一种具有过流保护的浪涌抑制模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有过流保护的浪涌抑制模块，包括第一TVS管、第二TVS管、第三TVS管、齐纳二极管、MOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和过压保护芯片。本实用新型专利技术一种具有过流保护的浪涌抑制模块能够保护其后端用电设备不受电网浪涌电压的损坏，并且在后端用电设备出现非正常状况过流时，浪涌抑制模块能自动关断后级供电，防止用电设备损坏。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种直流电源总线浪涌抑制模块，尤其涉及一种具有过流保护的浪涌抑制模块。
技术介绍
用电设备在连接电网工作时，电网上的电压跳变容易影响用电设备正常工作，严重的还会烧坏用电设备。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种具有过流保护的浪涌抑制模块。本技术通过以下技术方案来实现上述目的：一种具有过流保护的浪涌抑制模块，包括第一TVS管、第二TVS管、第三TVS管、齐纳二极管、MOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和过压保护芯片，所述第一电阻的第一端分别与所述第一TVS管的第一端、所述第二TVS管的第一端、所述齐纳二极管的负极、所述过压保护芯片的VCC端和所述过压保护芯片的SHDN端连接且为所述浪涌抑制模块的输入端，所述第一电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端、所述MOS管的漏极和所述过压保护芯片的SNS端连接，所述MOS管的栅极与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第二电容的第一端和所述过压保护芯片的GATE端连接，所述第一电容的第二端分别与所述MOS管的源极、所述过压保护芯片的OUT端、所述第四电阻的第一端、所述第三电阻的第一端、所述第八电容的第一端、所述第三TVS管的第一端和所述第六电容的第一端连接且为所述浪涌抑制模块的第一输出端，所述第四电阻的第二端分别与所述过压保护芯片的FB端和所述第五电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端分别与所述第四电容的正极和所述第五电容的正极连接，所述第一TVS管的第二端、所述第二TVS管的第二端、所述第三TVS管的第二端、所述齐纳二极管的正极、所述过压保护芯片的GND端、所述第三电容的第二端、所述第五电阻的第二端、所述第二电容的第二端、所述第四电容的负极、所述第五电容的负极、所述第八电容的第二端和所述第六电容的第二端均接地，所述第七电容的第一端接所述浪涌抑制模块的壳体，所述第七电容的第二端接地且为所述浪涌抑制模块的第二输出端。本技术的有益效果在于：本技术一种具有过流保护的浪涌抑制模块能够保护其后端用电设备不受电网浪涌电压的损坏，并且在后端用电设备出现非正常状况过流时，浪涌抑制模块能自动关断后级供电，防止用电设备损坏。附图说明图1是本技术所述一种具有过流保护的浪涌抑制模块的电路图。具体实施方式下面结合附图对本技术作进一步说明：如图1所示，本技术一种具有过流保护的浪涌抑制模块，包括第一TVS管D1、第二TVS管D2、第三TVS管D3、齐纳二极管D4、MOS管V、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和过压保护芯片IC，第一电阻R1的第一端分别与第一TVS管D1的第一端、第二TVS管D2的第一端、齐纳二极管D4的负极、过压保护芯片IC的VCC端和过压保护芯片IC的SHDN端连接且为浪涌抑制模块的输入端，第一电阻R1的第二端分别与第一电容C1的第一端、MOS管V的漏极和过压保护芯片IC的SNS端连接，MOS管V的栅极与第二电阻R2的第一端连接，第二电阻R2的第二端分别与第二电容C2的第一端和过压保护芯片IC的GATE端连接，第一电容C1的第二端分别与MOS管V的源极、过压保护芯片IC的OUT端、第四电阻R4的第一端、第三电阻R3的第一端、第八电容C8的第一端、第三TVS管D3的第一端和第六电容C6的第一端连接且为浪涌抑制模块的第一输出端，第四电阻R4的第二端分别与过压保护芯片IC的FB端和第五电阻R5的第一端连接，第三电阻R3的第二端分别与第四电容C4的正极和第五电容C5的正极连接，第一TVS管D1的第二端、第二TVS管D2的第二端、第三TVS管D3的第二端、齐纳二极管D4的正极、过压保护芯片IC的GND端、第三电容C3的第二端、第五电阻R5的第二端、第二电容C2的第二端、第四电容C4的负极、第五电容C5的负极、第八电容C8的第二端和第六电容C6的第二端均接地，第七电容C7的第一端接浪涌抑制模块的壳体，第七电容C7的第二端接地且为浪涌抑制模块的第二输出端。