防静电TFT基板的生产工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种防静电TFT基板的生产工艺，包括如下操作：用UV胶对TFT基板的边缘进行封胶保护，再使UV胶固化；用UV胶溶解剂对固化后的TFT基板进行擦拭；对封胶后的TFT基板依次进行酸溶液处理、第一次水洗、碱性溶液处理和第二次水洗；对酸洗后的TFT基板依次进行第三次水洗、洗涤液洗涤、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋、冷风干燥和热风干燥；在待镀膜的TFT基板上磁控溅射沉积形成ITO薄膜，得到防静电TFT基板。这种防静电TFT基板的生产工艺，在镀防静电膜前对TFT基板进行酸溶液处理，从而将TFT基板表面的杂质清除，提高镀膜后防静电TFT基板中防静电膜的质量，从而提高防静电的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基板
，特别是涉及一种防静电TFT基板的生产工艺。
技术介绍
目前，含有TFT(Thin-FilmTransistor，薄膜场效应晶体管)基板的显示屏成为多种电子设备的主流显示设备，主要因为含有TFT基板的显示屏具有高响应度、高亮度、高对比度等优点。而TFT式液晶显示屏应用在导航仪、交通工具上时，TFT式液晶显示屏需要有较强的应力，以达到防震、防撞的效果，所以TFT式液晶显示屏中的TFT基板的厚度一般在1mm～1.4mm之间。由于这种TFT基板没有经过薄化处理，表面氧化物、胶、油渍、灰尘残留较多，直接在TFT基板上加工防静电膜后，防静电膜容易脱落，导致TFT式液晶显示屏的防静电效果不好。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种防静电TFT基板的生产工艺，其制得的TFT基板的防静电效果较好。一种防静电TFT基板的生产工艺，包括如下操作：用UV胶对TFT基板的边缘进行封胶保护，再使所述UV胶固化，得到固化后的所述TFT基板；用UV胶溶解剂对固化后的所述TFT基板进行擦拭，除去所述TFT基板的表面残留的所述UV胶，得到封胶后的所述TFT基板；对封胶后的所述TFT基板依次进行酸溶液处理、第一次水洗、碱性溶液处理和第二次水洗，得到酸洗后的所述TFT基板，其中，碱性溶液为碱和流平剂的混合液；对酸洗后的所述TFT基板依次进行第三次水洗、洗涤液洗涤、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋、冷风干燥和热风干燥，得到待镀膜的所述TFT基板；以及在待镀膜的所述TFT基板上磁控溅射沉积形成ITO薄膜，得到防静电TFT基板。在其中一个实施例中，所述用再使所述UV胶固化的操作为，采用紫外线照射带有所述UV胶的所述TFT基板和所述UV胶，所述紫外线照射的时间为25min～60min。在其中一个实施例中，所述酸溶液处理的操作为：制备所述酸溶液处理中的酸溶液，将封胶后的所述TFT基板浸泡在所述酸溶液中，并鼓泡搅拌所述酸溶液50min～70min。在其中一个实施例中，所述制备所述酸溶液处理中的酸溶液的操作为：将质量浓度为70％的硫酸溶液与质量浓度为30％的氢氟酸按体积比300～1000:1的比例混合均匀。在其中一个实施例中，所述碱性溶液中，所述碱的质量浓度为0.2％～1％，所述流平剂的体积百分比为2％～8％，所述碱性溶液的pH值为11～13。在其中一个实施例中，所述碱为氢氧化钾或者氢氧化钠；所述流平剂为LX-3233B或BYC-5530。在其中一个实施例中，所述洗涤液洗涤使用的洗涤液的pH为8～11。在其中一个实施例中，所述高压喷淋的压力为1kg～2kg。在其中一个实施例中，所述在待镀膜的所述TFT基板上磁控溅射沉积形成ITO薄膜中，所述TFT基板的温度为60℃～80℃；所述磁控溅射的电压为300V～380V，所述磁控溅射的功率为3000W～3600W；所述磁控溅射的真空度为2.5×10-1Pa～3.50×10-3Pa。在其中一个实施例中，所述TFT基板的厚度为1mm～1.4mm。通过上述防静电TFT基板的生产工艺，可以制备得到表面镀有防静电薄膜的TFT基板。首先，采用UV胶对TFT基板的边缘进行封胶保护，再经过酸溶液处理将快速地将TFT基板表面的杂质清除，以提高防静电膜的质量。然后，对TFT基板进行喷淋和干燥，再在TFT基板上磁控溅射沉积形成防静电的ITO膜层，降低TFT基板的表面电阻，使产生的静电迅速从基板表面流出，防止静电的聚集，提高防静电的效果。附图说明图1为一实施方式的防静电TFT基板的生产工艺流程图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施例对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。如图1所示的一实施方式的防静电TFT基板的生产工艺，包括如下操作：S110，用UV胶对TFT基板的边缘进行封胶保护，再使UV胶固化。首先将贴合好的待处理的TFT基板的四条边缘用UV胶封起来，防止酸溶液处理时，酸从TFT基板的边缘进入TFT基板内部，腐蚀TFT基板的线路，导致TFT基板的损坏。接着，用紫外线照射带有UV胶的TFT基板和UV胶，使UV胶固化。其中，TFT基板的厚度可以为1mm～1.4mm。对UV胶进行固化的操作可以是采用紫外线照射固化UV胶，紫外线照射的时间为25min～60min。