发光二极体封装结构及晶片承载座制造技术

本发明专利技术提供一种发光二极体封装结构，包括晶片承载座及发光二极体晶片。晶片承载座包含陶瓷基板、设置于陶瓷基板上的线路层与陶瓷反射板、及金属块。陶瓷基板形成有贯穿的容置孔，金属块的主体部埋设于容置孔且凸伸出大致10微米至30微米，凸伸出的本体部区块定义为凸出块。金属块的延伸部相连于凸出块的外缘，并且延伸部顶面及凸出块顶面大致呈共平面并共同定义为固晶面。陶瓷反射板形成有贯穿的贯孔，金属块的固晶面经由贯孔而显露于陶瓷反射板之外。发光二极体晶片设置于固晶面上且电性连接于线路层。此外，本发明专利技术另提供一种晶片承载座。本发明专利技术的发光二极体封装结构及晶片承载座，通过金属块的本体部凸出于容置孔，避免曲面状固晶面产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种封装结构，且特别是有关于一种发光二极体封装结构及晶片承载座。
技术介绍
现有高功率之发光二极体封装结构对于技术要求较高，例如：波长、照度、与散热之要求。现有高功率之发光二极体封装结构大都采用高温共烧多层陶瓷(HighTemperatureCo-firedCeramic，HTCC)，而上述高温共烧技术之技术门槛与成本费用皆较高，进而阻碍高功率之发光二极体封装结构之发展。于是，本专利技术人有感上述缺陷之可改善，乃特潜心研究并配合学理之运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷之本专利技术。
技术实现思路
本专利技术实施例在于提供一种发光二极体封装结构及晶片承载座，其能有效地改善上述现有高功率之发光二极体封装结构所产生之问题。本专利技术实施例提供一种发光二极体封装结构，包括：一晶片承载座，包含：一陶瓷基板，其具有一第一板面、位于该第一板面相反侧的一第二板面、及位于该第一板面与该第二板面之间的一外侧面；其中，该陶瓷基板形成有贯穿该第一板面与该第二板面的一容置孔；一线路层，其设置于该陶瓷基板的该第一板面；一金属块，包含：一本体部，其设置于该陶瓷基板的该容置孔，该本体部凸伸出该第一板面大致10微米至30微米；其中，凸伸出该第一板面的该本体部区块定义为一凸出块；及一延伸部，其相连于该凸出块的外缘，并且该延伸部表面以及该凸出块表面大致呈共平面并共同定义为一固晶面；及一陶瓷反射板，其具有一第一表面、位于该第一表面相反侧的一第二表面、及位于该第一表面与该第二表面之间的一侧表面；其中，该陶瓷反射板设置于该陶瓷基板上并覆盖部分的该线路层，并且该陶瓷反射板形成有贯穿该第一表面与该第二表面的一贯孔，该金属块的该固晶面经由该贯孔而显露于该陶瓷反射板之外；以及一发光二极体晶片，其设置于该晶片承载座的该固晶面上，并且该发光二极体晶片电性连接于该线路层。在一可选的实施例中，该延伸部包含一第一延伸部及设置在该第一延伸部上的一第二延伸部，该第一延伸部与该第二延伸部呈环型并围绕该本体部的该凸出块。在一可选的实施例中，该线路层具有一第一线路及一第二线路，该第一线路与该第一延伸部相接，且该第一线路与该第一延伸部共平面，而该第二线路分离于该延伸部与该第一线路。在一可选的实施例中，该第一线路与该第二线路皆大致呈L型且各包含有垂直相连的一长侧部与一短侧部，该第一线路的该长侧部与该第二线路的该长侧部分别位于该固晶面的相反两侧且彼此平行，该第一线路的该短侧部与该第二线路的该短侧部位于该固晶面的一侧且彼此相向。在一可选的实施例中，该第一线路的该长侧部与该第二线路的该长侧部各于邻接其短侧部的内缘处，凹设形成有一缺口。在一可选的实施例中，进一步包括有一齐纳二极体晶片，该齐纳二极体晶片固定在自该贯孔而显露于该陶瓷反射板外的该第一线路之短侧部。在一可选的实施例中，该陶瓷基板与该陶瓷反射板皆大致为多边形构造，该陶瓷基板的该外侧面切齐于该陶瓷反射板的该侧表面，并且该陶瓷基板的该外侧面及该陶瓷反射板的该侧表面于其各个角落处形成有一圆弧状的缺角，该晶片承载座具有多个延伸线路，所述多个延伸线路分别形成于该陶瓷基板的该外侧面的所述多个缺角，并且所述多个延伸线路连接于该线路层，该晶片承载座具有一焊垫层，并且该焊垫层设置于该陶瓷基板的该第二板面，而所述多个延伸线路连接或分离于该焊垫层。