本实用新型专利技术提供一种透明陶瓷基板LED灯丝,包括透明陶瓷基板,该透明陶瓷基板上设置一层ITO薄膜层,在所述ITO薄膜层上通过刻蚀工艺形成线路层,以及在所述透明陶瓷基板上形成多个固晶区,多个正装LED裸芯片设置在所述固晶区内,所述多个正装LED裸芯片以金线键合的方式串接在所述线路层中;在所述透明陶瓷基板的正面和反面都设有荧光层;在所述线路层设有电阻图形并通过溅射工艺在其上沉积ITO材料形成电阻。采用本实用新型专利技术的技术方案,由于采用透明陶瓷基板,从而使LED芯片真正实现360°出光,大大提升了LED灯丝的立体出光效果;由于将正装LED裸芯片直接封装在透明陶瓷基板上,大大缩小了LED灯丝的尺寸,也简化了LED封装工艺。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及LED
,尤其涉及一种透明陶瓷基板LED灯丝。
技术介绍
随着LED技术的不断成熟,传统白炽灯将逐渐被LED灯丝灯所取代。为了增加出光面积和角度,LED灯丝灯通常由多条LED灯丝相互拼接组成。现有技术中,LED灯丝通常采用金属基板等非透光基板,只能单面透光,其单根LED灯丝的出光角度最多只能为180°,这大大限制了LED的发光效果。同时现有技术中,LED灯丝上的LED芯片通常采用已封装好的LED灯珠焊接在基板上,不仅增加了LED灯丝的尺寸,同时增加了LED灯丝制备工艺的复杂度。另外,LED灯丝上的电阻元件通常采用贴片电阻以焊接的方式固定在LED灯丝上,贴片电阻的一致性和稳定性存在无法得到保证,尤其在LED灯丝长时间使用的情况下,会极大影响LED灯丝的寿命,同时也增加了LED灯丝制备工艺的复杂度。故,针对目前现有技术中存在的上述缺陷,实有必要进行研究,以提供一种方案,解决现有技术中存在的缺陷。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的问题,本技术的目的在于提供一种用于LED灯丝并使其实现360°出光的透明陶瓷基板LED灯丝。为了克服现有技术的缺陷,本技术的技术方案为:一种透明陶瓷基板LED灯丝,包括透明陶瓷基板,该透明陶瓷基板上设置一层ITO薄膜层,在所述ITO薄膜层上通过刻蚀工艺形成线路层,以及在所述透明陶瓷基板上形成多个固晶区,多个正装LED裸芯片设置在所述固晶区内,所述多个正装LED裸芯片以金线键合的方式串接在所述线路层中;在所述透明陶瓷基板的正面和反面都设有荧光层;在所述线路层的端部设有电极,所述电极用于与外接驱动电源相连接;在所述线路层设有电阻图形并通过溅射工艺在其上沉积ITO材料形成电阻。优选地,所述ITO薄膜层通过溅射工艺形成在所述透明陶瓷基板上。优选地,所述ITO薄膜层通过喷涂工艺形成在所述透明陶瓷基板上。优选地,根据所述电阻的阻值控制在所述线路层的电阻图形上沉积相应量的ITO材料,从而实现设置不同阻值的电阻。优选地,所述透明陶瓷基板为长条形,所述电极设置在长条形透明陶瓷基板的两端。优选地,所述正装LED裸芯片通过固晶胶固定在所述固晶区。优选地,所述ITO薄膜层为35μm~280μm。优选地,所述线路层在所述固晶区两端区域分别设有金线焊点,所述正装LED裸芯片上设有P极和N极。优选地,通过金线使所述正装LED裸芯片的P极或N极与所述线路层上的金线焊点电气连接。优选地,正装LED裸芯片的N极通过金线与其后级的正装LED裸芯片的P极电气连接,或者正装LED裸芯片的P极通过金线与其前级的正装LED裸芯片的N极电气连接。相对于现有技术,采用本技术的技术方案,由于采用透明陶瓷基板,从而使LED芯片真正实现360°出光,大大提升了LED灯丝的立体出光效果;由于将正装LED裸芯片直接封装在透明陶瓷基板上,大大缩小了LED灯丝的尺寸,也简化了LED封装工艺;同时导电层采用ITO材料,其电阻率远大于铜等金属,故可在线路层上直接沉积ITO材料形成电阻,从而不需要焊接电阻元件,并保证了电阻元件的一致性和稳定性,从而延长LED灯丝的使用寿命。附图说明图1为本技术实施例提供的一种透明陶瓷基板LED灯丝的结构示意图。图2为本技术实施例提供的一种透明陶瓷基板LED灯丝的平面结构示意图。图3为本技术实施例提供的一种透明陶瓷基板LED灯丝另一种实施方式的平面结构示意图。具体实施方式以下是本技术的具体实施例并结合附图,对本技术的技术方案作进一步的描述,但本技术并不限于这些实施例。为了克服现有技术存在的缺陷,请参阅图1,为本技术实施例提供的一种透明陶瓷基板LED灯丝的结构示意图,包括透明陶瓷基板1,透明陶瓷基板1是一块薄玻璃片,其表面非常光滑,透光率在95%以上。