本发明专利技术涉及电容式触摸屏走线设计,尤其涉及一种化学镀金析出的ITO走线优化设计方法。优化化学镀金析出的ITO走线设计方法,包括ITO玻璃的待镀金部分和不镀金部分,所述待镀金部分和不镀金的驱动区蚀刻有走线,所述不镀金的驱动区覆盖有镀金保护膜,之后通过化学镀金工艺对每块触控玻璃的走线进行镀金;其在镀金不容易析出的地方附近区域且位于所述ITO玻璃上的非走线部分设置独立的镀金处理诱导件;所述镀金不容易析出的地方为镀金处理面积小的区域;所述独立的镀金处理诱导件为设置在所述ITO玻璃上的独立的ITO图形。本发明专利技术镀金结构使镀金更容易析出,且镀金厚度更均匀,电容式触摸屏产品稳定性和传输信号能力更好。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电容式触摸屏走线设计,尤其涉及一种化学镀金析出的ITO走线优化设计方法。
技术介绍
采用镀金工艺走线的电容式触摸屏目前处于研发阶段,是世界上从未实现量产。与现在普遍采用的钼铝钼工艺走线相比,有更好的稳定性以及耐腐蚀性,并且由于工序数少可以降低成本。镀金工艺适用于车载,工控类等具有严格质量要求的高端产品。镀金走线设计是影响到镀金结果的直接因素。CN104281337A(2015-1-14)公开了一种电容屏边缘走线镀金属方法及电容屏,然而该方法未提出如何能使镀金有效析出的ITO走线设计方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能使镀金有效析出的优化化学镀金析出的ITO走线设计方法。本专利技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:一种优化化学镀金析出的ITO走线设计方法,包括ITO玻璃的待镀金部分和不镀金部分,所述待镀金部分和不镀金的驱动区蚀刻有走线,所述不镀金的驱动区覆盖有镀金保护膜,之后通过化学镀金工艺对每块触控玻璃的走线进行镀金;其在镀金不容易析出的地方附近区域且位于所述ITO玻璃上的非走线部分设置独立的镀金处理诱导件;所述镀金不容易析出的地方为镀金处理面积小的区域;所述独立的镀金处理诱导件为设置在所述ITO玻璃上的独立的ITO图形。本专利技术镀金不析出是指镀不上金,镀金不容易析出是指不容易镀上金。专利技术人经过长期的研发试验,发现电容式触摸屏镀金在镀金过程中,存在以下总结规律:①走线密集的地方镀金容易析出;②走线不密集的地方镀金不容易析出;③线宽大的走线镀金容易析出;④线宽小的走线镀金不容易析出;⑤如果进行镀金处理的区域面积大,镀金容易析出;⑥如果进行镀金处理的区域面积小,镀金不容易析出;⑦作为⑥的例外,即使进行镀金处理区域的面积小,如果附近存在较大面积的镀金处理区域,将诱导小面积区域的镀金析出。专利技术人经过长期的研发试验,发现除了面积比率外,以上因素也会导致镀金未析出,本技术是针对这样情况的一种解决方案。在镀金不容易析出的地方附近区域设置独立的镀金诱导件,将会引导小面积的ITO镀金更容易析出。作为优选,所述镀金处理面积小的区域为镀金走线与非镀金驱动区域连接的地方,在镀金走线与非镀金驱动区域连接的地方的附近区域且位于所述ITO玻璃上的非走线部分设置独立的镀金诱导件,用以促进镀金析出。更优选地,所述独立的镀金诱导件为独立浮岛结构的ITO图形。作为优选,所述镀金处理面积小的区域为走线不密集的区域,在走线不密集的区域附近且位于所述ITO玻璃上的非走线部分设置独立的镀金诱导件,用以促进镀金析出。更优选地,所述独立的镀金诱导件为独立浮岛结构的ITO图形。作为优选,所述镀金处理面积小的区域为线宽小的走线区域,在玻璃切割后将废弃的非使用部位设置独立的镀金诱导件,用以促进镀金析出,待镀金析出后,切除并废弃非使用部位。更优选地,所述独立的镀金诱导件为独立浮岛结构的ITO图形。作为优选,所述镀金处理面积小的区域为走线不密集的区域,在走线不密集的区域加宽GND接地线,用以促进镀金析出。作为优选,所述镀金处理面积小的区域为线宽小的走线区域,在玻璃切割后不废弃的使用部位且位于所述ITO玻璃上的非走线部分设置独立的镀金诱导件,用以促进镀金析出。更优选地,所述独立的镀金诱导件为独立浮岛结构的ITO图形。作为优选,所述镀金处理面积小的区域为线宽小的走线区域,在线宽小的走线区域加宽GND接地线,用以促进镀金析出。采用本专利技术的方法不满足原有设计方法中尽可能的使走线总面积小或者使镀金的ITO面积尽量的大的原则,是一种新的设计方法,不改变现有的镀金面积,通过在镀金不容易析出的地方附近区域设置独立的镀金处理诱导件,使镀金更容易析出,且镀金厚度更均匀,电容式触摸屏产品稳定性和传输信号能力更好。