在一可选的实施例中，该晶片承载座具有一焊垫层，并且该焊垫层设置于该陶瓷基板的该第二板面，而该金属块的该本体部连接于该焊垫层。在一可选的实施例中，该晶片承载座具有多个极性辨识垫，并且所述多个极性辨识垫包含有两种不同的外型，而所述多个极性辨识垫间隔地设置于该陶瓷反射板的该第一表面上。在一可选的实施例中，进一步包括有一盖板与多个黏着胶体，该盖板经由所述多个黏着胶体而黏固于该陶瓷反射板的该第一表面上，该陶瓷反射板的该第一表面凹设有多个胶槽，并且所述多个黏着胶体填设于所述多个胶槽并有至少部分突伸出所述多个胶槽。在一可选的实施例中，进一步包括有多个间隔件，所述多个间隔件夹设于该陶瓷反射板的该第一表面以及该盖板之间，并且任一间隔件大致位于两相邻的该胶槽之间。在一可选的实施例中，进一步包括有一固晶胶体，该发光二极体晶片经由该固晶胶体而黏固于该晶片承载座的该固晶面上，并且该固晶胶体为一纳米银膏，该纳米银膏未包含有任何环氧树脂。本专利技术实施例另提供一种晶片承载座，包括：一陶瓷基板，其具有位于一第一板面、位于该第一板面相反侧的一第二板面、及位于该第一板面与该第二板面之间的一外侧面；其中，该陶瓷基板形成有贯穿该第一板面与该第二板面的一容置孔；一线路层，其设置于该陶瓷基板的该第一板面；一金属块，包含：一本体部，其设置于该陶瓷基板的该容置孔，该本体部凸伸出该第一板面大致10微米至30微米；其中，凸伸出该第一板面的该本体部区块定义为一凸出块；及一延伸部，其相连于该凸出块的外缘，并且该延伸部表面与该凸出块表面大致呈共平面并定义为一固晶面；以及一陶瓷反射板，其具有一第一表面、位于该第一表面相反侧的一第二表面、及位于该第一表面与该第二表面之间的一侧表面；其中，该陶瓷反射板设置于该陶瓷基板上并覆盖部分的该线路层，并且该陶瓷反射板形成有贯穿该第一表面与该第二表面的一贯孔，该金属块的该固晶面经由该贯孔而显露于该陶瓷反射板之外。综上所述，本专利技术实施例所提供的发光二极体封装结构及晶片承载座，其通过金属块的本体部凸出于容置孔，由此避免曲面状之固晶面产生。再者，金属块通过延伸部之设置，能有效地提升金属块所具备的固晶面积，进而适用于更多尺寸之发光二极体晶片。为使能更进一步了解本专利技术之特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术之详细说明与附图，但是此等说明与所附附图仅系用来说明本专利技术，而非对本专利技术的权利范围作任何的限制。附图说明图1为本专利技术发光二极体封装结构第一实施例的立体示意图。图2为图1另一视角的立体示意图。图3为图1的局部分解示意图。图4为图3中的晶片承载座、发光二极体晶片、与齐纳二极体晶片的分解示意图。图5为图4中的晶片承载座俯视图。图6为图4中的晶片承载座之局部分解示意图。图7为图6中的晶片承载座未包含陶瓷反射板与极性辨识垫时的分解示意图。图8为图7另一视角的分解示意图。图9为图1沿X1-X1剖线的剖视示意图。图10为图9的局部放大示意图。图11为图1的发光二极体封装结构加装环型挡止层时的立体示意图。图12为本专利技术发光二极体封装结构第二实施例的立体示意图。图13为图12的局部分解示意图。图14为图12沿Y-Y剖线的剖视示意图。图15为图14的局部放大示意图。图16A为本专利技术发光二极体封装结构第二实施例的变化形式示意图。图16B为图16A沿Z-Z剖线的剖视示意图(一)。图16C为图16A沿Z-Z剖线的剖视示意图(二)。图17为本专利技术发光二极体封装结构第二实施例的又一变化形式示意图。图18为本专利技术发光二极体封装结构第三实施例的立体示意图。图19为图18另一视角的立体示意图。图20为图18中的晶片承载座之局部分解示意图。图21为图18沿X2-X2剖线的剖视示意图。图22为本专利技术发光二极体封装结构第四实施例的立体示意图。图23为图22的局部分解示意图。