该透明陶瓷基板1上设置一层ITO薄膜层,一层ITO(氧化铟锡)薄膜层,ITO薄膜层是通过溅射工艺或者通过喷涂工艺形成在所述透明陶瓷基板1上,其厚度为35μm~280μm。材料ITO(氧化铟锡)同时具有优良电学传导和光学透明的特性,作为透明传导镀膜应用广泛。由于采用透明陶瓷基板,从而使LED灯丝真正实现360°出光,大大提升了LED灯丝的立体出光效果。在透明陶瓷基板1上设置ITO薄膜层作为导电层,其作用类似于现有技术中的铜箔层。通过光刻胶掩膜蚀刻工艺可将电路图形印制在ITO薄膜层上,也即在ITO薄膜层上通过刻蚀工艺形成线路层2,同时通过刻蚀工艺在透明陶瓷基板1上形成固晶区3,固晶区3用于设置正装LED裸芯片4,多个正装LED裸芯片4通过固晶胶设置在所述固晶区3内,并以金线键合的方式串接在所述线路层2中。金线键合工艺的好坏直接影响LED灯丝的光电性能及可靠性,金线焊接时要形成一定的弧度,不能直接跨过LED裸芯片的P极或者N极,否则容易遮挡LED射出光线,降低光通量,影响产品的光学性能。在透明陶瓷基板1的正面和反面分别设置由荧光材料形成的荧光层,由于透明陶瓷基板具有反向透光性,通过调节透明陶瓷基板1正面和反面的荧光材料配方,从而达到正反面均匀的立体发光LED灯丝。在所述线路层2的端部设有电极6,所述电极6用于与外接驱动电源相连接;在一种优选实施方式中,透明陶瓷基板1为长条形,电极6设置在长条形透明陶瓷基板1的两端。在所述线路层2设有电阻图形并通过溅射工艺在其上沉积ITO材料形成电阻5。由于ITO材料的电阻率远大于铜等金属,故可以在ITO薄膜层上直接设置电阻5。即在电路图形的电阻元件位置,根据电阻5的阻值控制在所述线路层2相对应的电阻图形以及在其上沉积相应量的ITO材料,从而实现设置不同阻值的电阻。根据其阻值的大小由电阻图形的大小以及所沉积ITO材料的厚度决定,可以根据ITO材料的电阻率计算得出。由于在ITO薄膜层上直接形成电阻5,大大提升了电阻元件的一致性和稳定性,同时不需要焊接电阻元件,大大提升LED灯丝的性能和使用寿命。在一种优选实施方式中,透明陶瓷基板1包括α-Al2O3陶瓷粉、碳化硅以及四方相氧化锆。α-Al2O3陶瓷粉主要用于增加绝缘层的导热率,其纯度大于等于99.9%且均匀分散在透明树脂混合剂中,α-Al2O3陶瓷粉的含量应当适量。当α-Al2O3陶瓷粉的含量较低时,无法满足LED灯丝的散热要求。当α-Al2O3陶瓷粉的含量较高时,导热率虽然会有较大程度的增加本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种透明陶瓷基板LED灯丝,其特征在于,包括透明陶瓷基板,该透明陶瓷基板上设置一层ITO薄膜层,在所述ITO薄膜层上通过刻蚀工艺形成线路层,以及在所述透明陶瓷基板上形成多个固晶区,多个正装LED裸芯片设置在所述固晶区内,所述多个正装LED裸芯片以金线键合的方式串接在所述线路层中;在所述透明陶瓷基板的正面和反面都设有荧光层;在所述线路层的端部设有电极,所述电极用于与外接驱动电源相连接;在所述线路层设有电阻图形并通过溅射工艺在其上沉积ITO材料形成电阻。
【技术特征摘要】
1.一种透明陶瓷基板LED灯丝,其特征在于,包括透明陶瓷基板,该透
明陶瓷基板上设置一层ITO薄膜层,在所述ITO薄膜层上通过刻蚀工艺形成
线路层,以及在所述透明陶瓷基板上形成多个固晶区,多个正装LED裸芯片
设置在所述固晶区内,所述多个正装LED裸芯片以金线键合的方式串接在所
述线路层中;在所述透明陶瓷基板的正面和反面都设有荧光层;在所述线路
层的端部设有电极,所述电极用于与外接驱动电源相连接;在所述线路层设
有电阻图形并通过溅射工艺在其上沉积ITO材料形成电阻。
2.如权利要求1所述的透明陶瓷基板LED灯丝,其特征在于,所述ITO
薄膜层通过溅射工艺形成在所述透明陶瓷基板上。
3.如权利要求1所述的透明陶瓷基板LED灯丝,其特征在于,所述ITO
薄膜层通过喷涂工艺形成在所述透明陶瓷基板上。
4.如权利要求1所述的透明陶瓷基板LED灯丝,其特征在于,根据所
述电阻的阻值控制在所述线路层的电阻图形上沉积相应量的ITO材料,从而
实现设置不同阻值的电阻。...
【专利技术属性】
技术研发人员:计志峰,
申请(专利权)人:嘉兴市上村电子有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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