多层陶瓷电子组件制造技术

提供一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体，其中，介电层和内电极交替地设置在陶瓷主体中。陶瓷-金属复合层设置在内电极与介电层之间的界面上。此外，在一些示例中，相邻内电极之间的空间被包含具有金属颗粒的陶瓷-金属复合物的介电层完全地占据。陶瓷-金属复合层可具有压纹式构造或树突式构造。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年7月6日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0095991号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被包含于此。
本公开涉及一种具有高的介电常数和优异的可靠性的多层陶瓷电子组件。
技术介绍
通常，使用陶瓷材料的电子组件(例如，电容器、电感器、压电元件、变阻器、热敏电阻等)包括由陶瓷材料形成的陶瓷主体、形成在陶瓷主体中的内电极以及安装在陶瓷主体的表面上以连接到内电极的外电极。随着包含陶瓷材料的这些电子组件在需要高可靠性的领域中越来越多地被使用，对于高可靠性的多层陶瓷电子组件的需求已增加。此外，近来，薄的多层电子组件已被大量地生产，对于超级电容多层陶瓷电子组件的需求已增加。截至目前为止，多层陶瓷电容器的电性能和介电常数主要通过改变介电材料的组成、改变介电层的厚度以及改变内电极图案的形状来改善。除了如上所述的用于改善电性能和介电常数的方法之外，还需要用于进一步改善电子组件的电性能和介电常数的方法。
技术实现思路
本公开的一方面可提供一种具有高的介电常数和优异的可靠性的多层陶瓷电子组件。根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体，其中，介电层和内电极交替地设置在陶瓷主体中。此外，陶瓷-金属复合层设置在内电极与介电层之间的界面上。根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体，其中，介电层和内电极交替地设置在陶瓷主体中。相邻内电极之间的空间被包含具有金属颗粒的陶瓷-金属复合物的介电层以及被设置在内电极与介电层之间的陶瓷-金属复合层完全地占据。金属纳米颗粒设置在介电层的中部中。根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电子组件包括在多层陶瓷电子组件内彼此平行地设置且彼此分开的多个内电极。所述多个内电极均具有设置在所述多个内电极的两个背对表面上的陶瓷-金属复合层。附图说明根据下面参照附图进行的详细描述，本公开的以上和其它方面、特征以及优点将被更加清楚地理解，在附图中：图1是示出根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图；图2是根据一个说明性实施例的沿着图1中的A-A’线截取的剖视图；图3是根据第一示例性实施例的图2中的P部分的放大图；图4是根据第二示例性实施例的图2中的P部分的放大图；图5是根据另一说明性实施例的沿着图1中的A-A’线截取的剖视图；图6是根据第三示例性实施例的图5中的P部分的放大图；图7是根据第四示例性实施例的图5中的P部分的放大图。具体实施方式在下文中，将参照附图描述本专利技术构思的实施例。然而，本专利技术可按照许多不同的形式举例说明且并不应该被解释为局限于在此阐述的特定实施例。更确切地说，提供这些实施例，以使该公开将是彻底的和完整的，并将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶片(基板)的元件被称为“位于”另一元件“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件时，所述元件可直接“位于”另一元件“上”、直接“连接到”或者直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的其它元件。相比之下，当元件被称为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的元件或层。相同的标号始终指示相同的元件。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关联的所列项目中的任何以及全部组合。将明显的是，虽然可在此使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例性实施例的教导的情况下，下面讨论的第一构件、组件、区域、层或部分可称作第二构件、组件、区域、层或部分。为了描述的方便，可在此使用与空间相关的术语(例如，“在…之上”、“上方”、“在…之下”和“下方”等)，以描述如图中示出的一个元件与一个或更多个其它元件的位置关系。将理解的是，除了图中示出的方位之外，与空间相关的术语还意图包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“之上”或“上方”的元件将被定位为“在”所述其它元件或特征“之下”或“下方”。因此，术语“在…之上”可根据附图的特定方向而包含“在…之上”和“在…之下”的两种方位。装置可被另外定位(旋转90度或处于其它方位)，并可对在此使用的与空间相关的描述做出相应解释。在此使用的术语仅用于描述特定实施例，并且无意限制本专利技术构思。如在此使用的，除非上下文中另外清楚地指明，否则单数形式也意于包括复数形式。