存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置制造方法及图纸

技术编号:14397542 阅读:67 留言:0更新日期:2017-01-11 11:23
本发明专利技术提供一种存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。此方法包括:接收第一写入指令并将所述第一写入指令所对应的数据写入至所述物理擦除单元中的第一闲置物理擦除单元;检测不包含第一闲置物理擦除单元的第二闲置物理擦除单元的数目;判断第二闲置物理擦除单元的数目是否小于门槛值;以及若第二闲置物理擦除单元的数目小于门槛值,执行第一程序;第一程序包括:将所述物理擦除单元中的多笔有效数据搬移至所述物理擦除单元中的至少一第三闲置物理擦除单元中;以及将门槛值从第一门槛值调整为第二门槛值。本发明专利技术可改善可复写式非易失性存储器存储装置因执行有效数据的搬移所导致的数据存取速度不稳定的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种存储器管理机制,且特别是有关于一种存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置
技术介绍
数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritablenon-volatilememory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性,最适于便携式电子产品,例如笔记本电脑。固态硬盘就是一种以快闪存储器作为存储媒体的存储器存储装置。因此,近年快闪存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。一般来说,可复写式非易失性存储器存储装置每隔一段时间就会执行一次有效数据的搬移重组程序,而用来决定是否执行此有效数据的搬移重组程序的依据是在可复写式非易失性存储器存储装置出厂时就决定好的。然而,由于有效数据的搬移重组程序的执行效率时好时坏,往往导致可复写式非易失性存储器存储装置的数据存取速度跟着忽上忽下。有鉴于此,如何在执行有效数据的搬移重组程序与维持可复写式非易失性存储器存储装置的数据存取速度之间取得平衡实为本领域所致力的目标之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置,可改善可复写式非易失性存储器存储装置因执行有效数据的搬移所导致的数据存取速度不稳定的问题。本专利技术的一范例实施例提供用于可复写式非易失性存储器模块的一种存储器管理方法,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理擦除单元。所述存储器管理方法包括接收第一写入指令并将所述第一写入指令所对应的数据写入至所述物理擦除单元中的第一闲置物理擦除单元;检测所述物理擦除单元中不包含所述第一闲置物理擦除单元的多个第二闲置物理擦除单元的数目;判断所述第二闲置物理擦除单元的数目是否小于门槛值;以及若所述第二闲置物理擦除单元的数目小于所述门槛值,执行第一程序,其中所述第一程序包括将所述物理擦除单元中的多笔有效数据搬移至所述物理擦除单元中的至少一第三闲置物理擦除单元中;以及将所述门槛值从第一门槛值调整为第二门槛值。在本专利技术的一范例实施例中,其中将所述门槛值从所述第一门槛值调整为所述第二门槛值的步骤包括记录存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目;以及根据存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目来决定所述第二门槛值。在本专利技术的一范例实施例中,其中记录存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目的步骤包括:判断所述物理擦除单元中所存储的有效数据都已被搬移的多个第一非闲置物理擦除单元的一数目是否符合预设数目;以及若所述第一非闲置物理擦除单元的所述数目符合所述预设数目,记录存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目。在本专利技术的一范例实施例中,其中根据存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目来决定所述第二门槛值的步骤包括根据对应于所述预设数目的参考值与存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目来决定所述第一门槛值与所述第二门槛值之间的差值,其中所述参考值为所述预设数目减一。