自容式触控结构、触摸屏及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种自容式触控结构、触摸屏及显示装置，所述自容式触控结构包括呈阵列排布的多个自电容触控电极，所述自电容触控电极包括主体部和从所述主体部的至少一侧伸出的侧翼部，其中所述侧翼部与所述主体部之间形成至少一个凹口结构，其中，每一行所述自电容触控电极的侧翼部延伸至与该自容式触控电极相邻的另一行自电容触控电极的凹口结构内。本发明专利技术提供的自容式触控结构能够在保证触控精度的前提下增大自电容触控电极的尺寸，而减少自电容触控电极的数目，从而减少走线数量和焊垫结构处相应的电极针脚的数量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种自容式触控结构、触摸屏及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展，触摸屏(TouchScreenPanel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸屏按照组成结构可以分为：外挂式触摸屏(AddonModeTouchPanel)、覆盖表面式触摸屏(OnCellTouchPanel)、以及内嵌式触摸屏(InCellTouchPanel)。其中，外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏(LiquidCrystalDisplay，LCD)分开生产，然后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏，外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。而内嵌式触摸屏将触摸屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部，可以减薄模组整体的厚度，又可以大大降低触摸屏的制作成本，受到各大面板厂家青睐。现有的内嵌(Incell)式触摸屏主要分为互电容式结构和自电容式结构，图1是目前的一种自容式触控结构的示意图，其包括多个同层设置且相互绝缘的自电容触控电极10’，每一个自电容触控电极10’均为5mm*5mm的方形状，通过一条导线连接至柔性电路板压合器(FPCBonding)20’，即每个自电容触控电极10’都对应焊垫结构(BondingPad)处的一个针脚(Pin)，在触摸屏工作时，如图2所示，由于人的手指触摸，会导致相应的小方块的自电容触控电极10’的电容变化，根据电容的变化从而能够判断出手指触摸的位置。然而，在上述的自电容触摸结构中，由于每一个自电容触控电极均需要一条导线连接至柔性电路板压合器，当自电容触控电极的数量较多时，所需要的焊垫结构处的针脚也会相应增多，从而会导致针脚的宽度以及相临针脚之间的距离变小，进而会造成Bonding工艺的难度及不良率的增加，因此，如何在不影响触摸(touch)性能的情况下，减少走线数量以及焊垫结构处的电极针脚的数目，是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种自容式触控结构、触摸屏及显示装置，能够在保证触控精度的前提下增大自电容触控电极的尺寸，而减少自电容触控电极的数目，从而减少走线数量和焊垫结构处相应的电极针脚的数量。本专利技术所提供的技术方案如下：一种自容式触控结构，包括呈阵列排布的多个自电容触控电极，每一所述自电容触控电极包括主体部和从所述主体部的至少一侧伸出的侧翼部，其中所述侧翼部与所述主体部之间形成至少一个凹口结构，其中，每一行所述自电容触控电极的侧翼部延伸至与该自电容触控电极相邻的另一行自电容触控电极的凹口结构内。进一步的，所述主体部的形状至少包括一条形，所述条形包括沿第一方向延伸的相对的两个长边；每一所述自电容触控电极至少包括每一所述自电容触控电极至少包括对称设置在所述主体部的相对两个长边上的两个侧翼部，分别为第一侧翼部和第二侧翼部，其中，同一行自电容触控电极间隔分布，相邻两行自电容触控电极交错排列，每一自电容触控电极的主体部延伸至与该自电容触控电极相邻的另外两行自电容触控电极中相邻两个自电容触控电极之间的间隙内；每一自电容触控电极的第一侧翼部延伸至与该自电容触控电极相邻的另一行自电容触控电极的第二侧翼部与主体部之间的凹口结构内，每一自电容触控电极的第二侧翼部延伸至与该自电容触控电极相邻的另一行自电容触控电极的第一侧翼部与主体部之间的凹口结构内。进一步的，每一所述侧翼部与所述主体部之间形成至少两个所述凹口结构，至少两个所述凹口结构包括相对的第一凹口结构和第二凹口结构；每一自电容触控电极的第一凹口结构内设置有位于该自电容触控电极的靠近其第一凹口结构的一侧的另一自电容触控电极的侧翼部，每一自电容触控电极的第二凹口结构内设置有位于该自电容触控电极的靠近所述第二凹口结构的一侧的另一自电容触控电极的侧翼部。进一步的，每一所述侧翼部至少包括连接于所述主体部的长边上、并相对于所述主体部的长边倾斜设置的至少一个斜侧边，其中所述斜侧边与所述主体部的长边之间形成所述凹口结构。进一步的，每一所述侧翼部至少包括连接在所述主体部的同一长边上且相对设置的两个斜侧边，其中两个斜侧边与所述主体部的长边之间分别形成两个所述凹口结构。