【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到存储器领域，用于亚微米工艺和深亚微米工艺下对存储速度和功耗要求很严格的各种不同存储器，包括SRAM，DRAM，ROM，EPROM，FLASH和FRAM等。技术背景存储器中数据“1”和“0”的存储在不同存储器种有不同方法。在只读存储器里，一般采用反熔丝结构，通过对反熔丝在高压下选择性的烧录，可以改变基本单元的电阻，实现数据“1”，“0”的存储。只读存储器芯片一次编程完以后，将不能再进行编程，以后就只能进行对数据的读取。特征尺寸的减小，栅氧击穿电压和PN结反向击穿电压的降低，导致烧录时设计的困难，使反熔丝的击穿过后的电阻值的均匀性明显降低。理想的反熔丝击穿电阻在几百欧，在深亚微米工艺的反熔丝的击穿后的电阻可能在几百欧到几百千欧的阻值范围内。大的击穿电阻范围导致在极端情况下读取数据时选通的基本单元支路的放电电流明显降低，位线电容电位变化缓慢，进而导致读取速度变缓慢。另一方面，存储器密度的增大使得存储器位线上的寄生电容增大，也使得灵敏放大器的读取周期加长，制约着存储器读出速度。本专利技术提出了一种新的拓扑结构，此结构在数据读取时能有效避免位线大电容，极大地提高存储器的读取速度。
技术实现思路
本专利技术提出了一种高速只读存储器拓扑结构的设计，基于该设计能有效避免位线大电容，极大地提高存储器的读取速度。该设计的主要内容为：(1)本文提出的高速只读存储器结构能有效减小大寄生电容的影响。(2)设计上比常规只读存储器拓扑结构有所不同，这种只读存储器结构中，灵敏放大器仍然通过检查结点SAM的电压来读取存储单元的数据，但此时节点SAM的位置发生变化，从存储单...
【技术保护点】
一种高速只读存储器拓扑结构的设计，其特征在于：(1)应用于亚微米或者深亚微米工艺领域的高速只读存储器拓扑结构，显著地减小了只读存储器读写时位线电容对灵敏放大器工作的影响，极大地提高了只读存储器的读取速度。(2)该拓扑结构也避免了位线上其他负载单元漏电流对数据读写的影响，提高了数据读取时候的稳定性。
【技术特征摘要】
1.一种高速只读存储器拓扑结构的设计，其特征在于：(1)应用于亚微米或者深亚微米工艺领域的高速只读存储器拓扑结构，显著地减小了只读存储器读写时位线电容对灵敏放大器工作的影响，极大地提高了只读存储器的读取速度。(2)该拓扑结构也避免了位线上其他负载单元漏电流对数据读写的影响，提高了数据读取时候的稳定性。2.根据权利要求1所...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。