本技术一种具有过流保护的浪涌抑制模块的工作原理如下：本技术中的过压保护芯片IC的FB端通过第四电阻R4和第五电阻R5分压监测到电网电压，并与其内部电压基准进行比较。当电网电压未超过设定的电压时，过压保护芯片IC通过GATE引脚驱动MOS管V，使其处于全饱和状态，为后级电路供电。当电网电压出现超过预设的电压阀值时，过压保护芯片IC驱动MOS管V将其栅极电压控制在一定的电压值。由MOS的特性可知，其源极电压将维持在一固定电压值。防止电网电压超过用电设备的正常工作电压范围。达到保护后级电路的目的。当电路中出现过流现象时，电流流过第一电阻R1。在第一电阻R1上产生电压降，其电压降由芯片VCC和SNS监测并与其内部电压基准进行比较。当电路出现超出预设电流时，第一电阻R1上的电压超过芯片内部基准电压，从而驱动MOS管V关闭后级电路供电。达到保护后级电路的目的。元器件的明细表如下：代号名称型号VMOS管FDL100N50FD1、D2、D3TVS管SMDJ48CAD4齐纳二极管1N4752C1、C2电容器JCT41-1210-2R1-500V-102KC8电容器JCT41-1210-2R1-100V-104KC3电容器JCT41-0805-2R1-10V-335KC4、C5极性电容器JCT41-2220-2R1-100V-106KC6、C7电容器JCT41-1210-2R1-500V-682KIC过压保护芯片LTC4356R1电阻器TL3AR005FR3电阻器RMK2012KB4R7FMR2电阻器RMK2012KB100FMR4电阻器RMK2012KB1543FMR5电阻器RMK2012KB632FM本技术的技术方案不限于上述具体实施例的限制，凡是根据本技术的技术方案做出的技术变形，均落入本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有过流保护的浪涌抑制模块，其特征在于：包括第一TVS管、第二TVS管、第三TVS管、齐纳二极管、MOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和过压保护芯片，所述第一电阻的第一端分别与所述第一TVS管的第一端、所述第二TVS管的第一端、所述齐纳二极管的负极、所述过压保护芯片的VCC端和所述过压保护芯片的SHDN端连接且为所述浪涌抑制模块的输入端，所述第一电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端、所述MOS管的漏极和所述过压保护芯片的SNS端连接，所述MOS管的栅极与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第二电容的第一端和所述过压保护芯片的GATE端连接，所述第一电容的第二端分别与所述MOS管的源极、所述过压保护芯片的OUT端、所述第四电阻的第一端、所述第三电阻的第一端、所述第八电容的第一端、所述第三TVS管的第一端和所述第六电容的第一端连接且为所述浪涌抑制模块的第一输出端，所述第四电阻的第二端分别与所述过压保护芯片的FB端和所述第五电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端分别与所述第四电容的正极和所述第五电容的正极连接，所述第一TVS管的第二端、所述第二TVS管的第二端、所述第三TVS管的第二端、所述齐纳二极管的正极、所述过压保护芯片的GND端、所述第三电容的第二端、所述第五电阻的第二端、所述第二电容的第二端、所述第四电容的负极、所述第五电容的负极、所述第八电容的第二端和所述第六电容的第二端均接地，所述第七电容的第一端接所述浪涌抑制模块的壳体，所述第七电容的第二端接地且为所述浪涌抑制模块的第二输出端。...

【技术特征摘要】
1.一种具有过流保护的浪涌抑制模块，其特征在于：包括第一TVS管、第二TVS管、第三TVS管、齐纳二极管、MOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和过压保护芯片，所述第一电阻的第一端分别与所述第一TVS管的第一端、所述第二TVS管的第一端、所述齐纳二极管的负极、所述过压保护芯片的VCC端和所述过压保护芯片的SHDN端连接且为所述浪涌抑制模块的输入端，所述第一电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端、所述MOS管的漏极和所述过压保护芯片的SNS端连接，所述MOS管的栅极与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第二电容的第一端和所述过压保护芯片的GATE端连接，所述第一电容的第二端分别与所述MOS管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛杰，徐兵，赵健恺，
申请(专利权)人：成都必控科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51