附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法技术

本发明专利技术涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法，具体提供一种极薄铜层的厚度为0.9μm以下的附载体铜箔，其可良好地抑制剥离载体时发生的针孔的产生。本发明专利技术的附载体铜箔依序具有载体、中间层及极薄铜层，且极薄铜层的厚度为0.9μm以下，在根据JIS B0601‑1994而利用激光显微镜测定载体的极薄铜层侧表面时，算术平均粗糙度Ra为0.3μm以下，通过按照JIS C 6471 8.1的90°剥离法剥离所述载体时的剥离强度为20N/m以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法，特别是涉及一种极薄铜层的厚度为0.9μm以下的附载体超极薄铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法。
技术介绍
通常，印刷配线板是经过使绝缘基板接着于铜箔而制成覆铜积层板后，通过蚀刻在铜箔面形成导体图案的步骤所制造的。随着近年电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化有所发展，对印刷配线板要求导体图案的微细化(微间距(ファインピッチ)化)或高频应对等。最近应对微间距化而要求厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔，但这种极薄的铜箔的机械强度低，在制造印刷配线板时容易破裂或产生褶皱，因此出现利用有厚度的金属箔作为载体，介隔剥离层使极薄铜层电沉积于其上的附载体铜箔。将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板并热压接后，将载体隔着剥离层而剥离去除。利用阻剂在露出的极薄铜层上形成电路图案后，利用硫酸-过氧化氢系的蚀刻剂将极薄铜层蚀刻去除，通过所述手法(MSAP，Modified-Semi-Additive-Process)而形成微细电路。另外，作为抑制附载体铜箔的极薄铜层产生针孔的技术，可列举日本特开2004-169181号公报(专利文献1)、日本特开2005-076091号公报(专利文献2)。【先行技术文献】【专利文献】【专利文献1】日本特开2004-169181号公报【专利文献2】日本特开2005-076091号公报
技术实现思路
【专利技术所欲解决之课题】近年，使极薄铜层的厚度薄至0.9μm以下的所谓附载体超极薄铜箔的研究、开发正不断发展。然而，这种极薄铜层的厚度为0.9μm以下的附载体超极薄铜箔存在因其薄度导致在剥离载体时极薄铜层的一部分被载体侧拉离，而残留的极薄铜层产生针孔等问题。因此，本专利技术的课题在于提供一种极薄铜层的厚度为0.9μm以下的附载体铜箔，其能够良好地抑制在剥离载体时发生的针孔的产生。【解决课题之技术手段】为了达成所述目的，本专利技术人发现，通过控制载体的极薄铜层侧表面的特定的粗糙度及剥离载体时的剥离强度的最优化，可良好地抑制极薄铜层的厚度为0.9μm以下的附载体铜箔在剥离载体时发生的针孔的产生。本专利技术是基于所述见解而完成的，于一方面，是一种附载体铜箔，其依序具有载体、中间层及极薄铜层，所述极薄铜层的厚度为0.9μm以下，在根据JISB0601-1994而利用激光显微镜测定所述载体的极薄铜层侧表面时，算术平均粗糙度Ra为0.3μm以下，通过按照JISC64718.1的90°剥离法剥离所述载体时的剥离强度为20N/m以下。本专利技术的附载体铜箔在一实施形态中，在根据JISB0601-1994而利用激光显微镜测定所述载体的极薄铜层侧表面时，算术平均粗糙度Ra为0.1～0.3μm。本专利技术的附载体铜箔在另一实施形态中，通过按照JISC64718.1的90°剥离法剥离所述载体时的剥离强度为3～20N/m。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施形态中，满足以下的项目(5-1)至(5-15)内的1个、2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个、9个、10个、11个、12个、13个、14个或15个。5-1：所述极薄铜层的厚度为0.05～0.9μm；5-2：所述极薄铜层的厚度为0.1～0.9μm；5-3：所述极薄铜层的厚度为0.85μm以下；5-4：所述极薄铜层的厚度为0.80μm以下；5-5：所述极薄铜层的厚度为0.75μm以下；5-6：所述极薄铜层的厚度为0.70μm以下；5-7：所述极薄铜层的厚度为0.65μm以下；5-8：所述极薄铜层的厚度为0.60μm以下；5-9：所述极薄铜层的厚度为0.50μm以下；5-10：所述极薄铜层的厚度为0.45μm以下；5-11：所述极薄铜层的厚度为0.40μm以下；5-12：所述极薄铜层的厚度为0.35μm以下；5-13：所述极薄铜层的厚度为0.32μm以下；5-14：所述极薄铜层的厚度为0.30μm以下；5-15：所述极薄铜层的厚度为0.25μm以下。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施形态中，所述极薄铜层每单位面积(m2)的针孔个数(个/m2)满足以下的项目(6-1)至(6-10)内的1个、2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个、9个或10个。6-1：为20个/m2以下；6-2：为15个/m2以下；6-3：为11个/m2以下；6-4：为10个/m2以下；6-5：为8个/m2以下；6-6：为6个/m2以下；6-7：为5个/m2以下；6-8：为3个/m2以下；6-9：为1个/m2以下；6-10：为0个/m2。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施形态中，当本专利技术的附载体铜箔于载体的一面具有极薄铜层时，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一个表面或两个表面，或者当本专利技术的附载体铜箔于载体的两面具有极薄铜层时，在该一个或两个极薄铜层侧的表面，具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施形态中，所述防锈层及所述耐热层的至少一者含有选自镍、钴、铜、锌中的一种以上元素。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施形态中，在所述极薄铜层上具备树脂层。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施形态中，在选自由所述粗化处理层、所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上层上具备树脂层。本专利技术的附载体铜箔在进而另一实施形态中，所述树脂层含有电介质。本专利技术于另一方面是使用本专利技术的附载体铜箔所制造的印刷配线板。本专利技术于进而另一方面是使用本专利技术的附载体铜箔所制造的积层体。本专利技术于进而另一方面是一种积层体，该积层体含有本专利技术的附载体铜箔与树脂，所述附载体铜箔的端面的一部分或全部由所述树脂覆盖。本专利技术于进而另一方面是将一个本专利技术的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧积层于另一个本专利技术的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成的积层体。本专利技术于进而另一方面是使用本专利技术的积层体的印刷配线板的制造方法。本专利技术于进而另一方面是一种印刷配线板的制造方法，该印刷配线板的制造方法包括：在本专利技术的积层体设置树脂层与电路这两层至少1次的步骤；及在形成所述树脂层及电路这两层至少1次后，将所述极薄铜层或所述载体从所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。本专利技术于进而另一方面是一种印刷配线板的制造方法，该印刷配线板的制造方法包括：准备本专利技术的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；在将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层后，经过剥离所述附载体铜箔的铜箔载体的步骤而形成覆铜积层板，其后，通过半加成法(セミアディティブ法)、减成法(サブトラクティブ法)、部分加成法(パートリーアディティブ法)或改良型半加成法(モディファイドセミアディティブ法)中的任一种方法形成电路的步骤。本专利技术于进而另一方面是一种印刷配线板的制造方法，该印刷配线板的制造方法包括：在本专利技术的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；以埋没所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；将所述载体或所述极薄铜层剥离的步骤；以及在将所述载体或所述极薄铜层剥离后，去除所述极薄铜层或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种附载体铜箔，其依序具有载体、中间层、极薄铜层，所述极薄铜层的厚度为0.9μm以下，在根据JIS B0601‑1994而利用激光显微镜测定所述载体的极薄铜层侧表面时，算术平均粗糙度Ra为0.3μm以下，通过按照JIS C 6471 8.1的90°剥离法剥离所述载体时的剥离强度为20N/m以下。

