激光二极管制造技术

本发明专利技术提供了一种激光二极管，包括设在顶部的P型半导体和设在底部的N型半导体，所述的P型半导体和N型半导体之间设有光活性半导体，所述的P型半导体、N型半导体和光活性半导体的端面均为抛光面，所述的光活性半导体的材料选自TiO2、ZnO、α‑Fe2O3、ZnS、CdS、WO3、SnO2或SrTiO3。本发明专利技术的激光二极管，具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）激光二极管的稳定性和互换性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种激光二极管，属于半导体

技术介绍
二极管是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（VaricapDiode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。现有的二极管存在如下不足之处：1）引脚容易被折弯或折断；2）激光二极管的稳定性和互换性较差。这些不足之处都严重影响了二极管的使用寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的不足之处，提供一种激光二极管。本专利技术的激光二极管，其特征在于，包括设在顶部的P型半导体和设在底部的N型半导体，所述的P型半导体和N型半导体之间设有光活性半导体，所述的P型半导体、N型半导体和光活性半导体的端面均为抛光面，所述的光活性半导体的材料选自TiO2、ZnO、α-Fe2O3、ZnS、CdS、WO3、SnO2或SrTiO3。根据权利要求1所述的激光二极管，其特征在于，所述的顶部的P型半导体和底部的N型半导体上均设有引脚，P型半导体引脚和N型半导体引脚采用铁镍钴合金。本专利技术的激光二极管，具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）激光二极管的稳定性和互换性好。具体实施方式本专利技术的激光二极管，包括设在顶部的P型半导体和设在底部的N型半导体，所述的P型半导体和N型半导体之间设有光活性半导体，所述的P型半导体、N型半导体和光活性半导体的端面均为抛光面，所述的光活性半导体的材料选自TiO2、ZnO、α-Fe2O3、ZnS、CdS、WO3、SnO2或SrTiO3。顶部的P型半导体和底部的N型半导体上均设有引脚，P型半导体引脚和N型半导体引脚采用铁镍钴合金。本文档来自技高网...

【技术保护点】
激光二极管，其特征在于，包括设在顶部的P型半导体和设在底部的N型半导体，所述的P型半导体和N型半导体之间设有光活性半导体，所述的P型半导体、N型半导体和光活性半导体的端面均为抛光面，所述的光活性半导体的材料选自TiO2、ZnO、α‑Fe2O3、ZnS、CdS、WO3、SnO2或SrTiO3。

【技术特征摘要】
1.激光二极管，其特征在于，包括设在顶部的P型半导体和设在底部的N型半导体，所述的P型半导体和N型半导体之间设有光活性半导体，所述的P型半导体、N型半导体和光活性半导体的端面均为抛光面，所述的光活性半导体的材料选自TiO2...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明，
申请(专利权)人：南通明芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32