一种具有防反接功能的预稳压电路制造技术

技术编号:14461260 阅读:115 留言:0更新日期:2017-01-19 19:42
本实用新型专利技术公开了一种具有防反接功能的预稳压电路,包含依次连接的过压嵌位电路和BOOST升压电路,所述BOOST升压电路包含同步整流驱动电路、输入电容C2、电感L1、续流MOS管Q2、开关MOS管Q3、开关MOS管Q4和输出电容C3,其中开关MOS管Q3、开关MOS管Q4背靠背连接。本实用新型专利技术有效抑制了航空器供电电源正常过欠压浪涌和电压波动对用电设备的影响,同时在正常输入电压范围内,对整个机载电子设备电源转换效率影响极小,且具备防反接保护功能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及稳压电路,特别涉及一种具有欠压浪涌调整功能的稳压电路。
技术介绍
在高可靠性供电的航空电子设备中,需要二次电源对航空器供电电源的正常过欠压浪涌有调整功能,同时具备宽范围的输入电压。对于28V直流电源供电系统负载转换、调节器校正动作等正常工作时造成的过欠压浪涌和电压波动,二次电源应能不受损害并持续稳定供电,以确保电子设备的工作不发生中断。为了上述功能,现有的航空电子设备二次电源一般采用了输入端一级或者多级LC滤波,实现中高频浪涌尖峰电压的抑制,其缺陷是对低频浪涌电压的抑制能较低,需要附加输入端过压保护电路,同时对欠压浪涌不起作用,此外,输入电压的波动对后端DC-DC模块会产生冲击,影响DC-DC模块可靠性,增加维护成本。鉴于过欠压浪涌和电压宽范围波动的危害性,因此,如何限制浪涌电压和电压波动的危害成为机载电用电设备设计时必须面对的问题。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于提供一种具有防反接功能的预稳压电路,作为用电设备二次电源的输入保护控制电路,有效抑制了航空器供电电源正常过欠压浪涌和电压波动对用电设备的影响,同时在正常输入电压范围内,对整个机载电子设备电源转换效率影响极小,提高了用电设备的整体供电兼容性能。本技术的专利技术目的通过以下技术方案实现:一种具有防反接功能的预稳压电路,包含依次连接的过压嵌位电路和BOOST升压电路,所述过压嵌位电路用于将输入的电压控制在欠压或正常范围内输出给BOOST升压电路,所述BOOST升压电路用于当过压嵌位电路输出的电压为欠压时进行升压后输出,当过压嵌位电路输出的电压为正常时直接输出,所述BOOST升压电路包含同步整流驱动电路、输入电容C2、电感L1、续流MOS管Q2、开关MOS管Q3、开关MOS管Q4和输出电容C3,同步整流驱动电路的输入端、电感L1的一端、输入电容C2的一端连接到BOOST升压电路的输入正,输入电容C2的另一端连接输入负,电感L1的另一端与续流MOS管Q2的S端、开关MOS管Q3的D端连接,续流MOS管Q2的D端与电容C3的一端相连,开关MOS管Q3的S端与开关MOS管Q4的S端相连,开关MOS管Q4的D端和输出电容C3的另一端与输出负相连,同步整流驱动电路的输入端还与续流MOS管Q2的G端、开关MOS管Q3、开关MOS管Q4的G端相连。优选地,同步整流驱动电路包含二极管V12、同步整流BOOST升压集成电路IC2、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11,二极管V12的阳极连接到BOOST升压电路的输入正,同步整流BOOST升压集成电路IC2的VBIAS端口连接到二极管V12的阴极,同步整流BOOST升压集成电路IC2的TG端口与续流MOS管Q2的G端相连,同步整流BOOST升压集成电路IC2的BG端口与开关MOS管Q3、开关MOS管Q4的G端相连,同步整流BOOST升压集成电路IC2的VFB端口与电阻R9的一端、电阻R8的一端相连,电阻R9的另一端与输出正相连,电阻R8的另一端、电容C8的一端、电容C9的一端、电容C10的一端、电容C11的一端以及同步整流BOOST升压集成电路IC2的FREQ端口、GND端口与输出负相连,电容C10的另一端与同步整流BOOST升压集成电路IC2的INTVCC端口相连,电容C11的另一端与同步整流BOOST升压集成电路IC2的SS端口相连,电容C8的另一端与电阻R10的一端相连,电容C9的另一端、电阻R10的另一端与同步整流BOOST升压集成电路IC2的ITH端口相连。