【技术特征摘要】
2015.06.24 JP 2015-1271331.一种附载体铜箔，其依序具有载体、中间层、极薄铜层，所述极薄铜层的厚度为0.9μm以下，在根据JISB0601-1994而利用激光显微镜测定所述载体的极薄铜层侧表面时，算术平均粗糙度Ra为0.3μm以下，通过按照JISC64718.1的90°剥离法剥离所述载体时的剥离强度为20N/m以下。2.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中在根据JISB0601-1994而利用激光显微镜测定所述载体的极薄铜层侧表面时，算术平均粗糙度Ra为0.1～0.3μm。3.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中通过按照JISC64718.1的90°剥离法剥离所述载体时的剥离强度为3～20N/m。4.根据权利要求2所述的附载体铜箔，其中通过按照JISC64718.1的90°剥离法剥离所述载体时的剥离强度为3～20N/m。5.根据权利要求1至4中任一项所述的附载体铜箔，其满足以下的项目5-1至5-15内的1个、2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个、9个、10个、11个、12个、13个、14个或15个：5-1：所述极薄铜层的厚度为0.05～0.9μm；5-2：所述极薄铜层的厚度为0.1～0.9μm；5-3：所述极薄铜层的厚度为0.85μm以下；5-4：所述极薄铜层的厚度为0.80μm以下；5-5：所述极薄铜层的厚度为0.75μm以下；5-6：所述极薄铜层的厚度为0.70μm以下；5-7：所述极薄铜层的厚度为0.65μm以下；5-8：所述极薄铜层的厚度为0.60μm以下；5-9：所述极薄铜层的厚度为0.50μm以下；5-10：所述极薄铜层的厚度为0.45μm以下；5-11：所述极薄铜层的厚度为0.40μm以下；5-12：所述极薄铜层的厚度为0.35μm以下；5-13：所述极薄铜层的厚度为0.32μm以下；5-14：所述极薄铜层的厚度为0.30μm以下；5-15：所述极薄铜层的厚度为0.25μm以下。6.根据权利要求1至4中任一项所述的附载体铜箔，其中所述极薄铜层每单位面积(m2)的针孔个数(个/m2)满足以下的项目6-1至6-10内的1个、2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个、9个或10个：6-1：为20个/m2以下；6-2：为15个/m2以下；6-3：为11个/m2以下；6-4：为10个/m2以下；6-5：为8个/m2以下；6-6：为6个/m2以下；6-7：为5个/m2以下；6-8：为3个/m2以下；6-9：为1个/m2以下；6-10：为0个/m2。7.根据权利要求1至4中任一项所述的附载体铜箔，其中当权利要求1至4中任一项所述的附载体铜箔于载体的一面具有极薄铜层时，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一个表面或两个表面，或者当权利要求1至4中任一项所述的附载体铜箔于载体的两面具有极薄铜层时，在该一个或两个极薄铜层侧的表面，具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层...

【专利技术属性】
技术研发人员：三好良幸，古曳伦也，永浦友太，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP