本发明专利技术提供一种具碳烯结构的铂络合物及使用此铂络合物的有机发光二极管。此铂络合物的结构包括：一个铂金属离子、零价的第一含氮杂环双牙配基，以及负二价的第二含氮杂环双牙配基。第一含氮杂环双牙配基具有至少一个与铂配位键结的碳烯部位。第二含氮杂环双牙配基具有至少一个吸电子取代基，且与中心的铂金属离子形成二个氮-铂键或一个氮-铂键与一个碳-铂键。在本发明专利技术的具碳烯结构的铂络合物中，具有至少一个与铂配位键结的碳烯部位的零价的第一含氮杂环双牙配基，这些碳烯配基除具有较高能量的空置轨道、能使发光波长蓝移，也可提高中心铂金属的d-d轨道的跃迁能级，而增加发光效率，从而得到高发光效率的蓝光或绿光材料。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种适用于有机发光二极管的铂络合物，尤其涉及一种具碳烯结构的铂络合物及使用此铂络合物的有机发光二极管，以及适合用来形成此种铂络合物的具碳烯部位的含氮杂环双牙配基。
技术介绍
有机电致发光装置一般包含有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，以下简称OLED)及驱动元件，其中有机发光二极管是以可在受激发后放射出可见光的有机材料作为发光层。发光层大都采用磷光材料，因其可同时利用单重态激子及三重态激子，而能有效提升OLED的发光效率。现有最强放光波长为470-530nm的化合物的蓝光放光效率普遍不佳。例如：美国专利6963005号公开了一种由一个氧-氧单阴离子双牙配位基、一个碳-磷单阴离子双牙配位基与一个铂(II)中心原子螯合而成的四配位铂(II)错合物。Inorg.Chem.,2007,11202-则揭示下式所示的四配位铂(II)错合物[Y表吡唑(pyrazole)或氯]，其固态的量子产率(quantumyield)最高仅为56％。
技术实现思路
本专利技术提供一种具碳烯结构的铂络合物及使用其的有机发光二极管，其用于OLED的发光层时可有效提升OLED的发光效率。本专利技术还提供一种使用此铂络合物的有机发光二极管。本专利技术还提供适合用来形成此种铂络合物的具碳烯部位的含氮杂环双牙配基。本专利技术的具碳烯结构的铂络合物的结构包括：一个铂金属离子、零价的第一含氮杂环双牙配基，及负二价的第二含氮杂环双牙配基。第一含氮杂环双牙配基具有至少一个与铂配位键结的碳烯部位。第二含氮杂环双牙配基有至少一个吸电子取代基，且与铂金属离子形成二个氮-铂键或一个氮-铂键与一个碳-铂键。在本专利技术的一实施方式中，上述具碳烯结构的铂络合物的结构由通式(I)或通式(II)表示：其中X为CH或N，且RF为-CmF2m+1，m为1～7的整数。在本专利技术的一实施方式中，第一含氮杂环双牙配基的结构由通式(1)、(2)或(3)表示：其中R1为氢、碳数1～12的烷基、未取代苯基或经取代苯基，各R2独立为碳数1～6的烷基，各R3独立为氢、碳数1～12的烷基、未取代苯基或经取代苯基，R4为氢或碳数1～6的烷基，n为1、2或3，其中任两相邻之R3可连成环。在本专利技术一实施方式中，上述具碳烯结构的铂络合物的结构由式(I-1-1)、(I-1-2)、(I-1-3)、(I-1-4)、(I-1-5)或(I-1-6)表示：在本专利技术的一实施方式中，上述具碳烯结构的铂络合物的结构由式(II-2-1)、(II-2-2)、(II-2-3)、(II-2-4)、(II-2-5)、(II-2-6)、(II-2-7)、(II-2-8)、(II-2-9)、(II-2-10)、(II-3-1)、(II-3-2)、(II-3-3)、(II-3-4)、(II-3-5)或(II-3-6)表示：在本专利技术的一实施方式中，上述具碳烯结构的铂络合物的结构由以下化学式之一所表示：本专利技术的有机发光二极管包括二电极及配置于所述二电极之间的一发光层，所述发光层含有上述具碳烯结构的铂络合物。本专利技术一实施方式的具碳烯部位的含氮杂环双牙配基的结构由上述通式(1)表示。本专利技术另一实施方式的具碳烯部位的含氮杂环双牙配基的结构由上述通式(2)表示。本专利技术又一实施方式的具碳烯部位的含氮杂环双牙配基的结构由上述通式(3)表示。在本专利技术的具碳烯结构的铂络合物中，具有至少一个与铂配位键结的碳烯部位的零价的第一含氮杂环双牙配基，这些碳烯配基除具有较高能量的空置轨道、能使发光波长蓝移，也可提高中心铂金属的d-d轨道的跃迁能级，而增加发光效率，从而得到高发光效率的蓝光或绿光材料。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1示出本专利技术实施例1～3所合成的具有一个碳烯结构的铂络合物的吸收光谱及磷光光谱图；图2示出本专利技术实施例4～9所合成的具有二个碳烯结构的铂络合物的吸收光谱图；图3示出本专利技术实施例4～9所合成的具有二个碳烯结构的铂络合物的磷光光谱图；图4示出本专利技术实施例10～14所合成的具有二个碳烯结构的铂络合物的吸收光谱及磷光光谱图。具体实施方式以下将通过实施方式对本专利技术作进一步说明，但该等实施方式仅为例示说明用，而非用以限制本专利技术的范围。