优选地,所述过压嵌位电路包含自举升压驱动电路、嵌位电路和MOS管Q1,所述自举升压驱动电路用于在输入电压处于欠压和正常输入范围时使MOS管Q1处于直通状态,在输入电压处于过压范围时启动嵌位电路;所述嵌位电路用于把电压嵌位在正常电压范围内。优选地,所述过压嵌位电路包含电容C1、二极管V2和二极管V1,所述自举升压驱动电路包含二极管V6、电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管V3、二极管V4、二极管V5、555定时器IC1、电容C4、电容C5、电容C6和电容C7,MOS管Q1的D端、电容C1的一端和二极管V1的一端连接到输入端正,电容C1的另一端和二极管V1的另一端连接到输入端负,MOS管Q1的S端和二极管V2的阳极以及二极管V6的阳极连接,电阻R1的一端和二极管V2的阴极连接到MOS管的G端,二极管V3的阳极连接到同步整流驱动电路,二极管V3的阴极和电阻R3的一端连接到555定时器IC1的RESET端口和VCC端口,电阻R3的另一端连接到555定时器IC1的DISCH端口和电阻R2的一端,电阻R2的另一端连接到555定时器IC1的TRIG端口、THRES端口和电容C6的一端,电容C6的另一端、电容C4的一端和555定时器IC1的GND端口均接输入负,电容C4的另一端接到555定时器IC1的CONT端口,555定时器IC1的OUT端口连接到电容C5的一端,电容C5的另一端、二极管V4的阴极和二极管V5的阳极相连,二极管V4的阳极、二极管V6的阴极和电容C7的一端相连,电容C7另一端、电阻R1的另一端和二极管V5的阴极相连。优选地,所述嵌位电路包含二极管V7、二极管V8、二极管V9、二极管V10、二极管V11、电容C12、三极管T1、三极管T2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和MOS管Q5,二极管V7的阳极连接到输入正,二极管V7的阴极连接到二极管V10的阴极,二极管V10的阳极和电容C12的一端连接到三极管T1的基极,三极管T1的集电极和电阻R5的一端相连,电阻R5另一端和电阻R7的一端连接到同步整流驱动电路,电阻R7的另一端和电阻R4的一端连接到MOS管Q5的D端,三极管T1的发射极、二极管V11的阴极与MOS管Q5的G端,二极管V11的阳极、二极管V8的阳极、二极管V9的阳极三极管T2的发射极和MOS管Q5的S端相连,电阻R4的另一端与三极管T2的基极相连,三极管T2的集电极与电阻R6的一端相连,电阻R6的另一端、二极管V9的阴极和MOS管Q1的G端相连,电容C12的另一端、二极管V8的阴极和输入负相连。附图说明图1为本技术一种具有防反接功能的预稳压电路的结构示意图;图2为自举升压驱动电路的结构示意图;图3为嵌位电路的结构示意图;图4为同步整流驱动电路的结构示意图。具体实施方式本技术一种具有防反接功能的预稳压电路主要由两级电路构成:第一级为过压嵌位电路、第二级为BOOST升压电路组成(如图1),其中过压嵌位电路主要由自举升压驱动电路、嵌位电路和MOS管Q1等组成,BOOST升压电路是由改进的同步整流BOOST升压电路拓扑和具有100%占空比的同步整流BOOST升压控制电路构成,其中改进的同步整流BOOST升压电路拓扑与以往的同步整流BOOST升压电路拓扑的主要区别是开关管是由两只背靠背MOS管构成。过压嵌位电路中自举升压驱动电路由555定时器IC1构成的信号发生电路和外围电路构成,如图2所示,主要是提供输入正线上MOS管Q1的驱动功能,使其在欠压和正常输入范围处于直通状态。