恒流高压LED驱动芯片电路及其驱动方法技术

一种恒流高压LED驱动芯片电路及其驱动方法，涉及LED驱动芯片，包括IC集成电路模块、EMC模块，作为本发明专利技术的技术改进：还包保护模块、括整流模块和电流调节模块；所述的电路为温度保护模块、恒流保护模块、整流模块、EMC模块及IC集成电路模块依次联接，IC集成电路模块与电流调节模块双向联接，整流模块和IC集成电路模块分别输入联接LED光源。本发明专利技术的有益效果是：结构简单，具有过温、过压等的保护功能，提高产品的可靠性，无需变压器和电解电容。

【技术实现步骤摘要】

：本专利技术涉及LED驱动芯片，具体涉及一种恒流高压LED驱动芯片电路及其驱动方法。
技术介绍
：由于LED是特性敏感的半导体器件，又具有负温度特性，因而在应用过程中需要对其进行稳定工作状态和保护，从而产生了驱动的概念。LED运行时，容易存在如下问题：一是驱动电流会超出最大额定值，影响其可靠性；二是不能获得预期的亮度要求，并保证各个LED亮度、色度的一致性；三是运行温度过高影响LED寿命。
技术实现思路
：本专利技术的目的是为了克服上述现有技术存在的不足之处，而提供一种系统结构简单，具有过温、过压等的保护功能，提高产品的可靠性，无需变压器和电解电容的恒流高压LED驱动芯片电路及其驱动方法。本专利技术专利技术采用的技术方案为：恒流高压LED驱动芯片电路，包括IC集成电路模块、EMC模块，作为本专利技术的技术改进：还包温度保护模块、括整流模块和电流调节模块；所述的电路为温度保护模块、恒流保护模块、整流模块、EMC模块及IC集成电路模块依次联接，IC集成电路模块与电流调节模块双向联接，整流模块和IC集成电路模块分别输入联接LED光源。作为本专利技术的进一步改进，恒流保护模块为750V高压恒流，设有MOS管。作为本专利技术的进一步改进，电流调整模块由外置电阻构成，外置电阻分为RD电阻和RCS电阻两个模块。作为本专利技术的进一步改进，IC集成电路模块设有高功率因数电路和低谐波失真电路。作为本专利技术的进一步改进，温度保护模块由RTH端外接温度调节电阻构成。作为本专利技术的进一步改进，根据输入电压变化而分段点亮不同的LED串数，包括内部供电机制、外部电阻电流设置、过温（压）保护机制和输入功率恒定补偿机制。内部供电机制为D1通过内部的恒流保护模块给IC集成电路模块供电，当D1的电压超过10V之后驱动芯片开始工作。作为本专利技术的进一步改进，外部电阻电流设置为LED分段导通时，每段输出电流计算公式如下：RcsIVrefNLEDn=其中，N=1,2,3,4。分别为各段的基准。作为本专利技术的进一步改进，过温（压）保护机制为在IC集成电路模块过热时逐渐减小输出电流；过温（压）保护机制具体为通过RTH引脚接外部电阻调整，RTH电压为1.0V；当电阻值减小时，过热调节温度点降低。作为本专利技术的进一步改进，当LED完全点亮时，输入功率恒定补偿机制开始工作，随着输入AC电压继续升高，IC集成电路模块根据D4端的电压高低来改变LED串电流，改变的幅度通过RD电阻调节；公式如下：4*40.91.6DDREFVR本专利技术的有益效果是：通过恒流控制技术，实现恒流精度小于±5%，输出电流可由外接电阻RCS调节，实现了输出电流随温度自动调节的功能；当温度过高系统将降低输出电流，以达到降低温度的效果；输入功率自动调节功能，当输入电压过高时，将降低输出电流，电流降低的幅度通过外置电阻RD设置，以此保证输入功率不随输入电压变化。片间电流偏差＜±5%，效率：＞90%，功率因数＞0.95，THD:＜20%。结构简单，具有过温、过压等的保护功能，提高产品的可靠性，无需变压器和电解电容。附图说明：图1为本专利技术恒流高压LED驱动芯片电路及其驱动方法电路结构示意图；图2为本发名恒流高压LED驱动芯片电路及其驱动方法电路图。其中图2的引脚注释如下表：引脚序号引脚名称说明1D4恒流输出端口42D3恒流输出端口33D2恒流输出端口24D1恒流输出端口15CS输出电流值设置端6RTH温度自动调节功能设置端7GND芯片地8VD功率自动调节功能设置端具体实施方式：恒流高压LED驱动芯片电路，包括IC集成电路模块、EMC模块、抗浪涌雷击模块，所述的还包保护模块、括整流模块和电流调节模块；所述的电路为温度保护模块、恒流保护模块、整流模块、EMC模块及IC集成电路模块依次联接，IC集成电路模块与电流调节模块双向联接，整流模块和IC集成电路模块分别输入联接LED光源。所述的恒流保护模块为750V高压恒流，设有MOS管。所述的电流调整模块由外置电阻构成，外置电阻分为RD电阻和RCS电阻两个模块。所述的IC集成电路模块设有高功率因数电路和低谐波失真电路。所述的温度保护模块由RTH端外接温度调节电阻构成。所述的根据输入电压变化而分段点亮不同的LED串数，包括内部供电机制、外部电阻电流设置、过温（压）保护机制和输入功率恒定补偿机制。所述的内部供电机制为D1通过内部的恒流保护模块给IC集成电路模块供电，当D1的电压超过10V之后驱动芯片开始工作。所述的外部电阻电流设置为LED分段导通时，每段输出电流计算公式如下：RcsIVrefNLEDn=其中，N=1,2,3,4。分别为各段的基准。所述的过温（压）保护机制为在IC集成电路模块过热时逐渐减小输出电流；过温（压）保护机制具体为通过RTH引脚接外部电阻调整，RTH电压为1.0V；当电阻值减小时，过热调节温度点降低。当LED完全点亮时，所述的输入功率恒定补偿机制开始工作，随着输入AC电压继续升高，IC集成电路模块根据D4端的电压高低来改变LED串电流，改变的幅度通过RD电阻调节；公式如下：4*40.91.6DDREFVR驱动芯片参数如下：特性参数符号范围750V芯片高压接口D1，D2750V550V芯片高压接口D3，D4550V芯片低压接口CS,RTH,RD-0.3~6V功耗(注2)PDMAX1.2WPN结到环境的热阻θJA60℃/W工作温度TJ-40℃～+150℃存储温度TSTG-55℃～+150℃ESD耐压（人体模式）VESD＞2000V注1：极限参数值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。注2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由TJMAX,θJA,和环境温度TA所决定的。最大允许功耗为PDMAX=(TJMAX-TA)/θJA或是极限范围给出的数字中比较低的值。本专利技术的有益效果是：通本文档来自技高网...