具碳烯结构的铂络合物的结构本专利技术的具碳烯结构的铂络合物的结构包括：一个铂金属离子、零价的第一含氮杂环双牙配基及负二价的第二含氮杂环双牙配基。第一含氮杂环双牙配基有至少一个与铂配位键结的碳烯部位。第二含氮杂环双牙配基有至少一个吸电子取代基，且与铂金属离子形成二个氮-铂键或形成一个氮-铂键与一个碳-铂键。第一含氮杂环双牙配基例如是由通式(1)所表示的具有一个碳烯部位的双牙配基、由通式(2)表示的具有二个碳烯部位的双牙配基、或由通式(3)表示的具有二个碳烯部位且对称的双牙配基：其中R1为氢、碳数1～12的烷基、未取代苯基或经取代苯基，各R2独立为碳数1～6的烷基，各R3独立为氢、碳数1～12的烷基、未取代苯基或经取代苯基，R4为氢或碳数1～6的烷基，n为1、2或3，其中任两相邻的R3可连成环。另外，与铂金属离子形成二个氮-铂键的第二含氮杂环双牙配基例如是将下示对称含氮杂环化合物(4’)的两个质子拔除而得者，可由以下通式(4)表示。其中X为CH或N，且RF为-CmF2m+1，m为1～7的整数。此负二价双牙配基因含有吡唑基团、且氟烷基为吸电子基团所以可帮助调整铂络合物的HOMO能级，使HOMO能级与LUMO能级的差值符合经激发后可放射出可见光区域的磷光，而能应用在有机发光二极管上。此时上述具碳烯结构的铂络合物即可由以下通式(I)或通式(II)表示：其中通式(I)中具有一个碳烯结构的第一含氮杂环双牙配基，例如是由上述通式(1)所表示者，通式(II)中具有二个碳烯结构的第一含氮杂环双牙配基，例如是由上述通式(2)或(3)所表示者。符合通式(I)的具碳烯结构铂络合物的一些实际例子为：由前述式(I-1-1)、(I-1-2)、(I-1-3)、(I-1-4)、(I-1-5)或(I-1-6)所表示的铂络合物，后文将其简称为化合物(I-1-1)、(I-1-2)…。此种简称方式也套用于下文中以其他化学结构式表达的铂络合物。符合通式(II)的具碳烯结构铂络合物的一些实际例子为：由前述式(II-2-1)、(II-2-2)、(II-2-3)、(II-2-4)、(II-2-5)、(II-2-6)、(II-2-7)、(II-2-8)、(II-2-9)、(II-2-10)、(II-3-1)、(II-3-2)、(II-3-3)、(II-3-4)、(II-3-5)或(II-3-6)所表示的铂络合物。第二含氮杂环双牙配基不是由上述通式(4)表示的配基的具碳烯结构铂络合物的一些实际例子为：及其中，化合物(III-2-1)的结构比较接近前述化合物(II-2-1)，化合物(III-3-1)的结构比较接近前述化合物(II-3-3)，化合物(III-3-2)的结构比较接近前述化合物(II-3-5)。本专利技术的有机发光二极管包括二电极及配置于该二电极之间的一发光层，该发光层含有上述具碳烯结构的铂络合物。二电极各自的材料可选用本领域中通常使用者，各电极与发光层之间也可本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具碳烯结构的铂络合物，其特征在于，所述具碳烯结构的铂络合物的结构包括：一个铂金属离子、零价的第一含氮杂环双牙配基及负二价的第二含氮杂环双牙配基，其中第一含氮杂环双牙配基具有至少一个与铂配位键结的碳烯部位，第二含氮杂环双牙配基有至少一个吸电子取代基，且与铂金属离子形成二个氮‑铂键或一个氮‑铂键与一个碳‑铂键。
【技术特征摘要】
1.一种具碳烯结构的铂络合物，其特征在于，所述具碳烯结构的铂络合物的结构包括：一个铂金属离子、零价的第一含氮杂环双牙配基及负二价的第二含氮杂环双牙配基，其中第一含氮杂环双牙配基具有至少一个与铂配位键结的碳烯部位，第二含氮杂环双牙配基有至少一个吸电子取代基，且与铂金属离子形成二个氮-铂键或一个氮-铂键与一个碳-铂键。2.根据权利要求1所述的具碳烯结构的铂络合物，其特征在于，所述具碳烯结构的铂络合物的结构由通式(I)或通式(II)表示：其中X为CH或N，且RF为-CmF2m+1，m为1～7的整数。3.根据权利要求1或2所述的具碳烯结构的铂络合物，其特征在于，所述第一含氮杂环双牙配基的结构由通式(1)、(2)或(3)表示：其中R1为氢、碳数1～12的烷基、未取代苯基或经取代苯基，各R2独立为碳数1～6的烷基，各R3独立为氢、碳数1～12的烷基、未取代苯基或经取代苯基，R4为氢或碳数1～6的烷基，且n为1、2或3，其中任两相邻的R3可连结成环。4.根据权利要求3所述的具碳烯结构的铂络合物，其特征在于，所述具碳烯结构的铂络合物的结构由式(I-1-1)、(I-1-2)、(I-1-3)、(I-1-4)、(I-1-5)或(I-1-6)表示：5.根据权利要求3所述的具碳烯结构的铂络合物，其特征在于，所述具碳烯结构的铂络合物的结构由式(II-2-1)、(II-2-2)、(...
【专利技术属性】
技术研发人员：季昀，许哲维，曾崇豪，廖家翎，
申请(专利权)人：季昀，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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