【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种掩模板,具体涉及一种校正曝光图形的掩模板,属于半导体
技术介绍
光刻是利用光刻胶的感光性及抗蚀性,形成与掩模板图形一致或者相补的感光区域。光刻技术是高精度微几何形状图形化最有效的手段之一,它可以大规模复制微细胞图形进行生产,是半导体技术图形化转移常用的技术手段。目前,光刻可在小面积或极限曝光面积下进行,其具体光路如图1、图2所示,镜头1通过光路2照射在掩膜板3上。实际生产中采用的掩模板如图3所示,该掩膜板包括掩膜板本体4,掩膜板本体4上的中心图案6为圆形,边缘图案7也为圆形,即掩膜板上所有图案均为圆形。步进式曝光机的曝光面积为5mm*5mm,极限曝光面积为20mm*20mm。生产中采用的光刻工艺流程具体为:首先在衬底上根据预定的制程进行涂胶作业,将涂胶合格的衬底放置在步进式曝光机中,选择5mm*5mm的掩模板进行曝光作业,然后将曝光后的片子进行显影,检查显影后发现最后得到的光刻胶图案与曝光掩模板图案一致,即当曝光面积为5mm*5mm时,采用图3所示掩膜板得到光刻胶图案也都为图3中一致的圆形。但采用结构如图3所示的掩模板在极限曝光面积20mm*20mm下进行光刻时,检查显影后曝光图案如图4所示,该实际曝光图案中靠近边缘区域图案慢慢不再是圆形而是接近椭圆形,即与图3中掩模板图案相比,其在边缘区域部分的曝光图案由圆形边缘图案5变为椭圆形边缘失真图案7,所以边缘区域转移失真情况严重。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题,本技术提供一种校正曝光图形的掩模板,提高极限曝光面积下图案转移的精确度。为了实现上述目的,本技术采用的一种校正曝光图形 ...
【技术保护点】
一种校正曝光图形的掩模板,其特征在于,包括掩膜板本体(4),所述掩膜板本体(4)上设有中心图案(6)和边缘校正图案(8),所述边缘校正图案(8)与边缘失真图案(7)垂直;所述边缘校正图案(8)为椭圆形,椭圆形的边缘校正图案(8)的椭圆两轴相对于圆直径,修正0‑5%;所述中心图案(6)为圆形,从圆形中心图案(6)渐变为椭圆形的边缘校正图案(8)。
【技术特征摘要】
1.一种校正曝光图形的掩模板,其特征在于,包括掩膜板本体(4),所述掩膜板本体(4)上设有中心图案(6)和边缘校正图案(8),所述边缘校正图案(8)与边缘失真图案(7)垂直;...
【专利技术属性】
技术研发人员:涂亮亮,刘亚坤,林建男,魏明德,
申请(专利权)人:徐州同鑫光电科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。