在本专利技术的一范例实施例中,所述存储器管理方法还包括配置多个逻辑单元;以及根据所述物理擦除单元的总物理容量与所述逻辑单元的总逻辑容量来决定所述预设数目,其中所述总物理容量大于所述总逻辑容量。在本专利技术的一范例实施例中,其中所述第一程序还包括根据第一规则从所述物理擦除单元中选择所述第一非闲置物理擦除单元;以及在判定所述第一非闲置物理擦除单元的数目符合所述预设数目之后,根据第二规则从所述物理擦除单元中选择不包含所述第一非闲置物理擦除单元的至少一第二非闲置物理擦除单元,其中所述第一规则与所述第二规则不同。在本专利技术的一范例实施例中,所述存储器管理方法还包括在执行所述第一程序之后,接收第二写入指令;检测所述物理擦除单元中多个第四闲置物理擦除单元的数目;判断所述第四闲置物理擦除单元的数目是否大于所述第二门槛值;以及若所述第四闲置物理擦除单元的数目大于所述第二门槛值,停止执行所述第一程序并且将所述门槛值从所述第二门槛值调整为第三门槛值。在本专利技术的一范例实施例中,其中所述第三门槛值等于所述第一门槛值。本专利技术的一范例实施例提供用于控制可复写式非易失性存储器模块的一种存储器控制电路单元。所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口与存储器管理电路。主机接口用以电性连接至主机系统。存储器接口用以电性连接至所述可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理擦除单元。存储器管理电路电性连接至所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器管理电路用以接收第一写入指令并发送写入指令序列以指示将所述第一写入指令所对应的数据写入至所述物理擦除单元中的第一闲置物理擦除单元。所述存储器管理电路还用以检测所述物理擦除单元中不包含所述第一闲置物理擦除单元的多个第二闲置物理擦除单元的数目,并且判断所述第二闲置物理擦除单元的数目是否小于门槛值。若所述第二闲置物理擦除单元的数目小于所述门槛值,所述存储器管理电路还用以执行第一程序。所述第一程序包括将所述物理擦除单元中的多笔有效数据搬移至所述物理擦除单元中的至少一第三闲置物理擦除单元中;以及将所述门槛值从第一门槛值调整为第二门槛值。在本专利技术的一范例实施例中,其中所述存储器管理电路将所述门槛值从所述第一门槛值调整为所述第二门槛值的操作包括记录存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目;以及根据存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目来决定所述第二门槛值。在本专利技术的一范例实施例中,其中所述存储器管理电路记录存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目的操作包括判断所述物理擦除单元中所存储的有效数据都已被搬移的多个第一非闲置物理擦除单元的数目是否符合预设数目;以及若所述第一非闲置物理擦除单元的所述数目符合所述预设数目,记录存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目。在本专利技术的一范例实施例中,其中所述存储器管理电路根据存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目来决定所述第二门槛值的操作包括根据对应于所述预设数目的参考值与存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目来决定所述第一门槛值与所述第二门槛值之间的差值,其中所述参考值为所述预设数目减一。在本专利技术的一范例实施例中,其中所述存储器管理电路还用以配置多个逻辑单元,并且根据所述物理擦除单元的一总物理容量与所述逻辑单元的总逻辑容量来决定所述预设数目,其中所述总物理容量大于所述总逻辑容量。在本专利技术的一范例实施例中,其中所述存储器管理电路执行所述第一程序的操作还包括根据第一规则从所述物理擦除单元中选择所述第一非闲置物理擦除单元;以及在判定所述第一非闲置物理擦除单元的数目符合所述预设数目之后,根据第二规则从所述物理擦除单元中选择不包含所述第一非闲置物理擦除单元的至少一第二非闲置物理擦除单元,其中所述第一规则与所述第二规则不同。在本专利技术的一范例实施例中,在执行所述第一程序之后,所述存储器管理电路还用以接收第二写入指令。所述存储器管理电路还用以检测所述物理擦除单元中多个第四闲置物理擦除单元的数目,并且判断所述第四闲置物理擦除单元的数目是否大于所述第二门槛值。若所述第四闲置物理擦除单元的数目大于所本文档来自技高网...
