一种连接套管制造技术

本发明专利技术提供一种连接套管，包括半导电外层、主绝缘层和中心导体，所述半导电外层(1)上的限位凸起、固定连接部形成T形台阶结构，所述中心导体贯通主绝缘层且与主绝缘层固定连接，在中心导体两端分别开设电缆连接孔，所述半导电外层环主绝缘层外圆周设置，且所述固定连接部与主绝缘层之间形成嵌接固定结构，所述限位凸起与固定连接部上的第一插接配合面均外露于主绝缘层。本发明专利技术的连接套管与可分离连接器配合使用，在实际运行过程中，其最大电场强度集中在该连接套管内部，使连接配合面处的电场强度大幅降低，因此，大幅度地提升了连接套管产品的局部放电和工频耐压等级性能，有利于确保电力配送的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及连接套管
，尤其是涉及既可用于电力设备的转换连接也可用于可分离连接器的扩展连接的一种连接套管。
技术介绍
连接套管是可分离连接器类电缆附件与开关柜类电气设备连接时的必备用品之一，随着经济的不断发展，电力需求日益增加，所使用的可分离连接器类电缆附件也越来越多。但是，现有的连接套管产品在实际使用过程中，由于产品自身的结构性缺陷，导致产品的局部放电和工频耐压性能达不到相应的测试要求，从而降低了可分离连接器类电缆附件产品的使用安全性能，进而使得电力配送的稳定性和可靠性也无法得以保证。因此，如何提升连接套管产品的局部放电和工频耐压性能，就成为连接套管产品制造企业急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：针对现有技术存在的问题，提供一种连接套管，在满足通流需求的基础上，提高连接套管产品的局部放电和工频耐压性能。本专利技术要解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种连接套管，包括半导电外层、主绝缘层和中心导体，所述半导电外层上的限位凸起、固定连接部形成T形台阶结构，所述中心导体贯通主绝缘层且与主绝缘层固定连接，在中心导体两端分别开设电缆连接孔，所述半导电外层环主绝缘层外圆周设置，且所述固定连接部与主绝缘层之间形成嵌接固定结构，所述限位凸起与固定连接部上的第一插接配合面均外露于主绝缘层。优选地，所述半导电外层上的限位凸起外圆周面上设置连接凸耳，所述连接凸耳上开设通孔。优选地，所述半导电外层上的连接凸耳设置若干个，且环限位凸起外圆周面均匀分布。优选地，所述半导电外层上的固定连接部的嵌接端面为圆弧形结构。优选地，所述半导电外层上的第一插接配合面为锥面结构。优选地，所述半导电外层上的第一插接配合面的长度为5mm-15mm。优选地，所述主绝缘层上的第二插接配合面为锥面结构。优选地，所述中心导体的左、右两端面分别外露于主绝缘层。优选地，所述中心导体的左、右两端面分别相对于主绝缘层向外突出1mm-3mm。优选地，所述半导电外层是由电阻率在10Ωcm-104Ωcm范围内的半导电橡胶材料加工而成。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术的连接套管与可分离连接器配合使用，其中的中心导体与电力设备连接，可以满足通流需求，在实际运行过程中，由于其最大电场强度集中在该连接套管内部，使得连接配合面处的电场强度大幅降低，从而使连接套管产品的局部放电和工频耐压等级都得以相应地大幅度提升，进而提升了可分离连接器类电缆附件产品的使用安全性能，从而确保了电力配送的稳定性和可靠性；另外，本专利技术的连接套管还可用于电力设备的转换连接，也可用于可分离连接器的扩展连接，从而使连接套管的使用经济性也得以相应地提高。附图说明图1为本专利技术一种连接套管的主视图(剖视图)。图2为本专利技术一种连接套管的左视图。图3为本专利技术一种连接套管与前插型可分离连接器之间的连接示意图。图中标记：1-半导电外层，2-主绝缘层，3-中心导体，4-前插型可分离连接器，11-限位凸起，12-固定连接部，13-第一插接配合面，14-连接凸耳，15-通孔，21-第二插接配合面，31-电缆连接孔。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图1所示的连接套管，主要包括半导电外层1、主绝缘层2和中心导体3，其中的半导电外层1通常是由电阻率在10Ωcm-104Ωcm范围内的半导电橡胶材料加工而成，在半导电外层1上形成限位凸起11、固定连接部12，所述限位凸起11与固定连接部12相互固结形成T形台阶结构。所述的主绝缘层2是由橡胶绝缘材料制作而成，所述中心导体3贯通主绝缘层2且与主绝缘层2之间固定连接，在中心导体3两端分别开设电缆连接孔31，所述的电缆连接孔31通常采用螺纹孔，以方便连接套管对外与电缆附件之间的快速连接、拆卸。所述的半导电外层1环主绝缘层2外圆周设置，且半导电外层1上的固定连接部12与主绝缘层2之间形成嵌接固定结构，所述的限位凸起11和固定连接部12上的第一插接配合面13均外露于主绝缘层2。