进一步的，所述侧翼部的形状至少包括一梯形，所述梯形包括上底、下底和连接在所述上底和所述下底之间的斜侧边，其中所述上底与所述主体部的长边重合。进一步的，所述侧翼部为等腰梯形。进一步的，所述主体部在所述第二方向上的宽度为2.5～4.5mm，所述第二方向与所述第一方向垂直；所述梯形的上底在所述第一方向上的长度为3～5mm；所述梯形的下底在所述第一方向上的长度为16～22mm；所述梯形的上底和下底之间在所述第二方向上的距离为8～11mm。进一步的，还包括与所述多个自电容触控电极均相连的触控侦测芯片，所述触控侦测芯片用于通过检测各自电容触控电极的电容值变化判断触摸位置。进一步的，每一所述自电容触控电极通过至少一条导线与所述触控侦测芯片相连，所述自电容触控电极与所述导线异层设置。一种触摸屏，包括如上所述的自容式触控结构。进一步的，所述触摸屏包括相对设置的第一基板和第二基板，所述电容式触摸结构设置在所述第二基板上，所述第二基板上还设置有公共电极层，所述多个自电容触控电极与所述公共电极层为同一层结构。一种显示装置，包括如上所述的触摸屏。本专利技术所带来的有益效果如下：本专利技术提供的自容式触控结构，通过在任一自电容触控电极上设置主体部和侧翼部，并在主体部和侧翼部之间形成凹口结构，使相邻的自电容触控电极的侧翼部延伸其凹口结构内，相比现有技术中方形状的自电容触控电极结构，每个自电容触控电极可以与位于其周边的至少另一个自电容触控电极的平面形状交错，从而当某个自电容触控电极被触摸时，与该自电容触控电极平面形状交错的至少另一个自电容触控电极也可能因被触摸而受到影响，从而通过该自电容触控电极和其周边的自电容触控电极可以判断出触摸位置，也就是说，与现有技术中的方形状的自电容触控电极结构相比，能够增多同一触摸面积下所能影响到的电极数量，从而可以在不影响触摸(touch)性能的情况下相应的的增大自电容触控电极的面积，进而能够减少触摸屏上的自电容触控电极的数量，因而能够减少走线数量以及焊垫结构处的电极针脚的数目。附图说明图1是现有技术中的一种自容式触控结构的示意图；图2是自容式触控结构的工作原理示意图；图3是本专利技术实施方式提供的一种自容式触控结构的示意图；图4是本专利技术实施方式提供的一种自电容触控电极的示意图；图5是图1中的自容式触控结构的触摸性能测试示意图；图6是图3中的自容式触控结构的触摸性能测试示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。针对现有技术中自电容触摸结构中，自电容触控电极数量较多，而导致走线数量多以及焊垫结构处的电极针脚的数目较多的技术问题，本专利技术提供了一种自容式触控结构，能够在保证触控精度的前提下增大自电容触控电极的尺寸，而减少自电容触控电极的数目，从而减少走线数量和焊垫结构处相应的电极针脚的数量。如图3和图4所示，本专利技术实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自容式触控结构，包括呈阵列排布的多个自电容触控电极，其特征在于，所述自电容触控电极包括主体部和从所述主体部的至少一侧伸出的侧翼部，其中所述侧翼部与所述主体部之间形成至少一个凹口结构，其中，每一行所述自电容触控电极的侧翼部延伸至与该自电容触控电极相邻的另一行自电容触控电极的凹口结构内。

【技术特征摘要】
1.一种自容式触控结构，包括呈阵列排布的多个自电容触控电极，其特征在于，所述自电容触控电极包括主体部和从所述主体部的至少一侧伸出的侧翼部，其中所述侧翼部与所述主体部之间形成至少一个凹口结构，其中，每一行所述自电容触控电极的侧翼部延伸至与该自电容触控电极相邻的另一行自电容触控电极的凹口结构内。2.根据权利要求1所述的自容式触控结构，其特征在于，所述主体部的形状至少包括一条形，所述条形包括沿第一方向延伸的相对的两个长边；所述自电容触控电极至少包括对称设置在所述主体部的相对两个长边上的两个侧翼部，分别为第一侧翼部和第二侧翼部，其中，同一行自电容触控电极间隔分布，相邻两行自电容触控电极交错排列，每一自电容触控电极的主体部延伸至与该自电容触控电极相邻的另外两行自电容触控电极中相邻两个自电容触控电极之间的间隙内；每一自电容触控电极的第一侧翼部延伸至与该自电容触控电极相邻的另一行自电容触控电极的第二侧翼部与主体部之间的凹口结构内，每一自电容触控电极的第二侧翼部延伸至与该自电容触控电极相邻的另一行自电容触控电极的第一侧翼部与主体部之间的凹口结构内。3.根据权利要求2所述的自容式触控结构，其特征在于，所述侧翼部与所述主体部之间形成至少两个所述凹口结构，至少两个所述凹口结构包括相对的第一凹口结构和第二凹口结构；每一自电容触控电极的第一凹口结构内设置有位于该自电容触控电极的靠近其第一凹口结构的一侧的另一自电容触控电极的侧翼部，每一自电容触控电极的第二凹口结构内设置有位于该自电容触控电极的靠近所述第二凹口结构的一侧的另一自电容触控电极的侧翼部。4.根据权利要求2所述的自容式触控结构，其特征在于，每一所述侧翼部至少包括连接于所述主体部的长边上、并相对于所述主体部的长边倾斜设置的至少一个斜侧边，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲巡，董职福，李红敏，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34