低压化学气相沉淀腔的导气支撑管制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，特别涉及晶圆的化学气相沉淀腔。
技术介绍
低压化学气相沉淀是指将沉淀腔中抽成低压状态，将反应气体置入沉淀腔中，反应气体扩散至沉淀腔中的晶圆表面，在晶圆表面附近的反应区发生反应形成薄膜。现有的低压化学沉淀腔的结构设计不合理，反应气体不能均匀的扩散至晶圆表面，导致形成的薄膜厚度不均匀。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题，申请人进行研究及改进，提供一种低压化学气相沉淀腔的导气支撑管，其提高反应气体的扩散均匀性，提高薄膜的成型均匀度。为了解决上述问题，本专利技术采用如下方案：一种低压化学气相沉淀腔的导气支撑管，包括一竖直置于腔体中的导气支撑管，所述导气支撑管的管壁上间隔设有多个导气孔，所述导气孔处套设有转套，所述转套上安装有横置的导气管，所述导气管的管壁上均布有出气孔，上下相邻的转套之间的导气支撑管上安装有夹持晶圆的夹头。本专利技术的技术效果在于：本专利技术中，将导气结构及用于支撑晶圆的支撑结构结合一起，简化腔体内部结构，并且合理设置的导气管，大大提高反应气体与晶圆的接触均匀度。附图说明图1为本专利技术的结构示意图。图2为本专利技术中导气支撑管的结构图。图3为本专利技术中导气支撑管的局部结构图。图中：1、腔体；2、导气支撑管；3、转套；4、导气管；5、出气孔；6、晶圆；7、夹头。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步说明。如图1、图2及图3所示，本实施例的低压化学气相沉淀腔的导气支撑管，包括一竖直置于腔体1中的导气支撑管2，导气支撑管2的管壁上间隔设有多个导气孔，导气孔处套设有转套3，转套3上安装有横置的导气...
【技术保护点】
一种低压化学气相沉淀腔的导气支撑管，其特征在于：包括一竖直置于腔体(1)中的导气支撑管(2)，所述导气支撑管(2)的管壁上间隔设有多个导气孔，所述导气孔处套设有转套(3)，所述转套(3)上安装有横置的导气管(4)，所述导气管(4)的管壁上均布有出气孔(5)，上下相邻的转套(3)之间的导气支撑管(2)上安装有夹持晶圆(6)的夹头(7)。
【技术特征摘要】
1.一种低压化学气相沉淀腔的导气支撑管，其特征在于：包括一竖直置于腔体(1)中的导气支撑管(2)，所述导气支撑管(2)的管壁上间隔设有多个导气孔，所述导气孔处套设有转套(...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕耀安，
申请(专利权)人：无锡宏纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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