【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体领域，涉及一种二极管芯片制备用扩散炉组件，具体涉及一种扩散炉用石英管。
技术介绍
扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。扩散炉与其内的石英管相配合，常用于半导体硅片的高温扩散，进而生产得到芯片。目前在扩散工艺中，扩散源主要分为气态源、液态源和纸源，纸源涂覆扩散目前已经成为主流技术手段。在纸源扩散工艺中，扩散炉用石英管设置在扩散炉的腔体内，并通过加热扩散炉来升温，其中石英管的一端设置有多个分别用于通入多种高纯气体的进气口，石英管的另一端设置有用于排出多余气体的排气口。在扩散工艺过程中，待扩散的硅片置于石英管中央，石英管在扩散炉的腔体内升温至1250℃，多种高纯气体从进气口进入管内，并与扩散源在高温下反应并扩散进入硅片内，多余的气体则从排气口排出。然而，从进气口通入的多种高纯气体间密度差异较大，在进入管内后便形成层流，即密度小的气体在最上面，并且从上到下气体的密度依次增大，如氮气在上面，氧气在最下面。这些混合不均的气体在遇到硅片后，反应速度及扩散速度随高度的变化而变化，导致扩散源在硅片的上、下部分扩散浓度不均；此外，硅片的直径越大，扩散源在硅片上浓度的离散性越大。上述情况最终都将影响芯片的良品率。另外一种喷淋式通气方法虽然解决了反应气体产生层流的问题，但是所有气...
【技术保护点】
一种扩散炉用石英管，包括具有一个内腔的管体，管体内置有石英舟，石英舟上均匀排列有硅片，其特征在于：所述的管体的一端顶部并排设置有两个进气口，每个进气口均连通有进气管，分别为N2进气管和O2进气管，每个进气管从管体内通向管体的另一端且管端封闭，位于管体内的进气管下表面均匀开设有进气孔；所述的管体的一端底部设置有一个排气口，排气口连通有排气管，排气管从管体内通向管体的另一端且管端封闭，位于管体内的排气管上表面均匀开设有排气孔。
【技术特征摘要】
1.一种扩散炉用石英管，包括具有一个内腔的管体，管体内置有石英舟，石英舟上均匀排列有硅片，其特征在于：所述的管体的一端顶部并排设置有两个进气口，每个进气口均连通有进气管，分别为N2进气管和O2进气管，每个进气管从管体内通向管体的另一端且管端封闭，位于管体内的进气管下表面均匀开设有进气孔；所述的管体的一端底部设置有一个排气口...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐海涛，
申请(专利权)人：青岛金汇源电子有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37
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