图24为图22沿X3-X3剖线的剖视示意图。具体实施方式[第一实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极体封装结构，其特征在于，包括：一晶片承载座，包含：一陶瓷基板，其具有一第一板面、位于该第一板面相反侧的一第二板面、及位于该第一板面与该第二板面之间的一外侧面；其中，该陶瓷基板形成有贯穿该第一板面与该第二板面的一容置孔；一线路层，其设置于该陶瓷基板的该第一板面；一金属块，包含：一本体部，其设置于该陶瓷基板的该容置孔，该本体部的凸伸出该第一板面大致10微米至30微米；其中，凸伸出该第一板面的该本体部区块定义为一凸出块；及一延伸部，其相连于该凸出块的外缘，并且该延伸部表面以及该凸出块表面大致呈共平面并共同定义为一固晶面；及一陶瓷反射板，其具有一第一表面、位于该第一表面相反侧的一第二表面、及位于该第一表面与该第二表面之间的一侧表面；其中，该陶瓷反射板设置于该陶瓷基板上并覆盖部分的该线路层，并且该陶瓷反射板形成有贯穿该第一表面与该第二表面的一贯孔，该金属块的该固晶面经由该贯孔而显露于该陶瓷反射板之外；以及一发光二极体晶片，其设置于该晶片承载座的该固晶面上，并且该发光二极体晶片电性连接于该线路层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极体封装结构，其特征在于，包括：一晶片承载座，包含：一陶瓷基板，其具有一第一板面、位于该第一板面相反侧的一第二板面、及位于该第一板面与该第二板面之间的一外侧面；其中，该陶瓷基板形成有贯穿该第一板面与该第二板面的一容置孔；一线路层，其设置于该陶瓷基板的该第一板面；一金属块，包含：一本体部，其设置于该陶瓷基板的该容置孔，该本体部的凸伸出该第一板面大致10微米至30微米；其中，凸伸出该第一板面的该本体部区块定义为一凸出块；及一延伸部，其相连于该凸出块的外缘，并且该延伸部表面以及该凸出块表面大致呈共平面并共同定义为一固晶面；及一陶瓷反射板，其具有一第一表面、位于该第一表面相反侧的一第二表面、及位于该第一表面与该第二表面之间的一侧表面；其中，该陶瓷反射板设置于该陶瓷基板上并覆盖部分的该线路层，并且该陶瓷反射板形成有贯穿该第一表面与该第二表面的一贯孔，该金属块的该固晶面经由该贯孔而显露于该陶瓷反射板之外；以及一发光二极体晶片，其设置于该晶片承载座的该固晶面上，并且该发光二极体晶片电性连接于该线路层。2.如权利要求1所述的发光二极体封装结构，其特征在于，该延伸部包含一第一延伸部及设置在该第一延伸部上的一第二延伸部，该第一延伸部与该第二延伸部呈环型并围绕该本体部的该凸出块。3.如权利要求2所述的发光二极体封装结构，其特征在于，该线路层具有一第一线路及一第二线路，该第一线路与该第一延伸部相接，且该第一线路与该第一延伸部共平面，而该第二线路分离于该延伸部与该第一线路。4.如权利要求3所述的发光二极体封装结构，其特征在于，该第一线路与该第二线路皆大致呈L型且各包含有垂直相连的一长侧部与一短侧部，该第一线路的该长侧部与该第二线路的该长侧部分别位于该固晶面的相反两侧
\t且彼此平行，该第一线路的该短侧部与该第二线路的该短侧部位于该固晶面的一侧且彼此相向。5.如权利要求4所述的发光二极体封装结构，其特征在于，该第一线路的该长侧部与该第二线路的该长侧部各于邻接其短侧部的内缘处，凹设形成有一缺口。6.如权利要求4所述的发光二极体封装结构，其特征在于，进一步包括有一齐纳二极体晶片，该齐纳二极体晶片固定在自该贯孔而显露于该陶瓷反射板外的该第一线路之短侧部。7.如权利要求1所述的发光二极体封装结构，其特征在于，该陶瓷基板与该陶瓷反射板皆大致为多边形构造，该陶瓷基板的该外侧面切齐于该陶瓷反射板的该侧表面，并且该陶瓷基板的该外侧面及该陶瓷反射板的该侧表面于...

【专利技术属性】
技术研发人员：林贞秀，邱国铭，
申请(专利权)人：光宝光电常州有限公司，光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32