薄型化保护元件制造技术

本实用新型专利技术的薄型化保护元件，在一绝缘基板上设有至少两个供与外部电路电气连接的电极，另有一可供于预先设定温度下熔断的熔断结构电气连接于该至少两个电极之间，以及设有一至少将该熔断结构遮蔽的屏蔽结构，其屏蔽结构由绝缘热塑性材料透过成膜加工技术直接覆设于熔断结构表面，可配合烧熔的熔断结构的隆起而对应变型，且不致被隆起的熔断结构撑毁，藉以有效缩减整体保护元件的体积，有助于所应用的产品朝向薄型化方向发展。

【技术实现步骤摘要】

本技术有关一种过电流/过电压保护元件，特别是指一种可以有效缩减体积，有助于所应用的产品朝向薄型化方向发展的薄型化保护元件。
技术介绍
众所周知，一般电流/过电压保护元件(以下统称保护元件)，主要用以保护电路中的电路或电器设施，防止其受到瞬间超额的电流或过高的电压而对精密电子设备造成损坏。当瞬间电流超过预定的电流额值时，保护元件当中以合金材料所完成熔断结构因瞬间过大的电流所产生的热量而被高温烧熔，进而形成断路，使过大的电流不再流入电路中，以保护电路及电器设备免于损坏。如图1所示，已知一种习用保护元件具有在一绝缘基板11上的两个电极部12，另于该两个电极部12之间连接一由低熔点的合金材料所完成的熔断结构13，且于该绝缘基板11上罩设一至少将该熔断结构遮蔽的屏蔽结构14，防止熔断结构氧化以及避免周边的电子元件或电路遭烧熔的金属损毁。一般熔断结构13因为高温而烧熔的部分会因为内聚现象而呈如图中所示的隆凸状；再者，习用保护元件使用屏蔽结构14多由相对较具刚性的材料制成，且透过组装或黏着的方式固定于该绝缘基板11上，其为避免遭熔断结构13烧熔的部位撑毁，而必须在其与熔断结构13之间形成一腔室空间。如此不但无法有效缩减保护元件的体积，且亦相对较不利于所应用的产品朝薄型化方向发展；尤其，整个保护元件于实际生产时，同时必须囊括屏蔽结构14的成型及组装的工时、工序成本，甚至因为屏蔽结构14组装不良而影响保护元件的良率。
技术实现思路
有鉴于此，本技术所解决的技术问题即在提供一种可以有效缩减体积，有助于所应用的产品朝向薄型化方向发展的薄型化保护元件。本技术所采用的技术手段如下所述。本技术的薄型化保护元件，在一绝缘基板上设有至少两个供与外部电路电气连接的电极，另有一可供于预先设定温度下熔断的熔断结构电气连接于该至少两个电极之间，以及设有一至少将该熔断结构遮蔽的屏蔽结构；其特征在于：该屏蔽结构由绝缘热塑性材料透过成膜加工技术直接覆设于该熔断结构表面。利用上述结构特征，本技术的薄型化保护元件在瞬间电流超过预定的电流额值，而使熔断结构被高温烧熔的情况下，其屏蔽结构可配合烧熔的熔断结构的隆起而对应变型，且同时接受高温作用而产生极佳的延展性，不致被隆起的熔断结构撑毁，藉以可以有效缩减整体保护元件的体积，有助于所应用的产品朝向薄型化方向发展。依据上述技术特征，所述该熔断结构以合金型态呈现。依据上述技术特征，所述该熔断结构由至少两种不同熔点的金属层所叠置构成。依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层及一低熔点金属层。依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层及一高熔点金属层。依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层、一高熔点金属层及一高熔点金属层。依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为30：1~120：1；该铜金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于3~240um。依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为60：1；该铜金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为90um。依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为50：1~160：1；该镍金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于5~320um。依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为90：1；该镍金属层的厚度为1um；该锡金属层的厚度为90um。依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为25：1~110：1；该银金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于2.5~220um。依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为50：1；该银金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为75um。依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层、该铜金属层及该银金属层的体积比为60：1：1~240：1：1；该铜金属层加上该银金属层的厚度介于0.2~4um；该锡金属层的厚度介于6~480um。依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层、该铜金属层及该银金属层的体积比为120：1：1；该铜金属层加上该银金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为90um。依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层、该镍金属层及该铜金属层的体积比为100：0.5：1~320：0.5：1；该镍金属层加上该铜金属层的厚度介于0.15~3um；该锡金属层的厚度介于10~640um。依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层、该镍金属层及该铜金属层的体积比为200：0.5：1；该镍金属层加上该铜金属层的厚度为0.6um；该锡金属层的厚度为80um。依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由银构成的银金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层、该银金属层及该镍金属层的体积比为50：1：0.5~220：1：0.5；该银金属层加上该镍金属层的厚度介于0.15~3um；该锡金属层的厚度介于5~440um。依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由银构成的银金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层、该银金属层及该镍金属层的体积比为150：1：0.5；该银金属层加上该镍金属层的厚度为0.6um；该锡金属层的厚度为80um。依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铬构成的铬金属层；该锡金属层、该铜金属层、该镍金属层及该铬金属层的体积比为80：1：0.5：0.125~300：1：0.5：0.125；该铜金属层加上该镍金属层加上该铬金属层的厚度介于0.1625~3.25um；该锡金属层的厚度介于8~本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄型化保护元件，在一绝缘基板上设有至少两个供与外部电路电气连接的电极，另有一可供于预先设定温度下熔断的熔断结构电气连接于该至少两个电极之间，以及设有一至少将该熔断结构遮蔽的屏蔽结构；其特征在于：该屏蔽结构由绝缘热塑性材料透过成膜加工技术直接覆设于该熔断结构表面。

【技术特征摘要】
1.一种薄型化保护元件，在一绝缘基板上设有至少两个供与外部电路电气连接的电极，另有一可供于预先设定温度下熔断的熔断结构电气连接于该至少两个电极之间，以及设有一至少将该熔断结构遮蔽的屏蔽结构；其特征在于：该屏蔽结构由绝缘热塑性材料透过成膜加工技术直接覆设于该熔断结构表面。2.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构以合金型态呈现。3.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由至少两种不同熔点的金属层所叠置构成。4.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层及一低熔点金属层。5.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层及一高熔点金属层。6.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。7.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。8.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。9.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一高熔点金属层。10.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层、一高熔点金属层及一高熔点金属层。11.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。12.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。13.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为30：1~120：1；该铜金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于3~240um。14.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为60：1；该铜金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为90um。15.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为50：1~160：1；该镍金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于5~320um。16.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为90：1；该镍金属层的厚度为1um；该锡金属层的厚度为90um。17.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为25：1~110：1；该银金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于2.5~220um。18.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为50：1；该银金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为75um。19.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层、该铜金属层及该银金属层的体积比为60：1：1~240：1：1；该铜金属层加上该银金属层的厚度介于0.2~4um；该锡金属层的厚度介于6~480um。20.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层、该铜金属层及该银金属层的体积比为120：1：1...

【专利技术属性】
技术研发人员：何昌纬，王海峰，陈忆，
申请(专利权)人：东莞华恒电子有限公司，何昌纬，
类型：新型
国别省市：广东;44