在限位凸起11外圆周面上还设置连接凸耳14，所述连接凸耳14上开设通孔15，通过设置连接凸耳14、通孔15，可以方便连接套管的接地使用。通常，所述连接凸耳14可以设置若干个，图2所示的连接凸耳14设置了3个，且若干个连接凸耳14环限位凸起11外圆周面均匀分布。在若干个连接凸耳14中，其中的一个连接凸耳14接地，其余的连接凸耳14备用。本专利技术的连接套管与可分离连接器配合使用，其中的中心导体3与电力设备连接，以满足通流需求。如图3所示，所述连接套管的两端分别与前插型可分离连接器4插接固定，通过在连接套管上设置的限位凸起11，使连接套管的外圆周面形成台阶状曲面，可以确保连接套管与前插型可分离连接器4之间的插接安装到位。其中，所述半导电外层1上的限位凸起11与固定连接部12之间的过渡部位形成圆弧形过渡结构，所述的固定连接部12的嵌接端面也设计为圆弧形结构，如图1所示，以有效地防止连接套管在使用时产生尖角放电现象，避免连接套管因被击穿而失效。如图1、图3所示，所述半导电外层1上的第一插接配合面13设计为锥面结构，所述主绝缘层2上的第二插接配合面21也设计为锥面结构；优选地，所述第一插接配合面13与第二插接配合面21的锥度设计一致，使得该连接套管的插接端配合面形成为平滑的锥面结构。采用这样的结构设计，一方面可以使连接套管与前插型可分离连接器4之间的插接安装更加方便，另一方面可以确保连接套管与前插型可分离连接器4配合部位的残留空气完全被排出，以有效地防止连接套管与前插型可分离连接器4配合部位因出现残留气泡而产生空气放电现象，保证连接套管的使用安全、可靠，有利于提高连接套管的使用寿命。优选地，如图1所示，位于限位凸起11相对两侧的第一插接配合面13的长度L2、L3分别设置为5mm-15mm。如果该第一插接配合面13的长度多于15mm，一方面造成连接套管长度加长，导致其成本增加，另一方面也造成爬电距离不够，从而容易产生放电现象，进而导致连接套管损坏。如果该第一插接配合面13的长度少于5mm，则在连接套管与前插型可分离连接器4配合部位容易残留气泡，从而导致空气放电现象产生，不利于保证连接套管的使用安全、可靠。在本专利技术的连接套管中，所述半导电外层1上的固定连接部12与主绝缘层2之间可以通过硫化方式固结成一体，所述的中心导体3与主绝缘层2之间粘接固定，不仅连接可靠，而且产品加工容易，实施成本低。其中，所述的中心导体3的左、右两端面分别外露于主绝缘层2。优选地，所述中心导体3的左、右两端面分别相对于主绝缘层2向外突出的长度L4、L1分别为1mm-3mm，如图1所示。当连接套管的两端分别与前插型可分离连接器4插接固定之后，如图3所示，就可以确保中心导体3与电缆附件之间的连接到位，且使中心导体3与电缆附件之间具有足够的导电截面积，避免两者之间发生接触不良，因此，在中心导体3通电过程中，就可以有效地防止中心导体3与电缆附件之间的连接部位因局部温度过高而导致连接套管的受热损坏。本专利技术的连接套管在实际运行过程中，由于其最大电场强度集中在该连接套管内部，使得第一插接配合面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种连接套管，其特征在于：包括半导电外层(1)、主绝缘层(2)和中心导体(3)，所述半导电外层(1)上的限位凸起(11)、固定连接部(12)形成T形台阶结构，所述中心导体(3)贯通主绝缘层(2)且与主绝缘层(2)固定连接，在中心导体(3)两端分别开设电缆连接孔(31)，所述半导电外层(1)环主绝缘层(2)外圆周设置，且所述固定连接部(12)与主绝缘层(2)之间形成嵌接固定结构，所述限位凸起(11)与固定连接部(12)上的第一插接配合面(13)均外露于主绝缘层(2)。

【技术特征摘要】
1.一种连接套管，其特征在于：包括半导电外层(1)、主绝缘层(2)和中心导体(3)，所述半导电外层(1)上的限位凸起(11)、固定连接部(12)形成T形台阶结构，所述中心导体(3)贯通主绝缘层(2)且与主绝缘层(2)固定连接，在中心导体(3)两端分别开设电缆连接孔(31)，所述半导电外层(1)环主绝缘层(2)外圆周设置，且所述固定连接部(12)与主绝缘层(2)之间形成嵌接固定结构，所述限位凸起(11)与固定连接部(12)上的第一插接配合面(13)均外露于主绝缘层(2)。2.根据权利要求1所述的一种连接套管，其特征在于：所述半导电外层(1)上的限位凸起(11)外圆周面上设置连接凸耳(14)，所述连接凸耳(14)上开设通孔(15)。3.根据权利要求2所述的一种连接套管，其特征在于：所述半导电外层(1)上的连接凸耳(14)设置若干个，且环限位凸起(11)外圆周面均匀分布。4.根据权利要求1-3任一项所述的一种连接套管，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金梅，王海鱼，
申请(专利权)人：成都盛帮双核科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51