一种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，具体步骤如下：烧结陶瓷片：将陶瓷粉通过模具成型后放入1000-1020℃的环境中进行烧结8-10min得到陶瓷片；覆铜：经过真空镀雾的方法将铜覆在陶瓷片的上表面，形成铜箔；蚀刻：用稀硫酸按照工艺流程图腐蚀掉无用的铜箔，留下有用的铜箔作为线路；沉金：将已蚀刻好线路的基板经过金药水使铜箔上沉积上金得到成品。本发明专利技术采用了无介质敷铜技术，保持了原铜材及陶瓷自身具有的优异导热性能，铜上再沉金，金的化学反应很稳定，有效解决了硫化问题，进而提高了产品的电性稳定性及光折射的长期维持率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED封装
，具体涉及一种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺。
技术介绍
发光二极管LED作为一种新型的发光器件，具有节能、环保、使用寿命长、启动速度快等诸多优点，可应用于电子通讯、电光板以及液晶显示器等众多领域。一般而言，LED发光晶片是以打金线、共晶或覆晶的方式连结于基板上而形成LED芯片，而后LED芯片固定于系统的电路板上。现有的LED基板主要有金属基板和陶瓷基板两种。金属基板连接LED发光晶片的技术存在着散热性差、绝缘性差等弊病。使用陶瓷基板散热性好，制作时需要先在陶瓷层上制作电极线路，方法主要有两种，一是电镀法，二是气相沉积法。电镀法首先是要对陶瓷进行金属化制作，制作过程中会产生大量有害污水，污染环境，而沉积膜层极薄，因此需多次分层电镀加厚，电镀过程中又再次产生大量的有害污水；且这种电镀沉积镀层膜还存在韧性差、与陶瓷的结合力差、电极点易脱落、镀层膜薄电流通过能力差等缺点，不能满足大功率电流通过要求。目前应用于LED产品的陶瓷基板，采用的是印刷银浆电路，银浆固有硫化弊端，硫化后表面发黑，直接影响光折射率；硫化后还会产品厌电效应，降低导电性能，内阻增大，导致产品电压升高，进而发热量加大，最终导致产品失效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种解决硫化、光折射维持率高的无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，具体步骤如下：(1)烧结陶瓷片：将陶瓷粉通过模具成型后放入1000-1020℃的环境中进行烧结8-10min得到陶瓷片；(2)覆铜：经过真空镀雾的方法将铜覆在陶瓷片的上表面，形成铜箔，铜箔上铜的重量为28.2-28.5g；(3)蚀刻：用稀硫酸按照工艺流程图腐蚀掉无用的铜箔，留下有用的铜箔作为线路；(4)沉金：将已蚀刻好线路的基板经过金药水使铜箔上沉积上金得到成品。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术采用了无介质敷铜技术，保持了原铜材及陶瓷自身具有的优异导热性能，铜上再沉金，金的化学反应很稳定，有效解决了硫化问题，进而提高了产品的电性稳定性及光折射的长期维持率。附图说明图1为本专利技术的工艺流程示意图。图中：1-陶瓷片；2-铜箔；3-蚀刻掉的铜箔；4-上金。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。实施例1请参阅图1，本专利技术实施例中，一种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，具体步骤如下：(1)烧结陶瓷片：将陶瓷粉通过模具成型后放入1000℃的环境中进行烧结8min得到陶瓷片；(2)覆铜：经过真空镀雾的方法将铜覆在陶瓷片的上表面，形成铜箔，铜箔上铜的重量为28.2g；(3)蚀刻：用稀硫酸按照工艺流程图腐蚀掉无用的铜箔，留下有用的铜箔作为线路；(4)沉金：将已蚀刻好线路的基板经过金药水使铜箔上沉积上金得到成品。实施例2一种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，具体步骤如下：(1)烧结陶瓷片：将陶瓷粉通过模具成型后放入1010℃的环境中进行烧结9min得到陶瓷片；(2)覆铜：经过真空镀雾的方法将铜覆在陶瓷片的上表面，形成铜箔，铜箔上铜的重量为28.35g；(3)蚀刻：用稀硫酸按照工艺流程图腐蚀掉无用的铜箔，留下有用的铜箔作为线路；(4)沉金：将已蚀刻好线路的基板经过金药水使铜箔上沉积上金得到成品。实施例3请参阅图1，本专利技术实施例中，一种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，具体步骤如下：(1)烧结陶瓷片：将陶瓷粉通过模具成型后放入1020℃的环境中进行烧结10min得到陶瓷片；(2)覆铜：经过真空镀雾的方法将铜覆在陶瓷片的上表面，形成铜箔，铜箔上铜的重量为28.5g；(3)蚀刻：用稀硫酸按照工艺流程图腐蚀掉无用的铜箔，留下有用的铜箔作为线路；(4)沉金：将已蚀刻好线路的基板经过金药水使铜箔上沉积上金得到成品。本专利技术采用了无介质敷铜技术，保持了原铜材及陶瓷自身具有的优异导热性能，铜上再沉金，金的化学反应很稳定，有效解决了硫化问题，进而提高了产品的电性稳定性及光折射的长期维持率。上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下作出各种变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，其特征在于，具体步骤如下：(1)烧结陶瓷片：将陶瓷粉通过模具成型后放入1000‑1020℃的环境中进行烧结8‑10min得到陶瓷片；(2)覆铜：经过真空镀雾的方法将铜覆在陶瓷片的上表面，形成铜箔，铜箔上铜的重量为28.2‑28.5g；(3)蚀刻：用稀硫酸按照工艺流程图腐蚀掉无用的铜箔，留下有用的铜箔作为线路；(4)沉金：将已蚀刻好线路的基板经过金药水使铜箔上沉积上金得到成品。

【技术特征摘要】
1.一种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，其特征在于，具体步骤
如下：
(1)烧结陶瓷片：将陶瓷粉通过模具成型后放入1000-1020℃的环境中进行烧结
8-10min得到陶瓷片；
(2)覆铜：经过真空镀雾的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭垣成，
申请(专利权)人：郭垣成，
类型：发明
国别省市：四川;51