内锥插座组件制造技术

本实用新型专利技术提供一种内锥插座组件，可用于气体绝缘开关设备。内锥插座组件包括连接排(26)、插座高压插头(25)，浇注体(24)和高压屏蔽环(22)。高压屏蔽环(22)浇注在浇注体(24)内；插座高压插头(25)包括连接排端(251)和浇注端(252)；连接排端(251)与连接排(26)固定连接；浇注端(252)成筒状且浇注在浇注体(24)内；所述高压屏蔽环(22)与浇注端(252)固定连接并浇注在浇注体(24)内。插座高压插头(25)的连接排端(251)和浇注端(252)之间设有电场屏蔽装置。根据本实用新型专利技术的优选实施例，电场屏蔽装置为U形的凹槽(28)或者是插座内部屏蔽环(210)。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电力产品
，具体涉及一种应用于气体绝缘开关设备
，尤其涉及一种应用于气体绝缘开关设备上的连接装置。
技术介绍
随着经济发展及城市化进程，中压开关柜小型化越来越重要，中压气体绝缘开关柜在体积上相对空气绝缘开关柜有较大优势。在小型化时，受柜内空间所限，对柜内的绝缘设计要求也越来越高。现有内锥插座组件及插座与柜内导体连接部分在绝缘性能上是相对较为薄弱的位置，因为内锥插座组件高压导体与树脂及气箱内绝缘气体存在三种介质交界区域，在三相交界点上容易产生电场畸变，造成三相交界区域电场强度很高；另外插座与高压导体连接时，连接导体端部及其连接螺栓头部位电场强度通常会较高。这两个方面的问题给有限空间的开关柜设计造成一定难度，这两个位置也成为绝缘性能相对薄弱位置，下面以图1实例作为说明。目前常用的内锥插座组件及连接设计如附图1所示，插座高压插头15外形为等直径的棒，三相交界区域浇筑树脂14与气体交界面垂直于插座高压插头15的外表面。浇筑树脂14内浇筑有嵌件11、高压屏蔽环12和低压屏蔽环13，另外连接排16直接搭在插座高压插头15上，再用螺栓紧固。这样的设计导致三相交界区域、螺栓头、铜排端部的电场强度相对较高。图1所示的内锥插座组件，设计的问题在于三相交界区域18电场强度很大，很容易造成附近区域气体电离，爬电击穿，同时连接螺栓17和铜排16的端部暴露在外侧(与地电位间只有气体)，在电场中作为尖端存在，有很大的场强，造成击穿。这两个设计的问题，当开关柜尺寸受限时，都很容易成为绝缘试验中和运行时的电气薄弱点。
技术实现思路
本技术针对目前内锥插座组件存在的上述薄弱点，尤其是三相交界区域的电场强度问题，提供一种内锥插座组件，包括连接排、插座高压插头、浇注体和高压屏蔽环；插座高压插头包括连接排端和浇注端；连接排端与连接排固定连接；浇注端成筒状且浇注在浇注体内；所述高压屏蔽环与浇注端固定连接并浇注在浇注体内；插座高压插头的连接排端和浇注端之间设有电场屏蔽装置。根据本技术的一最佳实施例，所述电场屏蔽装置为凹槽。优选的，凹槽为U形。根据本技术的一最佳实施例，所述电场屏蔽装置为插座内部屏蔽环。根据本技术的一最佳实施例，内锥插座组件还包括低压屏蔽环，浇注在浇注体内。根据本技术的一最佳实施例，插座高压插头的连接排端和浇注端为一体成形结构。根据本技术的一最佳实施例，插座高压插头的连接排端和浇注端为分体结构，并固定连接在一起。根据本技术的一最佳实施例，连接排端有开孔；开孔适应于连接棒插入其中并固定连接。根据本技术的一最佳实施例，连接排端和连接棒为等直径圆棒。根据本技术的一最佳实施例，连接排端和连接棒通过螺栓固定连接，所述螺栓的一端位于连接排端内，另外一端位于连接棒内。本技术的内锥插座组件，使三相交界区域电场强度大大降低，且各连接过渡区域的电场强度均匀。附图说明图1是现有插座及其连接设计的剖面结构示意图；图2是本技术的内锥插座组件的一个最佳实施例剖面结构示意图；图3是本技术的内锥插座组件的又一个最佳实施例剖面结构示意图；图4是本技术的内锥插座组件的再一个最佳实施例剖面结构示意图；图5A-5B是图4所示内锥插座组件的最佳实施例中，插座内部屏蔽环结构示意图；其中，图5A为剖面图，图5B为立体图。具体实施方式下面结合各附图，详细描述本技术内锥插座组件结构和工作原理。图2是本技术的内锥插座组件的一个最佳实施例剖面结构示意图；本技术的内锥插座组件，包括连接排26和插座高压插头25，还包括浇注体24和高压屏蔽环22；高压屏蔽环22浇注在浇注体24内。插座高压插头25包括连接排端251和浇注端252；连接排端251与连接排26固定连接(比如通过螺栓27固定连接)；浇注端252成筒状且浇注在浇注体24内。所述高压屏蔽环22与浇注端252固定连接并浇注在浇注体24内；插座高压插头25的连接排端251和浇注端252之间设有电场屏蔽装置。嵌件21用于固定内锥插座组件。在如图2所示的优选实施例中，所述电场屏蔽装置为U形的凹槽28。