存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置

【技术保护点】
一种存储器管理方法,用于可复写式非易失性存储器模块,其特征在于,所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理擦除单元,所述存储器管理方法包括:接收第一写入指令并将所述第一写入指令所对应的数据写入至该些物理擦除单元中的第一闲置物理擦除单元;检测该些物理擦除单元中不包含所述第一闲置物理擦除单元的多个第二闲置物理擦除单元的数目;判断该些第二闲置物理擦除单元的数目是否小于门槛值;以及若该些第二闲置物理擦除单元的数目小于所述门槛值,执行第一程序,其中所述第一程序包括:将该些物理擦除单元中的多笔有效数据搬移至该些物理擦除单元中的至少一第三闲置物理擦除单元中;以及将所述门槛值从第一门槛值调整为第二门槛值。

【技术特征摘要】
1.一种存储器管理方法,用于可复写式非易失性存储器模块,其特征在于,所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理擦除单元,所述存储器管理方法包括:接收第一写入指令并将所述第一写入指令所对应的数据写入至该些物理擦除单元中的第一闲置物理擦除单元;检测该些物理擦除单元中不包含所述第一闲置物理擦除单元的多个第二闲置物理擦除单元的数目;判断该些第二闲置物理擦除单元的数目是否小于门槛值;以及若该些第二闲置物理擦除单元的数目小于所述门槛值,执行第一程序,其中所述第一程序包括:将该些物理擦除单元中的多笔有效数据搬移至该些物理擦除单元中的至少一第三闲置物理擦除单元中;以及将所述门槛值从第一门槛值调整为第二门槛值。2.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其特征在于,将所述门槛值从所述第一门槛值调整为所述第二门槛值的步骤包括:记录存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目;以及根据存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目来决定所述第二门槛值。3.根据权利要求2所述的存储器管理方法,其特征在于,记录存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目的步骤包括:判断该些物理擦除单元中所存储的有效数据都已被搬移的多个第一非闲置物理擦除单元的数目是否符合预设数目;以及若该些第一非闲置物理擦除单元的所述数目符合所述预设数目,记录存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目。4.根据权利要求3所述的存储器管理方法,其特征在于,根据存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目来决定所述第二门槛值的步骤包括:根据对应于所述预设数目的参考值与存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目来决定所述第一门槛值与所述第二门槛值之间的差
\t值,其中所述参考值为所述预设数目减一。5.根据权利要求3所述的存储器管理方法,其特征在于,还包括:配置多个逻辑单元;以及根据该些物理擦除单元的总物理容量与该些逻辑单元的总逻辑容量来决定所述预设数目,其中所述总物理容量大于所述总逻辑容量。6.根据权利要求3所述的存储器管理方法,其特征在于,所述第一程序还包括:根据第一规则从该些物理擦除单元中选择该些第一非闲置物理擦除单元;以及在判定该些第一非闲置物理擦除单元的数目符合所述预设数目之后,根据第二规则从该些物理擦除单元中选择不包含该些第一非闲置物理擦除单元的至少一第二非闲置物理擦除单元,其中所述第一规则与所述第二规则不同。7.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其特征在于,还包括:在执行所述第一程序之后,接收第二写入指令;检测该些物理擦除单元中多个第四闲置物理擦除单元的数目;判断该些第四闲置物理擦除单元的数目是否大于所述第二门槛值;以及若该些第四闲置物理擦除单元的数目大于所述第二门槛值,停止执行所述第一程序并且将所述门槛值从所述第二门槛值调整为第三门槛值。8.根据权利要求7所述的存储器管理方法,其特征在于,所述第三门槛值等于所述第一门槛值。9.一种存储器控制电路单元,用于控制可复写式非易失性存储器模块,其特征在于,所述存储器控制电路单元包括:主机接口,用以电性连接至主机系统;存储器接口,用以电性连接至所述可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理擦除单元;以及存储器管理电路,电性连接至所述主机接口与所述存储器接口,其中所述存储器管理电路用以接收第一写入指令并发送写入指令序列以
\t指示将所述第一写入指令所对应的数据写入至该些物理擦除单元中的第一闲置物理擦除单元,其中所述存储器管理电路还用以检测该些物理擦除单元中不包含所述第一闲置物理擦除单元的多个第二闲置物理擦除单元的数目,其中所述存储器管理电路还用以判断该些第二闲置物理擦除单元的数目是否小于门槛值,其中若该些第二闲置物理擦除单元的数目小于所述门槛值,所述存储器管理电路还用以执行第一程序,其中所述第一程序包括:将该些物理擦除单元中的多笔有效数据搬移至该些物理擦除单元中的至少一第三闲置物理擦除单元中;以及将所述门槛值从第一门槛值调整为第二门槛值。10.根据权利要求9所述的存储器控制电路单元,其特征在于,所述存储器管理电路将所述门槛值从所述第一门槛值调整为所述第二门槛值的操作包括:记录存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目;以及根据存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目来决定所述第二门槛值。11.根据权利要求10所述的存储器控制电路单元,其特征在于,所述存储器管理电路记录存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目的操作包括:判断该些物理擦除单元中所存储的有效数据都已被搬移的多个第一非闲置物理擦除单元的数目是否符合预设数目;以及若该些第一非闲置物理擦除单元的所述数目符合所述预设数目,记录存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目。12.根据权利要求11所述的存储器控制电路单元,其特征在于,所述存储器管理电路根据存储有效数据的所述至少一第三闲置物理擦除单元的数目来决定所述第二门槛值的操作包括:根据对应于所述预设数目的参考值与存储有效数据的所述至少一第三闲...

【专利技术属性】
技术研发人员:颜鸿圣陈国荣
申请(专利权)人:群联电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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