优选地，采用立式照射对封胶在TFT基板边缘的UV胶进行紫外线照射。将封胶后的TFT基板放入UV固化机内，使用紫外线照射UV胶。UV固化机的温度为55℃～60℃。采用立式照射，可以避免烧坏TFT基板中的液晶分子。S120，用UV胶溶解剂S110得到的TFT基板进行擦拭，除去TFT基板的表面残留的UV胶。采用沾有UV胶溶解剂的无尘布，在固化后的TFT基板的表面上擦拭，除去残留在固化后的TFT基板的表面上的UV胶，减少酸溶液处理时TFT基板表面的UV胶对TFT基板的影响。其中，UV胶溶解剂为丙酮或者乙酸乙酯。S130，对S120得到的TFT基板依次进行酸溶液处理、第一次水洗、碱性溶液处理和第二次水洗，其中，碱性溶液为碱和流平剂的混合溶液。操作S130中采用的酸溶液为硫酸与氢氟酸的混合溶液。酸溶液由质量浓度为70％的硫酸溶液和质量浓度为30％的氢氟酸溶液按照体积比300～1000:1的比例混合均匀后制得。其中，硫酸可以去除TFT基板表面的灰尘、油污和其他杂质，氢氟酸用于蚀刻TFT基板的表面，去除TFT基板表面氧化的玻璃粉尘。酸溶液处理的操作为将封胶后的TFT基板浸泡在酸溶液中，并鼓泡搅拌酸溶液50min～70min，蚀刻速率为0.3μm/min～0.9μm/min。蚀刻速率为单位时间内氢氟酸腐蚀TFT基板的表面厚度。影响蚀刻速率的因素有：氢氟酸的浓度、蚀刻时的温度以及鼓泡管的均匀性等。其中，温度一般为20℃～30℃。采用的碱性溶液的pH值为11～13，碱性溶液为碱和流平剂的混合溶液。其中，碱性溶液中的碱的质量浓度为0.2％～1％，流平剂的体积百分比为2％～8％，溶剂为水。碱可以是氢氧化钾、氢氧化钠等；流平剂可以是LX-3233B、BYC-5530等。上述碱性溶液的配制，可以先用水为溶剂配制质量浓度为30％～50％的碱溶液，再与流平剂以体积比为1:4的比例混合均匀，得初始碱性溶液，然后用水按水与初始碱性溶液的体积比为10～30:1的比例混合均匀即得。例如，先用水为溶剂配制质量浓度为30％～50％的氢氧化钾，再与LX-3233B以体积比为1:4的比例混合均匀，得到初始碱性溶液，再用水按水与初始碱性溶液的体积比为10～30:1的比例混合均匀，即得到碱性溶液。其中，碱性溶液中的碱主要用于中和用硫酸清洗封胶后的TFT基板时残留的硫酸；碱性溶液中流平剂主要用于提高TFT基板表面的光滑度，降低溶液的残留。优选地，将TFT基板放置在酸槽中，酸槽中装有硫酸和氢氟酸的混合溶液，温度为25℃～30℃。酸槽底部装有鼓泡管，鼓泡50min～70min，使酸洗加速、均匀，蚀刻速率为0.3μm/min～0.9μm/min；然后依次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防静电TFT基板的生产工艺，其特征在于，包括如下操作：用UV胶对TFT基板的边缘进行封胶保护，再使所述UV胶固化，得到固化后的所述TFT基板；用UV胶溶解剂对固化后的所述TFT基板进行擦拭，除去所述TFT基板的表面残留的所述UV胶，得到封胶后的所述TFT基板；对封胶后的所述TFT基板依次进行酸溶液处理、第一次水洗、碱性溶液处理和第二次水洗，得到酸洗后的所述TFT基板，其中，碱性溶液为碱和流平剂的混合液；对酸洗后的所述TFT基板依次进行第三次水洗、洗涤液洗涤、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋、冷风干燥和热风干燥，得到待镀膜的所述TFT基板；以及在待镀膜的所述TFT基板上磁控溅射沉积形成ITO薄膜，得到防静电TFT基板。

【技术特征摘要】
1.一种防静电TFT基板的生产工艺，其特征在于，包括如下操作：用UV胶对TFT基板的边缘进行封胶保护，再使所述UV胶固化，得到固化后的所述TFT基板；用UV胶溶解剂对固化后的所述TFT基板进行擦拭，除去所述TFT基板的表面残留的所述UV胶，得到封胶后的所述TFT基板；对封胶后的所述TFT基板依次进行酸溶液处理、第一次水洗、碱性溶液处理和第二次水洗，得到酸洗后的所述TFT基板，其中，碱性溶液为碱和流平剂的混合液；对酸洗后的所述TFT基板依次进行第三次水洗、洗涤液洗涤、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋、冷风干燥和热风干燥，得到待镀膜的所述TFT基板；以及在待镀膜的所述TFT基板上磁控溅射沉积形成ITO薄膜，得到防静电TFT基板。2.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的生产工艺，其特征在于，所述再使所述UV胶固化的操作为，采用紫外线照射带有所述UV胶的所述TFT基板和所述UV胶，所述紫外线照射的时间为25min～60min。3.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的生产工艺，其特征在于，所述酸溶液处理的操作为：制备所述酸溶液处理中的酸溶液，将封胶后的所述TFT基板浸泡在所述酸溶液中，并鼓泡搅拌所述酸溶液50min～70min。4.根据权利要求3所述的防静电TFT基板的生产工艺，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张迅，易伟华，张伯伦，
申请(专利权)人：江西沃格光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36