还将理解的是，当本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，列举存在所述的特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或组合，而不排除存在或增加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/其组合。在下文中，将参照示出本专利技术构思的实施例的示意图来描述本专利技术构思的实施例。在附图中，例如，示出了组件的理想形状。然而，由于制造技术和/或公差，相对于示出的组件，组件会被制造得具有修改的形状。因此，本专利技术构思的实施例不应被解释为受限于在此示出的区域的特定形状，而是应被理解为包括由于制造工艺和非理想因素导致的形状的改变。本专利技术构思也可由在此示出的和/或描述的各个实施例的组合而构成。以下描述的本专利技术构思的内容可具有多种构造。在此仅示出和描述说明性的构造，但本专利技术构思不限于此，并且应被理解为扩展至全部合适的构造。多层陶瓷电子组件图1是示出根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图，图2是根据一个说明性实施例的沿着图1中的A-A’线截取的剖视图。参照图1，根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件100可包括陶瓷主体110以及外电极131和132。根据示例性实施例，图1和图2中示出的T方向指的是陶瓷主体110的厚度方向，图1和图2中的L方向指的是陶瓷主体110的长度方向，图1和图2中的W方向指的是陶瓷主体110的宽度方向。厚度(T)方向指的是内电极和介电层的堆叠方向。参照图1和图2，陶瓷主体110可具有：上表面和下表面，在厚度方向上彼此背对；第一侧表面和第二侧表面，在宽度方向上彼此背对；第三端表面和第四端表面，在长度方向上彼此背对。陶瓷主体110的形状不受具体限制。例如，陶瓷主体110可不呈具有笔直的面/线的六面体形状，而是可大体上呈六面体形状。陶瓷主体110可包括多个介电层111以及内电极121和122，如图2所示。陶瓷主体110可包括形成在介电层111上的内电极121和122。陶瓷主体110可包括有源(active)部，其中，包括形成在其上的内电极121、122的多个介电层111堆叠在有源部中；盖部，设置在有源部的上表面和下表面上。除非特别地描述，否则在陶瓷主体中对于上部分和下部分以及上表面和下表面不单独地进行区分，并且上部分和下部分以及上表面和下表面可被理解为分别具有与厚度方向上的一个部分和另一部分以及在厚度方向上彼此背对的一个表面和另一表面相同的含义。此外，上表面和下表面可被理解为分别具有与陶瓷主体的在厚度方向上彼此背对的第一主表面和第二主表面相同的含义。内电极可包括第一内电极121和第二内电极122。第一内电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电子组件，包括：陶瓷主体，介电层和内电极交替地设置在陶瓷主体中，其中，陶瓷‑金属复合层设置在内电极与介电层之间的界面上。

【技术特征摘要】
2015.07.06 KR 10-2015-00959911.一种多层陶瓷电子组件，包括：陶瓷主体，介电层和内电极交替地设置在陶瓷主体中，其中，陶瓷-金属复合层设置在内电极与介电层之间的界面上。2.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷-金属复合层具有压纹式构造。3.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷-金属复合层具有树突式构造。4.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷-金属复合层包含5％至30％体积百分比的金属。5.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷-金属复合层中的金属具有5nm至600nm的颗粒尺寸。6.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，比值Td/Tt满足Td/Tt>0.5，其中，Tt对应于所述介电层中的一个介电层的厚度Tt，其中，厚度Tt包括陶瓷-金属复合层的厚度，Td对应于所述一个介电层的除了陶瓷-金属复合层之外的部分的厚度Td。7.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷-金属复合层中的金属具有4.0eV至6.0eV的费米能量。8.一种多层陶瓷电子组件，包括：陶瓷主体，介电层和内电极交替地设置在陶瓷主体中，其中，相邻内电极之间的空间被包含具有金属颗粒的陶瓷-金属复合物的介电层以及被设置在内电极与介电层之间的界面上的陶瓷-金属复合层完全地占据，其中，金属纳米颗粒设置在介电层的中部中。9.如权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷-金属复合层具有压纹式构造。10.如权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷-金属复合层具有树突式构造。11.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：金弘锡，李忠垠，金斗永，金起汉，崔芝睿，李炅烈，崔才烈，曹秀景，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR