100ml水;(2)将步骤(1)中的腐蚀剂溶液加热至45~65℃;(3)将样品浸入步骤(2)中加热过后的腐蚀剂中10~60s,直到样品变成灰色后取出样品;(4)将样品并用无水乙醇冲刷样品上残余的腐蚀剂溶液;(5)将样品用热风烘干后制样完成,即可在显微镜下观察到奥氏体晶界。

【技术特征摘要】
1.一种渗碳淬火后奥氏体晶界腐蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将十二烷基苯磺酸钠、苦味酸、35%的盐酸溶液、水混合搅拌形成腐蚀剂溶液,其中十二烷基苯磺酸钠与苦味酸的重量比为1:2,盐酸与水的体积比为1:20,1g十二烷基苯磺酸钠对应100ml水;(2)将步骤(1)中的腐蚀剂溶液加热至45~65℃;(3)将样品浸入步骤(2)中加热过后的腐蚀剂中10~60s,直到样品变成灰色后取出样品;(4)将样品并用无水乙醇冲刷样品上残余的腐蚀剂溶液;(5)将样品用热风烘干后制样完成,即可在显微镜下观察到奥氏体晶界。2.根据权利要求1所述的一种渗碳淬火后奥氏体晶界腐蚀方法,其特征在于,步骤(4)与步骤(5)之间还包括抛光步骤,具体步骤为:将样品放置于不旋转的抛光布上抛光3~5S进一步去除腐蚀剂溶液。3.根据权利要求1所述的一种渗碳淬火后奥氏体晶界腐蚀方法,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈莉汤海华张建敏陈光陈琳
申请(专利权)人:鹰普中国有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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