【技术保护点】
恒流高压LED驱动芯片电路，包括IC集成电路模块、EMC模块，其特征在于：还包括恒流保护模块、整流模块和电流调节模块；所述的电路为温度保护模块、恒流保护模块、整流模块、EMC模块及IC集成电路模块依次联接，IC集成电路模块与电流调节模块双向联接，整流模块和IC集成电路模块分别输入联接LED光源。

【技术特征摘要】
1.恒流高压LED驱动芯片电路，包括IC集成电路模块、EMC模块，其特征在于：还包括恒
流保护模块、整流模块和电流调节模块；所述的电路为温度保护模块、恒流保护模块、整流
模块、EMC模块及IC集成电路模块依次联接，IC集成电路模块与电流调节模块双向联接，整
流模块和IC集成电路模块分别输入联接LED光源。
2.如权利要求1所述的恒流高压LED驱动芯片电路，其特征在于：恒流保护模块为750V
高压恒流，设有MOS管。
3.如权利要求1所述的恒流高压LED驱动芯片电路，其特征在于：电流调整模块由外置
电阻构成，外置电阻分为RD电阻和RCS电阻两个模块。
4.如权利要求1所述的恒流高压LED驱动芯片电路，其特征在于：IC集成电路模块设有
高功率因数电路和低谐波失真电路。
5.如权利要求1所述的恒流高压LED驱动芯片电路，其特征在于：温度保护模块由RTH端
外接温度调节电阻构成。
6.恒流高压LED驱动芯片电路的驱动方法，其特征在于：根据输入电压变化而分段点亮
不同的LED串数，包括内部供电机制、外部电阻电流设置、过温（压）保护机制和输入功率恒
定补偿机制。
7.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昭城，
申请(专利权)人：深圳市益顺电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44