光源模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种光源模块，包含基板、第一发光二极管芯片及波长转换层。第一发光二极管芯片定位于基板上，并具有以900纳米至1000纳米波长的放射；波长转换层定位于第一发光二极管芯片上方，并与第一发光二极管芯片的放射发生波长转换并产生小于900纳米波长的放射。

【技术实现步骤摘要】

本技术是关于半导体元件，且特别是有关于以发光二极管作为光源的光源模块。
技术介绍
车牌辨识系统是一种在影像处理领域中常见的影像辨识技术。为了提高辨识效果，车牌辨识系统中用以撷取车牌影像所需的发光模块及收光模块多会依据车牌颜色调整其适用波段。然而，当车牌辨识系统的适用波段落在红光频谱，且此车牌辨识系统应用于一般道路时，车牌辨识系统发出的红光可能导致用路人将车牌辨识用红光误认为交通号志中的红色灯号，进而影响道路安全。
技术实现思路
依据本技术提供一种光源模块，其包含基板、第一发光二极管芯片及波长转换层。第一发光二极管芯片定位于基板上，并具有以900纳米至1000纳米波长的放射；波长转换层定位于发光二极管芯片上方，波长转换层与第一发光二极管芯片的部分放射发生波长转换并产生小于900纳米波长的放射。在本技术的一实施方式中，波长转换层可呈圆弧状地定位于第一发光二极管芯片上方，且波长转换层与第一发光二极管芯片的部分放射发生波长转换并可产生可见光。在本技术的另一实施方式中，光源模块还可包含透光胶体层，其可呈圆弧状地包覆第一发光二极管芯片及波长转换层。在本技术的又一实施方式中，光源模块还可以包含第二发光二极管芯片，其定位于基板上并与第一发光二极管芯片形成串联连接，且波长转换层可同时包覆第二发光二极管芯片。第二发光二极管芯片可具有以660纳米至900纳米波长的放射。根据本技术另提供一种光源模块，其包含基板、多个第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片及波长转换层。第一发光二极管芯片定位于基板上，第一发光二极管芯片具有以900纳米至1000纳米波长的放射。第二发光二极管芯片定位于基板上，并具有以660纳米至900纳米波长的放射；波长转换层包覆第一发光二极管芯片及第二发光二极管芯片，波长转换层与第一发光二极管芯片的部分放射发生波长转换并产生小于900纳米波长的放射，第一发光二极管芯片以等间隔地环绕在第二发光二极管芯片周围。在本技术的一实施方式中，第一发光二极管芯片可并联连接，且第二发光二极管可与并联连接的第一发光二极管芯片形成串联连接。再者，波长转换层与第一发光二极管芯片的部分放射发生波长转换并可产生可见光。在本技术的另一实施方式中，光源模块还可还包含电路层及多个导线，电路层设于基板上，导线跨接于电路层、第一发光二极管芯片及第二发光二极管芯片之间，以使等第一发光二极管芯片及第二发光二极管芯片形成电性连接。更具体言之，第一发光二极管芯片可为垂直结构式芯片，第二发光二极管芯片可为水平结构式芯片；第一发光二极管芯片定位于电路层中的正电极，且第一发光二极管芯片的下电极与正电极形成物理及电性连接；导线除了跨接于第一发光二极管芯片的上电极和第二发光二极管芯片的第一电极间，还跨接于第二发光二极管芯片的至少第二电极和电路层中的负电极间。附图说明图1绘示依照本技术第一实施方式的光源模块的俯视图；图2绘示依照本技术第一实施方式的光源模块的侧视图；图3绘示依照本技术第一实施方式的光源模块的电路图；及图4绘示依照本技术第二实施方式的光源模块的侧视图。其中，附图标记：1、3光源模块10、30基板11a正电极11b负电极12、32第一发光二极管芯片120上电极122下电极14第二发光二极管芯片140第一电极142第二电极16、36波长转换层160、360萤光粉18、19导线31电路层320电极38透光胶体层具体实施方式请参阅图1及图2，其等分别绘示依照本技术第一实施方式的光源模块的俯视图及侧视图。在图1中，光源模块1包含基板10、至少一第一发光二极管芯片12、第二发光二极管芯片14，以及波长转换层16；其中，第一发光二极管芯片12的数量可以为一个或多个，且在本实施方式中，第二发光二极管芯片12以两个为例。第一发光二极管芯片12及第二发光二极管芯片14分别定位于基板10上，并透过基板10截取操作所需电力；波长转换层16至少包覆第一发光二极管芯片12，并用以与第一发光二极管芯片12的部分放射发生波长转换并产生波长转换的放射，波长转换的放射的波长小于第一发光二极管芯片12的放射的波长。在图1及图2中，基板10呈平板状，其可以使用高分子材料、陶瓷或其他绝缘材料制成；当然，基板10也可以是外层包覆有绝缘层的金属材料制成，藉以达到提高光源模块1散热的效果。基板10的表面贴设有由正电极11a及负电极11b构成的电路层。第一发光二极管芯片12具有以900纳米至1000纳米波长的放射；换言之，第一发光二极管芯片12供产生红外光线。第一发光二极管芯片12定位于基板10上，并与基板10上的电路层形成电性连接。在图1中，第一发光二极管芯片12为垂直结构式芯片；也就是说，第一发光二极管芯片12的电极(即上电极120及下电极122)是排列在其半导体层的相对两侧。在进行固晶时，第一发光二极管芯片12的下电极122可直接地设于正电极11a上，再利用焊锡以使第一发光二极管芯片12与下电极122形成电性连接。第二发光二极管芯片14具有以660纳米至730纳米波长的放射；换言之，第二发光二极管芯片14供产生红光光线。第二发光二极管芯片14定位于基板10上，并与基板10上的电路层及第一发光二极管芯片12形成电性连接。在图1中，第二发光二极管芯片14为水平结构式芯片；也就是说，第二发光二极管芯片14的电极(即第一电极140及第二电极142)都是排列在其半导体层的上表面；其中，第一电极140为正端，第二电极142为负端。在进行固晶时，第二发光二极管芯片14非设有第一电极140及第二电极142的下表面直接贴附于基板10；之后，再利用打线制程以使电路层、第一发光二极管芯片12及第二发光二极管芯片14形成电性连接(详见后述)。在图1中，光源模块1以包含两个第一发光二极管芯片12及一个第二发光二极管芯片14为例；其中，每个第一发光二极管芯片12的发光功率可经设计使小于第二发光二极管芯片14的功率，且第一发光二极管芯片12的发光功率的总和大致相同于第二发光二极管芯片14的发光功率。第二发光二极管芯片14定位在基板10的中心，第一发光二极管芯片12排列在第二发光二极管芯片14的相对两侧；藉此，可以有效地提高混光均匀度。要特别说明的是，当第一发光二极管芯片12的数量大于两个时，第一发光二极管芯片12会以第二发光二极管芯片14为圆心呈等角度地排列在第二发光二极管芯片12周边，即第一发光二极管芯片12会围绕第二发光二极管芯片12。藉由使多个第一发光二极管芯片12环绕于第二发光二极管芯片14可以提升光源模块1放射的光色均匀度。在完成固晶后，第一发光二极管芯片12会分别定位在正电极11a上，且第一发光二极管芯片12的下电极122可透过焊锡而与正电极11a形成物理连接及电性连接。之后，进行打线制程以使导线18跨设在第一发光二极管芯片12的上电极120和第二发光二极管芯片14的第一电极140间，以及使导线19跨设在第二发光二极管芯片14的第二电极142和负电极11b间，并形成如图3所绘示的电路架构。在图3中，两个第一发光二极管芯片12并联连接，且其等的阳极连接于电源正端(未图示)，其等的阴极连接于第二发光二极管14的阳极；第二发光二极管芯片12的阴极连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光源模块，其特征在于，包含:一基板；一第一发光二极管芯片，定位于该基板上，该第一发光二极管芯片具有以900纳米至1000纳米波长的放射；以及一波长转换层，定位于该第一发光二极管芯片上方，其中，该波长转换层与该第一发光二极管芯片的部分放射发生波长转换并产生小于900纳米波长的的放射。