附图说明图1是ITO玻璃镀金容易析出部分的结构示意图;图2是本专利技术ITO玻璃镀金不容易析出部分的结构示意图;图3是ITO玻璃镀金走线与非镀金走线连接部分的结构示意图;图4是本专利技术镀金走线与非镀金走线连接地方区域附近设置独立的镀金诱导件的结构示意图;图5是ITO玻璃走线不密集的地方的结构示意图;图6是本专利技术在走线不密集地方区域附近加宽GND线的结构示意图;图7是本专利技术在走线不密集地方区域附近设置独立的镀金诱导件的结构示意图;图8是ITO玻璃走线线宽小的地方的结构示意图;图9是本专利技术在玻璃切割后将废弃的非使用部位设置独立的镀金诱导件的结构示意图;图10是本专利技术在玻璃切割后不废弃的使用部位设置独立的镀金诱导件的结构示意图;图11是本专利技术在走线线宽小的地方区域附近加宽GND线的结构示意图;图12是ITO玻璃单独走线示意图;图13是ITO玻璃多数走线示意图;图14是本专利技术ITO玻璃单独走线附近设置大面积的ITO图形示意图;图15是本专利技术在玻璃切割后不废弃的使用部位设置独立浮岛结构的ITO图形示意图;图16是在镀金走线与非镀金驱动区域连接的地方的附近区域设置独立浮岛结构的ITO图形示意图。具体实施方式以下结合图1-图16对本专利技术作进一步详细说明。优化化学镀金析出的ITO走线设计方法包括ITO玻璃的待镀金部分和不镀金部分,待镀金部分和不镀金的驱动区上蚀刻有走线,不镀金的驱动区覆盖有镀金保护膜,之后通过化学镀金工艺对每块触控玻璃的走线进行镀金;其在镀金不容易析出的地方附近区域设置独立的镀金处理诱导件;镀金不容易析出的地方镀金处理面积小的区域;独立的镀金处理诱导件为独立的ITO图形。专利技术人经过长期的研发试验,发现电容式触摸屏镀金在镀金过程中,存在以下总结规律:①走线密集的地方镀金容易析出,例如图1中的B部位;②走线不密集的地方镀金不容易析出,例如图2中的D部位;③线宽大的走线镀金容易析出,例如图1中的A部位;④线宽小的走线镀金不容易析出,例如图2中的E部位;⑤如果进行镀金处理的区域面积大,镀金容易析出;⑥如果进行镀金处理的区域面积小,镀金不容易析出;⑦作为⑥的例外,即使进行镀金处理区域的面积小,如果附近存在较大面积的镀金处理区域,将诱导小面积区域的镀金析出。例如图12中的单独走线1镀金不容易析出;但图13多数走线1或图14单独走线1附近存在大面积的ITO图形时,镀金更容易析出。实施例一镀金处理面积小的区域为镀金走线与非镀金驱动区域连接的地方,具体例如图2中的C部位或图3中的C部位;在镀金走线与非镀金驱动区域连接的地方的附近区域例如图4中的C*部位设置独立的镀金诱导件,用以促进镀金析出。独立的镀金诱导件可以为独立浮岛结构的ITO图形。例如图16中追加的浮岛结构的ITO图形2。实施例二镀金处理面积小的区域为走线不密集的区域,具体例如图5中的D部位;专利技术人在走线不密集的区域附近具体例如图7中的D*部位设置独立的镀金诱导件,用以促进镀金析出。独立的镀金诱导件可以为独立浮岛结构的ITO图形。实施例三镀金处理面积小的区域为走线不密集的区域,专利技术人在走线不密集的区域加宽GND接地线,例如按照图6中的D*部位加宽GND线,用以促进镀金析出。实施例四镀金处理面积小的区域为线宽小的走线区域,例如图2中的E部位或图8中的E部位,专利技术人在玻璃切割后将废弃的非使用部位例如图9中的E*部位设置独立的镀金诱导件,用以促进镀金析出。独立的镀金诱导件可以为独立浮岛结构的ITO图形。实施例五本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种优化化学镀金析出的ITO走线设计方法,包括ITO玻璃的待镀金部分和不镀金部分,所述待镀金部分和不镀金的驱动区蚀刻有走线,所述不镀金的驱动区覆盖有镀金保护膜,之后通过化学镀金工艺对每块触控玻璃的走线进行镀金;其特征在于:在镀金不容易析出的地方附近区域且位于所述ITO玻璃上的非走线部分设置独立的镀金处理诱导件;所述镀金不容易析出的地方为镀金处理面积小的区域;所述独立的镀金处理诱导件为设置在所述ITO玻璃上的独立的ITO图形。
【技术特征摘要】
1.一种优化化学镀金析出的ITO走线设计方法,包括ITO玻璃的待镀金部分和不镀金部分,所述待镀金部分和不镀金的驱动区蚀刻有走线,所述不镀金的驱动区覆盖有镀金保护膜,之后通过化学镀金工艺对每块触控玻璃的走线进行镀金;其特征在于:在镀金不容易析出的地方附近区域且位于所述ITO玻璃上的非走线部分设置独立的镀金处理诱导件;所述镀金不容易析出的地方为镀金处理面积小的区域;所述独立的镀金处理诱导件为设置在所述ITO玻璃上的独立的ITO图形。2.根据权利要求1所述的一种优化化学镀金析出的ITO走线设计方法,其特征在于:所述镀金处理面积小的区域为镀金走线与非镀金驱动区域连接的地方,在镀金走线与非镀金驱动区域连接的地方的附近区域且位于所述ITO玻璃上的非走线部分设置独立的镀金诱导件,用以促进镀金析出。3.根据权利要求1所述的一种优化化学镀金析出的ITO走线...
【专利技术属性】
技术研发人员:胜本宪三,榎本悠一,
申请(专利权)人:湖州胜僖电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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