【技术实现步骤摘要】
本技术属于电力电子元器件，特别涉及一种带温度传感器的场效应晶体管三相桥模块。
技术介绍
金属大功率封装的场效应晶体管三相桥模块内部采用大功率场效应晶体管芯片，在使用过程中，由于电流比较大，模块内部没有温度传感器，只能在外壳的底座或散热器上采集模块温度，这样采集的温度数据既不准确，也不方便。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述技术不足，提供一种结构简单，灵敏度高，采集温度准确的带温度传感器的场效应晶体管三相桥模块。本技术解决技术问题采用的技术方案是：带温度传感器的场效应晶体管三相桥模块包括氮化铝陶瓷基片、芯片、主电极、控制电极、陶瓷绝缘环，其特点是在金属陶瓷外壳底部并列真空焊接三个氮化铝陶瓷基片，每个氮化铝陶瓷基片上面上下对应真空焊接两排芯片，每三个芯片为一排，氮化铝陶瓷基片与芯片之间、芯片与主电极之间，氮化铝陶瓷基片与主电极之间均用铝丝连接，主电极表面镀有镀金保护层，其中一个氮化铝陶瓷基片上面焊接温度传感器，温度传感器与控制电极之间用铝丝连接，主电极与金属陶瓷外壳之间装有陶瓷绝缘环，金属陶瓷外壳内腔用硅凝胶灌封，金属陶瓷外壳与壳盖之间焊接连接。本技术的有益效果是：带温度传感器的场效应晶体管三相桥模块结构简单，能够比较准确地采集模块内部温度，具有灵敏度高、采集温度准确的优点，便于保护模块，安全可靠。附图说明以下结合附图以实施例具体说明。图1是带温度传感器的场效应晶体管三相桥模块结构图。图2是图1的A-A剖视图。图中，1-金属陶瓷外壳；2-氮化铝陶瓷基片；3-芯片；4-主电极；5-铝丝；6-控制电极；7-硅凝胶；8-壳盖；9-温度传感器；10-镀金保护层；1...
【技术保护点】
一种带温度传感器的场效应晶体管三相桥模块，包括氮化铝陶瓷基片（2）、芯片（3）、主电极（4）、控制电极（6）、陶瓷绝缘环（11），其特征在于在金属陶瓷外壳（1）底部并列真空焊接三个氮化铝陶瓷基片（2），每个氮化铝陶瓷基片（2）上面上下对应真空焊接两排芯片（3），每三个芯片（3）为一排，氮化铝陶瓷基片（2）与芯片（3）之间、芯片（3）与主电极（4）之间，氮化铝陶瓷基片（2）与主电极（4）之间均用铝丝（5）连接，主电极（4）表面镀有镀金保护层（10），其中一个氮化铝陶瓷基片（2）上面焊接温度传感器（9），温度传感器（9）与控制电极（6）之间用铝丝（5）连接，主电极（4）与金属陶瓷外壳（1）之间装有陶瓷绝缘环（11），金属陶瓷外壳（1）内腔用硅凝胶（7）灌封，金属陶瓷外壳（1）与壳盖（8）之间焊接连接。
【技术特征摘要】
1.一种带温度传感器的场效应晶体管三相桥模块，包括氮化铝陶瓷基片（2）、芯片（3）、主电极（4）、控制电极（6）、陶瓷绝缘环（11），其特征在于在金属陶瓷外壳（1）底部并列真空焊接三个氮化铝陶瓷基片（2），每个氮化铝陶瓷基片（2）上面上下对应真空焊接两排芯片（3），每三个芯片（3）为一排，氮化铝陶瓷基片（2）与芯片（3）之间、芯片（3）与主电极（4）之...
【专利技术属性】
技术研发人员：白添淇，董双福，代金辉，李宫怀，刘继红，郭志勇，白银娜，
申请(专利权)人：阜新市天琪电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21
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