【技术特征摘要】
1.一种光源模块，其特征在于，包含:一基板；一第一发光二极管芯片，定位于该基板上，该第一发光二极管芯片具有以900纳米至1000纳米波长的放射；以及一波长转换层，定位于该第一发光二极管芯片上方，其中，该波长转换层与该第一发光二极管芯片的部分放射发生波长转换并产生小于900纳米波长的的放射。2.如权利要求1所述的光源模块，其特征在于，该波长转换层与该第一发光二极管芯片的部分放射发生波长转换并产生可见光。3.如权利要求1所述的光源模块，其特征在于，该波长转换层呈圆弧状地定位于该第一发光二极管芯片上方。4.如权利要求1或3所述的光源模块，其特征在于，还包含一透光胶体层，包覆该第一发光二极管芯片及该波长转换层。5.如权利要求4所述的光源模块，其特征在于，该透光胶体层呈圆弧状地包覆该第一发光二级体芯片及该波长转换层。6.如权利要求1所述的光源模块，其特征在于，还包含一第二发光二极管芯片，定位于该基板上并与该第一发光二极管芯片形成电性连接，该第二发光二极管芯片具有以660纳米至900纳米波长的放射。7.如权利要求6所述的光源模块，其特征在于，该波长转换层同时包覆该第二发光二极管芯片。8.如权利要求6所述的光源模块，其特征在于，该第一发光二极管芯片与该第二发光二极管芯片形成串联电连接。9.一种光源模块，其特征在于，包含:一基板；多个第一发光二极管芯片，定位于该基板上，该第一发光二极管芯片具有以900纳米至1000纳米波长的放射...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志宏，吴明昌，吴健旸，林坤立，陈政廷，
申请(专利权)人：研晶光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71