一种具有启动电流抑制的滤波组件制造技术

技术编号:14463756 阅读:105 留言:0更新日期:2017-01-20 15:26
本实用新型专利技术公开了一种具有启动电流抑制的滤波组件,包括电流抑制电路和滤波电路,所述电流抑制电路包括延迟电阻、充电电阻、稳压二极管、第一延迟电容和N沟道MOS管,所述滤波电路包括第一共模电感、第二共模电感、第二差模电容、第三共模电容、第四共模电容、第五共模电容、第六共模电容和第七差模电容。本实用新型专利技术一种具有启动电流抑制的滤波组件通过电流抑制电路实现软启动,并通过软启动达到了启动电流抑制的效果;在通过滤波电路进行二阶EMI滤波,对电磁干扰进行抑制。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种滤波组件,尤其涉及一种具有启动电流抑制的滤波组件。
技术介绍
常规的滤波器是由电感和电容组合而成,在系统上电时,由于差模电容的存在,造成上电时存在很大的启动电流。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种具有启动电流抑制的滤波组件。本技术通过以下技术方案来实现上述目的:一种具有启动电流抑制的滤波组件,包括电流抑制电路和滤波电路,所述电流抑制电路包括延迟电阻、充电电阻、稳压二极管、第一延迟电容和N沟道MOS管,所述滤波电路包括第一共模电感、第二共模电感、第二差模电容、第三共模电容、第四共模电容、第五共模电容、第六共模电容和第七差模电容,所述延迟电阻的第一端分别与所述第二差模电容的第一端和所述第一共模电感的第一输入端连接且为所述滤波组件的正极输入端,所述延迟电阻的第二端分别与所述第一延迟电容的第一端、所述稳压二极管的负极和所述N沟道MOS管的栅极连接,所述N沟道MOS管的源极分别与所述稳压二极管的正极、所述第一延迟电容的第二端、所述充电电阻的第一端连接且为所述滤波组件的负极输入端,所述N沟道MOS管的漏极分别与所述第二差模电容的第二端、所述充电电阻的第二端和所述第一共模电感的第二输入端连接,所述第一共模电感的第一输出端分别与所述第三共模电容的第一端和所述所述第二共模电感的第一输入端连接,所述第一共模电感的第二输出端分别与所述第四共模电容的第一端和所述第二共模电感的第二输出端连接,所述第二共模电感的第一输出端分别与所述第五共模电容的第一端和所述第七差模电容的第一端连接且为所述滤波组件的正极输出端,所述第二共模电感的第二输出端分别与所述第六共模电容的第一端和所述第七差模电容的第二端连接且为所述滤波组件的负极输出端,所述第三共模电容的第二端、所述第四共模电容的第二端、所述第五共模电容的第二端和所述第六共模电容的第二端连接并接地。本技术的有益效果在于:本技术一种具有启动电流抑制的滤波组件通过电流抑制电路实现软启动,并通过软启动达到了启动电流抑制的效果;在通过滤波电路进行二阶EMI滤波,对电磁干扰进行抑制。附图说明图1是本技术所述一种具有启动电流抑制的滤波组件的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术作进一步说明:如图1所示,本技术一种具有启动电流抑制的滤波组件,包括电流抑制电路和滤波电路,电流抑制电路包括延迟电阻R1、充电电阻R2、稳压二极管V2、第一延迟电容C1和N沟道MOS管V1,滤波电路包括第一共模电感L1、第二共模电感L2、第二差模电容C2、第三共模电容C3、第四共模电容C4、第五共模电容C5、第六共模电容C6和第七差模电容C7,延迟电阻R1的第一端分别与第二差模电容C2的第一端和第一共模电感L1的第一输入端连接且为滤波组件的正极输入端,延迟电阻R1的第二端分别与第一延迟电容C1的第一端、稳压二极管V2的负极和N沟道MOS管V1的栅极连接,N沟道MOS管V1的源极分别与稳压二极管V2的正极、第一延迟电容C1的第二端、充电电阻R2的第一端连接且为滤波组件的负极输入端,N沟道MOS管V1的漏极分别与第二差模电容C2的第二端、充电电阻R2的第二端和第一共模电感L1的第二输入端连接,第一共模电感L1的第一输出端分别与第三共模电容C3的第一端和第二共模电感L2的第一输入端连接,第一共模电感L1的第二输出端分别与第四共模电容C4的第一端和第二共模电感L2的第二输出端连接,第二共模电感L2的第一输出端分别与第五共模电容C5的第一端和第七差模电容C7的第一端连接且为滤波组件的正极输出端,第二共模电感L2的第二输出端分别与第六共模电容C6的第一端和第七差模电容C7的第二端连接且为滤波组件的负极输出端,第三共模电容C3的第二端、第四共模电容C4的第二端、第五共模电容C5的第二端和第六共模电容C6的第二端连接并接地。本技术一种具有启动电流抑制的滤波组件的工作原理如下:电流抑制部分在开启时工作,整个电流回路点通过延迟电阻R1对第一延迟电容C1和第二差模电容C2充电,当电容充电饱和时,开启N沟道MOS管V1,将充电电阻R2短路,完成软启动的过程,达到启动电流抑制的效果。在通过两个共模电感、两个差模电容和四个共模电容组成二阶EMI滤波部分,对电磁干扰进行抑制。部分元器件的明细表如下:代号名称型号L1第一共模电感R10KH22×11×5JL2第二共模电感R10KH22×11×5JV2稳压二极管1N4745AC1第一延迟电容JCT41-1210-2C1-100V-105KC2第二差模电容JCT41-1210-2C1-50V-226MC3第三共模电容JCT41-1210-2C1-500V-472KC4第四共模电容JCT41-1210-2C1-500V-472KC5第五共模电容JCT41-1210-2C1-500V-682KC6第六共模电容JCT41-1210-2C1-500V-682KC7第七差模电容JCT41-1210-2C1-50V-226MR1延迟电阻RMK2012KB105FMR2充电电阻RMG10-50W-10ΩJV1N沟道MOS管FDL100N50F本技术的技术方案不限于上述具体实施例的限制,凡是根据本技术的技术方案做出的技术变形,均落入本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有启动电流抑制的滤波组件,其特征在于:包括电流抑制电路和滤波电路,所述电流抑制电路包括延迟电阻、充电电阻、稳压二极管、第一延迟电容和N沟道MOS管,所述滤波电路包括第一共模电感、第二共模电感、第二差模电容、第三共模电容、第四共模电容、第五共模电容、第六共模电容和第七差模电容,所述延迟电阻的第一端分别与所述第二差模电容的第一端和所述第一共模电感的第一输入端连接且为所述滤波组件的正极输入端,所述延迟电阻的第二端分别与所述第一延迟电容的第一端、所述稳压二极管的负极和所述N沟道MOS管的栅极连接,所述N沟道MOS管的源极分别与所述稳压二极管的正极、所述第一延迟电容的第二端、所述充电电阻的第一端连接且为所述滤波组件的负极输入端,所述N沟道MOS管的漏极分别与所述第二差模电容的第二端、所述充电电阻的第二端和所述第一共模电感的第二输入端连接,所述第一共模电感的第一输出端分别与所述第三共模电容的第一端和所述所述第二共模电感的第一输入端连接,所述第一共模电感的第二输出端分别与所述第四共模电容的第一端和所述第二共模电感的第二输出端连接,所述第二共模电感的第一输出端分别与所述第五共模电容的第一端和所述第七差模电容的第一端连接且为所述滤波组件的正极输出端,所述第二共模电感的第二输出端分别与所述第六共模电容的第一端和所述第七差模电容的第二端连接且为所述滤波组件的负极输出端,所述第三共模电容的第二端、所述第四共模电容的第二端、所述第五共模电容的第二端和所述第六共模电容的第二端连接并接地。...

【技术特征摘要】
1.一种具有启动电流抑制的滤波组件,其特征在于:包括电流抑制电路和滤波电路,所述电流抑制电路包括延迟电阻、充电电阻、稳压二极管、第一延迟电容和N沟道MOS管,所述滤波电路包括第一共模电感、第二共模电感、第二差模电容、第三共模电容、第四共模电容、第五共模电容、第六共模电容和第七差模电容,所述延迟电阻的第一端分别与所述第二差模电容的第一端和所述第一共模电感的第一输入端连接且为所述滤波组件的正极输入端,所述延迟电阻的第二端分别与所述第一延迟电容的第一端、所述稳压二极管的负极和所述N沟道MOS管的栅极连接,所述N沟道MOS管的源极分别与所述稳压二极管的正极、所述第一延迟电容的第二端、所述充电电阻的第一端连接且为所述滤波组件的负极输入端,所述N沟...

【专利技术属性】
技术研发人员:盛杰王文圣陈晓文
申请(专利权)人:成都必控科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:四川;51

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