其中MOS管Q1的D端、电容C1的一端和二极管V1的一端连接到输入端正(VIN),电容C1的另一端和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有防反接功能的预稳压电路,包含依次连接的过压嵌位电路和BOOST升压电路,所述过压嵌位电路用于将输入的电压控制在欠压或正常范围内输出给BOOST升压电路,所述BOOST升压电路用于当过压嵌位电路输出的电压为欠压时进行升压后输出,当过压嵌位电路输出的电压为正常时直接输出,其特征在于所述BOOST升压电路包含同步整流驱动电路、输入电容C2、电感L1、续流MOS管Q2、开关MOS管Q3、开关MOS管Q4和输出电容C3,同步整流驱动电路的输入端、电感L1的一端、输入电容C2的一端连接到BOOST升压电路的输入正,输入电容C2的另一端连接输入负,电感L1的另一端与续流MOS管Q2的S端、开关MOS管Q3的D端连接,续流MOS管Q2的D端与电容C3的一端相连,开关MOS管Q3的S端与开关MOS管Q4的S端相连,开关MOS管Q4的D端和输出电容C3的另一端与输出负相连,同步整流驱动电路的输入端还与续流MOS管Q2的G端、开关MOS管Q3、开关MOS管Q4的G端相连。

【技术特征摘要】
1.一种具有防反接功能的预稳压电路,包含依次连接的过压嵌位电路和BOOST升压电路,所述过压嵌位电路用于将输入的电压控制在欠压或正常范围内输出给BOOST升压电路,所述BOOST升压电路用于当过压嵌位电路输出的电压为欠压时进行升压后输出,当过压嵌位电路输出的电压为正常时直接输出,其特征在于所述BOOST升压电路包含同步整流驱动电路、输入电容C2、电感L1、续流MOS管Q2、开关MOS管Q3、开关MOS管Q4和输出电容C3,同步整流驱动电路的输入端、电感L1的一端、输入电容C2的一端连接到BOOST升压电路的输入正,输入电容C2的另一端连接输入负,电感L1的另一端与续流MOS管Q2的S端、开关MOS管Q3的D端连接,续流MOS管Q2的D端与电容C3的一端相连,开关MOS管Q3的S端与开关MOS管Q4的S端相连,开关MOS管Q4的D端和输出电容C3的另一端与输出负相连,同步整流驱动电路的输入端还与续流MOS管Q2的G端、开关MOS管Q3、开关MOS管Q4的G端相连。2.根据权利要求1所述的一种具有防反接功能的预稳压电路,其特征在于同步整流驱动电路包含二极管V12、同步整流BOOST升压集成电路IC2、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11,二极管V12的阳极连接到BOOST升压电路的输入正,同步整流BOOST升压集成电路IC2的VBIAS端口连接到二极管V12的阴极,同步整流BOOST升压集成电路IC2的TG端口与续流MOS管Q2的G端相连,同步整流BOOST升压集成电路IC2的BG端口与开关MOS管Q3、开关MOS管Q4的G端相连,同步整流BOOST升压集成电路IC2的VFB端口与电阻R9的一端、电阻R8的一端相连,电阻R9的另一端与输出正相连,电阻R8的另一端、电容C8的一端、电容C9的一端、电容C10的一端、电容C11的一端以及同步整流BOOST升压集成电路IC2的FREQ端口、GND端口与输出负相连,电容C10的另一端与同步整流BOOST升压集成电路IC2的INTVCC端口相连,电容C11的另一端与同步整流BOOST升压集成电路IC2的SS端口相连,电容C8的另一端与电阻R10的一端相连,电容C9的另一端、电阻R10的另一端与同步整流BOOST升压集成电路IC2的ITH端口相连。3.根据权利要求1所述的一种具有防反接功能的预稳压电路,其特征在于所述过压嵌位电路包含自举升压驱动电路、嵌位电路和MOS管Q1,所述自举升压驱动电路用于在输入电压处于欠压和正常输入范围...

【专利技术属性】
技术研发人员:邰永红陈栋王斌孙亚
申请(专利权)人:中国航空无线电电子研究所
类型:新型
国别省市:上海;31

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