本发明专利技术提供一种具有优异的图案截面形状及优异的CD均一性且用于形成有微细图案的显示装置用相移掩膜的形成的相移掩膜半成品。设置在透明基板上的由铬类材料组成的相移膜具有:相移层;反射率降低层;金属层,其设置在相移层与反射率降低层之间,在350nm~436nm的波长区域内具有比反射率降低层的消光系数更高的消光系数;相移膜对于曝光光的透过率和相位差满足作为相移膜所必需的规定的光学特性,并且相移膜的膜表面反射率在350nm~436nm的波长区域内为10%以下。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及相移掩膜半成品、使用该相移掩膜半成品的相移掩膜的制造方法、以及显示装置的制造方法。
技术介绍
近年来,随着FPD(FlatPanelDisplay)等显示装置的高分辨率化、高精细化,要求具有优异的图案截面形状及优异的CD均一性且形成有微细图案的显示装置用相移掩膜。另外,受到FPD等显示装置的低价化的影响,有必要削减相移掩膜的制造成本。在相移膜上形成有遮光性膜的以往的相移掩膜半成品的情况下,将光刻胶膜图案作为掩膜而对遮光性膜进行蚀刻,从而形成遮光性膜图案,之后,将遮光性膜图案作为掩膜对相移膜进行蚀刻,从而形成相移膜图案,之后,将光胶刻膜图案剥离,进而,将遮光性膜图案剥离,制造出具有相移膜图案的相移掩膜。另一方面,在相移膜上未形成有遮光性膜的相移掩膜半成品的情况下,不需要相移膜上的遮光性膜图案的形成工序及剥离工序,所以能够削减制造成本。与这样的近年来的状况相对应地,要求一种使用在相移膜上未形成有遮光性膜的相移掩膜半成品所制造的、具有优异的图案截面形状及优异的CD均一性并且形成有微细图案的显示装置用相移掩膜。例如,在专利文献1中,提出了一种在透明基板上具备2层以上的薄膜所层叠的结构的相移膜的显示装置用相移掩膜半成品。构成该相移膜的各薄膜具有互不相同的组成,但由能够使用相同蚀刻剂来一同蚀刻的物质组成,并且,由于组成不同而具有不同的蚀刻速度。在专利文献1中,对构成相移膜的各薄膜的蚀刻速度进行调整,以使相移膜图案的边缘部分的截面斜坡在相移膜的图案化过程中陡峭地形成。此外,在专利文献1中,还提出了一种在相移膜的上部或下部配置有功能性膜的显示装置用相移掩膜半成品,该功能性膜包含以遮光性膜、半透射膜、蚀刻停止膜、硬掩膜为代表的转印用图案所需要的膜中的一个以上的膜。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2014-26281号公报
技术实现思路
设计用于以往所提出的显示装置用相移掩膜的相移膜时,并没有考虑到在用于形成相移膜图案的光刻胶膜的图案化过程中使用的激光描绘光的反射引起的对光刻胶膜的影响。因此,相移膜对于激光描绘光的膜表面反射率超过20%。其结果是,在光刻胶膜中产生驻波,光刻胶膜图案的CD均一性恶化,进而存在将光刻胶膜作为掩膜而进行图案化所形成的相移膜图案的CD均一性不能满足近年来所要求的数值的情况。因此,本专利技术是鉴于上述的问题而做出的,其目的在于,提供具备使对于作为激光描绘光被使用的350nm~436nm的波长区域的光的膜表面反射率降低的相移膜,从而具有优异的图案截面形状及优异的CD均一性,且用于形成有微细图案的显示装置用相移掩膜的形成的相移掩膜半成品、以及使用该相移掩膜半成品的相移掩膜的制造方法。进一步地,其目的在于,通过使用具有优异的图案截面形状及优异的CD均一性,且形成有微细图案的显示装置用相移掩膜,提供高分辨率、高精细的显示装置的制造方法。本专利技术人为了实现上述的目的进行了深刻探讨,通过以至少三层构成相移膜,并对构成相移膜的各层的组成及膜厚进行研究,直至认识得到了相移膜对曝光光的透过率和相位差满足作为相移膜所必需的规定的光学特性并且使相移膜对350nm~436nm的波长区域的光的膜表面反射率降低是有可能的。本专利技术是基于上述认识而做出的,具有以下的构成。(构成1)一种相移掩膜半成品,其在透明基板上具备由铬类材料形成的相移膜,该相移掩膜半成品的特征在于:所述相移掩膜具有:相移层,其具有主要调整对曝光光的透过率和相位差的功能;反射率降低层,其配置在该相移层的上侧,具有使对从所述相移膜侧入射的光的反射率降低的功能;金属层,其配置在所述相移层与所述反射率降低层之间,在350nm~436nm的波长区域内具有比所述反射率降低层的消光系数更高的消光系数;通过所述相移层、所述金属层及所述反射率降低层的层叠构造,所述相移膜对曝光光的透过率和相位差具有规定的光学特性,并且所述相移膜对从所述相移膜侧入射的光的膜表面反射率在350nm~436nm的波长区域内为10%以下。(构成2)一种相移掩膜半成品,其在透明基板上具备由铬类材料形成的相移膜,该相移掩膜半成品的特征在于:所述相移掩膜具有:相移层,其具有主要调整对曝光光的透过率和相位差的功能;反射率降低层,其配置在该相移层的上侧,具有使对从所述相移膜侧入射的光的反射率降低的功能;金属层,其配置在所述相移层与所述反射率降低层之间,具有比所述反射率降低层的含铬率更高的含铬率;通过所述相移层、所述金属层及所述反射率降低层的层叠构造,所述相移膜对曝光光的透过率和相位差具有规定的光学特性,并且所述相移膜对从所述相移膜侧入射的光的膜表面反射率在350nm~436nm的波长区域内为10%以下。(构成3)如构成1或2所述的相移掩膜半成品,其特征在于,所述相移膜的膜表面反射率的变动幅度在350nm~436nm的波长区域内为5%以下。(构成4)如构成1或2所述的相移掩膜半成品,其特征在于,所述相移膜的膜表面反射率在313nm~436nm的波长区域内为13%以下。(构成5)如构成4所述的相移掩膜半成品,其特征在于,所述相移膜的膜表面反射率的变动幅度在313nm~436nm的波长区域内为10%以下。(构成6)如构成1~5中任一项所述的相移掩膜半成品,其特征在于,在所述透明基板与所述相移膜之间具备遮光性膜图案。(构成7)一种相移掩膜的制造方法,具有如下的工序:在构成1~6中任一项所述的相移掩膜半成品的所述相移膜上,通过使用具有从350nm~436nm的波长区域中选择的任意波长的激光的描绘处理及显影处理,形成光刻胶膜图案;将该光刻胶膜图案作为掩膜而对所述相移膜进行蚀刻,从而在所述透明基板上形成相移膜图案。(构成8)一种显示装置的制造方法,具有如下的工序:将采用构成7所述的制造方法所制造的相移掩膜载置在曝光装置的掩膜台上;将曝光光照射到所述相移掩膜上,向形成于显示装置基板上的光刻胶膜转印所述相移膜图案。(构成9)如构成8所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述曝光光为包含从313nm~436nm的波长区域中选择的多个波长的光的复合光。如上所述,根据本专利技术的相移掩膜半成品,设置在透明基板上的由铬类材料组成的相移膜具有:相移层;反射率降低层;金属层,其设置在相移层与反射率降低层之间,在350nm~436nm的波长区域内具有比反射率降低层的消光系数更高的消光系数;相移膜对曝光光的透过率和相位差满足作为相移膜所必需的规定的光学特性,并且相移膜的膜表面反射率在350nm~436nm的波长区域内为10%以下。因此,能够使用该相移掩膜半成品来制造具有优异的图案截面形状及优异的CD均一性,且形成有微细图案的相移掩膜。另外,能够使用该相移掩膜来制造高分辨率、高精细的显示装置。另外,根据本专利技术的其他的相移掩膜半成品,设置在透明基板上的由铬类材料组成的相移膜具有:相移层;反射率降低层;金属层,其设置在相移层与反射率降低层之间,具有比反射率降低层的含铬率更高的含铬率;相移膜对曝光光的透过率和相位差满足作为相移膜所必需的规定的光学特性,并且相移膜的膜表面反射率在350nm~436nm的波长区域内为10%以下。因此,能够使用该相移掩膜半成品来制造具有优异的图案截面形状及优本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种相移掩膜半成品,其在透明基板上具备由铬类材料形成的相移膜,该相移掩膜半成品的特征在于:所述相移掩膜具有:相移层,其具有主要调整对曝光光的透过率和相位差的功能;反射率降低层,其配置在该相移层的上侧,具有使对从所述相移膜侧入射的光的反射率降低的功能;金属层,其配置在所述相移层与所述反射率降低层之间,在350nm~436nm的波长区域内具有比所述反射率降低层的消光系数更高的消光系数;通过所述相移层、所述金属层及所述反射率降低层的层叠构造,所述相移膜对曝光光的透过率和相位差具有规定的光学特性,并且所述相移膜对从所述相移膜侧入射的光的膜表面反射率在350nm~436nm的波长区域内为10%以下。
【技术特征摘要】
2015.07.17 JP 2015-1429271.一种相移掩膜半成品,其在透明基板上具备由铬类材料形成的相移膜,该相移掩膜半成品的特征在于:所述相移掩膜具有:相移层,其具有主要调整对曝光光的透过率和相位差的功能;反射率降低层,其配置在该相移层的上侧,具有使对从所述相移膜侧入射的光的反射率降低的功能;金属层,其配置在所述相移层与所述反射率降低层之间,在350nm~436nm的波长区域内具有比所述反射率降低层的消光系数更高的消光系数;通过所述相移层、所述金属层及所述反射率降低层的层叠构造,所述相移膜对曝光光的透过率和相位差具有规定的光学特性,并且所述相移膜对从所述相移膜侧入射的光的膜表面反射率在350nm~436nm的波长区域内为10%以下。2.一种相移掩膜半成品,其在透明基板上具备由铬类材料形成的相移膜,该相移掩膜半成品的特征在于:所述相移掩膜具有:相移层,其具有主要调整对曝光光的透过率和相位差的功能;反射率降低层,其配置在该相移层的上侧,具有使对从所述相移膜侧入射的光的反射率降低的功能;金属层,其配置在所述相移层与所述反射率降低层之间,具有比所述反射率降低层的含铬率更高的含铬率;通过所述相移层、所述金属层及所述反射率降低层的层叠构造,所述相移膜对曝光光的透过率和相位差具有规定的光学特性,并且所述相移膜对从所述相移膜侧入射的光的膜表面反射率在...
【专利技术属性】
技术研发人员:谷口和丈,坪井诚治,牛田正男,
申请(专利权)人:HOYA株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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