凹槽28形状并非一定U形，在图3所示的优选实施例中，凹槽28则是类似U形或者V形的不规则图形。在上述图2和图3所示的优选实施例中，U形的凹槽28或者类似的凹槽，位于三相交界区域。所述三相交界区域为高压导体、浇注体24(比如环氧浇注体)和气体区域。插座高压插头25在三相交界区域的U形的凹槽28两侧弧线互相屏蔽，因而其自身电场强度也较低，并且均匀分布。使得三相交界区域的电场强度很低，几近于零。根据本技术的优选实施例，通常情况下，内锥插座组件还包括低压屏蔽环23，浇注在浇注体24内，起屏蔽和感应电容作用。在上述图2和图3所示的优选实施例中，其插座高压插头25的连接排端251和浇注端252，又有不同的方式。如图2所示，插座高压插头25的连接排端251和浇注端252为一体成形结构。在如图3所示的优选实施例中，插座高压插头25的连接排端251和浇注端252为分体结构，并固定连接在一起；其固定连接可以通过螺栓完成。进一步，根据本技术的其中的一个或更多优选实施例，如图2和图3所示，插座高压插头25的连接排端251有开孔2511；开孔2511适应于连接棒26插入其中并固定连接。在上述图2和图3所示的优选实施例中，在三相交界区域，有U形的凹槽28用于对电场进行屏蔽。根据本技术的又一优选实施例，电场屏蔽采用插座内部屏蔽环210，如图4所示。插座内部屏蔽环210浇筑在环氧的浇注体24内，并靠近三项交界区域。图5A-5B是图4所示内锥插座组件的最佳实施例中，插座内部屏蔽环结构示意图；其中，图5A为图4中B部分的放大图，图中显示了内部屏蔽环剖面图，图5B为内部屏蔽环立体图。图5A-5B所示插座内部屏蔽环210为导电材料，与插座高压插头等电位，其在上部靠近三相交界区域有一圈台阶，外侧以大圆角逐渐过渡到下部。图5A所示插座内部屏蔽环210与插座高压插头5对三相交界区域28形成半包围结构，屏蔽三相交界区域28的电场；同时其台阶部分被插座高压插头5屏蔽，因此其电场也较低。插座内部屏蔽环210外侧大圆角过渡区域在浇注体内，可以耐受较高的电场强度。因此插座内部屏蔽环210使得三相交界区域电场强度大大降低，电场较大区域转移至浇注体内。进一步，根据本技术的其中的一个或更多优选实施例，连接排端251和连接棒26可以是等直径圆棒。如图4所示的实施例中，即显示了这种结构。根据本技术的其中的一个或者更多优选实施例，如图2和图3所示，连接排端251和连接棒26通过螺栓固定连接，所述螺栓的一端位于连接排端251内，另外一端位于连接棒26内。连接排端251和连接棒26的固定连接，可以在连接排端251的侧边内实现，也可以在连接排端251的上下位置内实现固定连接。如果连接棒26在安装时有尺寸偏差，可通过插座高压插头25上的长条孔调节。在插座高压插头25上端开孔的设计，使得连接棒26的端部可以插入其中，插座高压插头25和连接棒26之间均匀过渡，连接螺栓27的头部也布置在插座高压插头25内部，因而避免了连接棒26端部和连接螺栓头暴露在外侧，使得连接处各区域电场强度均匀。尽管为说明目的公开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内锥插座组件，包括连接排(26)和插座高压插头(25)，其特征在于：还包括浇注体(24)和高压屏蔽环(22)；插座高压插头(25)包括连接排端(251)和浇注端(252)；连接排端(251)与连接排(26)固定连接；浇注端(252)成筒状且浇注在浇注体(24)内；所述高压屏蔽环(22)与浇注端(252)固定连接并浇注在浇注体(24)内；插座高压插头(25)的连接排端(251)和浇注端(252)之间设有电场屏蔽装置。

【技术特征摘要】
1.一种内锥插座组件，包括连接排(26)和插座高压插头(25)，其特征在于：还包括浇注体(24)和高压屏蔽环(22)；插座高压插头(25)包括连接排端(251)和浇注端(252)；连接排端(251)与连接排(26)固定连接；浇注端(252)成筒状且浇注在浇注体(24)内；所述高压屏蔽环(22)与浇注端(252)固定连接并浇注在浇注体(24)内；插座高压插头(25)的连接排端(251)和浇注端(252)之间设有电场屏蔽装置。2.根据权利要求1所述的内锥插座组件，其特征在于：所述电场屏蔽装置为凹槽(28)。3.根据权利要求2所述的内锥插座组件，其特征在于：所述凹槽(28)为U形。4.根据权利要求1所述的内锥插座组件，其特征在于：所述电场屏蔽装置为插座内部屏蔽环(210)。5.根据权利要求1-4任意一项所述的内锥插座组件，其特征在于：还包括低...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兴杰，黄立群，王文勇，杨长洲，杜北江，林大喜，
申请(专利权)人：ABB瑞士股份有限公司，
类型：新型
国别省市：瑞士;CH