一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法，包括如下步骤：(a)、将出现金属残留缺陷的掩模板均匀涂布光胶保护层；(b)、在缺陷处选定曝光区域并获得曝光数据，对基板进行二次曝光；(c)、通过显影工艺在选定区域内获得新的图形并且覆盖原有图形；(d)、通过蚀刻工艺，将没有光胶保护的金属层去除；(e)、对掩模板进行去胶和清洗。本发明专利技术的修补方法不需要专用的修补设备，可以仅依靠现有工艺设备完成，操作方便，能对图形区内大面积金属残留进行有效的清除；大大降低了修补机台的压力，而且二次曝光只是针对特定缺陷区域进行，因此大大加快了二次曝光速度；减少了基板报废率，节约了基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种缺陷修补方法，尤其是一种集成电路用掩模板图形区内金属残留缺陷修补方法，属于集成电路制造

技术介绍
在半导体集成电路制造领域，光刻工艺是在半导体晶园上形成电路图案的重要技术。在更小更复杂集成度更高的大规模集成电路中，需要更先进的光刻技术产生更小的线宽(CD)和精细图案。光刻工艺中，需要用到一种模板来对图形进行转印和复制，这种模板称之为光掩模板(又称光罩，以下统称为掩模板)。掩模板是连接设计公司和晶园制造间的纽带。目前的晶园制作工艺中还无法实现无掩模光刻，因此掩模板是集成电路制造中较为关键的一环。掩模基板的主要制作流程为曝光、显影、刻蚀、去胶、检测等，我们需要对检测出来的缺陷进行修复，缺陷的形成原因很多，其中在工艺过程中掉入颗粒会造成大面积的金属残留，如果大面积金属残留落在了图形区，那么很有可能会导致基板报废。目前，修补机是缺陷修复的主要设备。业界修补缺陷的方法主要是激光束和电子束(或者离子束)的高能量快速掩模板表面金属残留，可以快速去除表面缺陷。但是当金属残留面积较大，会增加修补机台的压力甚至机台无力修补。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决在掩模基板表面图形区大面积的金属残留，且使用修补机已经无法进行有效的修补而导致基板报废的缺陷，提供一种补救方法。按照本专利技术提供的方案，一种集成电路用的掩模板图形区金属残留的修补方法，包括如下步骤：(a)、将出现金属残留缺陷的掩模板均匀涂布光胶保护层；(b)、在缺陷处选定曝光区域并获得曝光数据，对基板进行二次曝光；(c)、通过显影工艺在选定区域内获得新的图形并且覆盖原有图形；(d)、通过蚀刻工艺，将没有光胶保护的金属层去除；(e)、对掩模板进行去胶和清洗。进一步，所述步骤(a)中，利用喷涂烘烤方式涂布光胶保护层，烘烤温度为95℃～150℃，烘烤时间为25～30分钟，光胶保护层的厚度为440～480nm。进一步，所述步骤(b)中利用具有二次曝光功能的曝光机在缺陷区域上进行二次曝光。进一步，所述步骤(c)中，利用显影液和曝光区域内的光胶进行反应，出现新的图形并且覆盖原图形。进一步，所述步骤(d)中，利用蚀刻液去除基板上没有光胶保护的金属层。进一步，所述步骤(e)中的清洗步骤包括：(1)、以H2SO4和H2O2混合溶液进行初步清洗，时间为10～15分钟；(2)、以氨水、H2O2和清水形成的混合溶液进行再次清洗，时间为10～15分钟；(3)、利用清水对基板和金属层进行最后清洗。本专利技术的优点：1、该修补方法不需要专用的修补设备，可以仅依靠现有工艺设备完成，操作方便，能对图形区内大面积金属残留进行有效的清除；2、大大降低了修补机台的压力，而且二次曝光只是针对特定缺陷区域进行，因此大大加快了二次曝光速度；3、减少了基板报废率，节约了基板。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。图1为涂布光胶保护层前的出现金属残留缺陷的掩模板的结构示意图；图2为涂布保护光胶后的掩模板的结构示意图；图3为二次曝光后的掩模板的结构示意图；图4为显影后掩模板的结构示意图；图5为去除光胶后基板的掩模板的结构示意图；附图标记说明:1石英玻璃、2金属层、3金属残留、4保护光胶。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法，包括以下步骤：(a)、将出现金属残留缺陷的掩模板均匀涂布光胶保护层，烘烤温度为95℃～150℃，烘烤时间为25～30分钟，光胶保护层的厚度为440～480nm；图1为涂布光胶保护层前的出现金属残留缺陷的掩模板的结构示意图，图2为涂布保护光胶后的掩模板的结构示意图；(b)、在缺陷处选定曝光区域并处理得到曝光数据，利用本公司的具有二次曝光功能的曝光机台对基板进行二次曝光；图3为二次曝光后的掩模板的结构示意图；(c)、通过显影工艺在选定区域内获得新的图形并且覆盖原有图形，利用显影液和曝光区域内的光胶进行反应，出现新的图形并且覆盖原图形；图4为显影后掩模板的结构示意图；(d)、通过蚀刻工艺，将没有光胶保护的金属层去除，利用蚀刻液去除基板上没有光胶保护的金属层；图5为去除光胶后基板的掩模板的结构示意图；(e)、对掩模板进行去胶和清洗。清洗步骤如下：(1)、以H2SO4和H2O2混合溶液进行初步清洗，时间为10～15分钟；(2)、以氨水、H2O2和清水形成的混合溶液进行再次清洗，时间为10～15分钟；(3)、利用清水对基板和金属层进行最后清洗。最后应说明的是：以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法，其特征是，包括如下步骤：(a)、将出现金属残留缺陷的掩模板均匀涂布光胶保护层；(b)、在缺陷处选定曝光区域并获得曝光数据，对基板进行二次曝光；(c)、通过显影工艺在选定区域内获得新的图形并且覆盖原有图形；(d)、通过蚀刻工艺，将没有光胶保护的金属层去除；(e)、对掩模板进行去胶和清洗。

【技术特征摘要】
1.一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法，其特征是，包括如下步骤：(a)、将出现金属残留缺陷的掩模板均匀涂布光胶保护层；(b)、在缺陷处选定曝光区域并获得曝光数据，对基板进行二次曝光；(c)、通过显影工艺在选定区域内获得新的图形并且覆盖原有图形；(d)、通过蚀刻工艺，将没有光胶保护的金属层去除；(e)、对掩模板进行去胶和清洗。2.根据权利要求1所述的利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法，其特征是，所述步骤(a)中，利用喷涂烘烤方式涂布光胶保护层，烘烤温度为95℃～150℃，烘烤时间为25～30分钟，光胶保护层的厚度为440～480nm。3.根据权利要求1或2所述的利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法，其特征是，所述步骤(b)中利...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡超，王兴平，尤春，刘维维，沙云峰，刘浩，季书风，朱希进，钱奇，薛文卿，
申请(专利权)人：无锡中微掩模电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32