一种触摸屏铜制程方法及触摸屏技术

本发明专利技术提供了一种触摸屏铜制程方法，包括以下步骤：S1：提供基材层，在所述基材层上依次形成ITO膜层及金属铜膜层，且所述金属铜膜层包括可视区及非可视区，所述ITO膜层位于所述可视区内；S2：对所述金属铜膜层进行光刻，以得到预设的ITO膜层图案；S3：在所述金属铜膜层的非可视区表面形成保护膜层；S4：对所述可视区内的金属铜膜层进行蚀刻，以去除所述ITO膜层上的金属铜膜层；S5：去除所述金属铜膜层的非可视区表面的保护膜层。本发明专利技术提供的触摸屏铜制程方法，通过将金属铜膜层与ITO采用一次成型的方式，替代了采用Ag与ITO进行搭接方式，解决了采用Ag与ITO的搭接精度不高的问题。另，本发明专利技术还提供了一种采用上述铜制程方法制备得到的触摸屏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触摸屏制备工艺领域，尤其涉及一种触摸屏铜制程方法及触摸屏。
技术介绍
目前，智能电子设备的触摸屏通常采用Ag(银)搭接ITO(氧化铟锡)，而采用这种做法，不仅在生产过程中普遍存在搭接精度不高、易断路等诸多难点，而且当将其应用于智能电子设备时，也容易产生操作手感不佳、存在高延迟、显示画质不够清新等问题，无法满足用户对于触摸屏的显示画质要求，大大地降低了用户使用体验性。
技术实现思路
鉴于现有技术中存在的上述问题，本专利技术的目的在于，提供一种触摸屏铜制程方法及触摸屏，以解决现有的触摸屏操作手感不佳、显示画质不清新的问题。为了实现上述目的，本专利技术实施方式提供如下技术方案：第一方面，本专利技术提供了一种触摸屏铜制程方法，包括以下步骤：S1：提供基材层，在所述基材层上依次形成ITO膜层及金属铜膜层，且所述金属铜膜层包括可视区及非可视区，所述ITO膜层位于所述可视区内；S2：对所述金属铜膜层进行光刻，以得到预设的ITO膜层图案；S3：在所述金属铜膜层的非可视区表面形成保护膜层；S4：对所述可视区内的金属铜膜层进行蚀刻，以去除所述ITO膜层上的金属铜膜层；S5：去除所述金属铜膜层的非可视区表面的保护膜层。作为上述技术方案的改进，在步骤S1中，具体包括以下步骤：在所述基材层上形成衬底；在所述衬底上通过气相沉积依次形成所述ITO膜层及金属铜膜层。作为上述技术方案的改进，在步骤S2中，具体包括以下步骤：对所述金属铜膜层进行压干膜；对所述金属铜膜层进行曝光；将曝光后的所述金属铜膜层进行切片；将切片后的金属铜膜层进行干膜显影；将显影后的所述金属铜膜层进行蚀刻；对位于所述金属铜膜层可视区的ITO膜层进行蚀刻，以得到所述预设的ITO膜层图案。进一步地，在“对位于所述金属铜膜层可视区的ITO膜层进行蚀刻，以得到所述预设的ITO膜层图案”的步骤之后，还包括以下步骤：去除所述金属铜膜层上的干膜。进一步地，所述方法采用卷料压膜机对所述金属铜膜层进行压干膜，所述卷料压膜机的上轮温度及下轮温度均为110℃～130℃，所述卷料压膜机的压干膜速度为(0.8～1.2)m/min。进一步地，在对所述金属铜膜层进行压干膜时，其压干膜的压力为0.45MPa～0.5MPa，且其压干膜的水流量为(20～30)ml/min。进一步地，所述方法采用曝光机对所述金属铜膜层进行曝光，所述曝光机的灯管功率为(4～6)KW，所述曝光机的曝光尺为(6～16)阶，所述曝光机的能量为(60～90)mj/cm2。进一步地，所述方法采用显影蚀刻线将切片后的金属铜膜层进行干膜显影以及将显影后的所述金属铜膜层进行蚀刻。进一步地，采用所述显影蚀刻线进行显影时的温度为(28～32)℃，采用所述显影蚀刻线进行显影的浓度为(8.5～10.5)g/L，显影时的喷压为(1.0～1.4)kg/cm2，显影的速度为(3.8～4.2)m/min。进一步地，采用所述显影蚀刻线对所述金属铜膜层进行蚀刻时的浓度为(0.60～1.10)mol/L，蚀刻时的喷压为(1.0～1.4)kg/cm2，蚀刻的温度为(30～40)℃，且蚀刻的速度为(2.0～4.2)m/min。进一步地，采用所述显影蚀刻线对所述ITO膜层进行蚀刻时的浓度为(5.50～6.50)mol/L，蚀刻时的喷压为(1.0～1.4)kg/cm2，蚀刻的温度为(35～45)℃，且蚀刻的速度为(2.0～4.2)m/min。进一步地，在步骤“去除所述金属铜膜层上的干膜”时，去干膜的浓度为(8.0～10)g/L，去干膜的喷压为(1.0～1.4)kg/cm2，去干膜的温度为(45～55)℃，且去干膜的速度为(3.8～4.2)m/min。进一步地，在步骤S3中，具体包括以下步骤：在所述金属铜膜层的非可视区表面进行印刷耐酸；对所述金属铜膜层的非可视区表面进行干燥，以在所述非可视区表面形成所述保护膜层。进一步地，所述印刷耐酸的厚度为(10～11)um。作为上述技术方案的改进，所述方法采用显影蚀刻线对所述金属铜膜层进行蚀刻，在对所述可视区内的金属铜膜层进行蚀刻时，其蚀刻的浓度为(0.60～1.10)mol/L，蚀刻时的喷压为(1.0～1.4)kg/cm2，蚀刻的温度为(30～40)℃，且蚀刻的速度为(2.0～4.2)m/min。作为上述技术方案的改进，所述方法采用蚀刻的方式对所述金属铜膜层非可视区表面的保护层进行去除，蚀刻时的浓度为(8.0～10)g/L，蚀刻时的喷压为(1.0～1.4)kg/cm2，蚀刻的温度为(45～55)℃，且蚀刻的速度为(3.8～4.2)m/min。第二方面，本专利技术还提供了一种触摸屏，所述触摸屏采用如上述的触摸屏铜制程方法制备得到。本专利技术提供的触摸屏铜制程方法及触摸屏，与现有技术相比，具有以下优点：(1)取代了Ag(银)与ITO(氧化铟锡)的搭接工艺。本专利技术的触摸屏铜制程方法，通过将金属铜膜层与ITO采用一次成型的方式，替代了采用Ag与ITO进行搭接方式，解决了采用Ag与ITO的搭接精度不高的问题。(2)低电阻、低延迟现象及显示画质清新。本专利技术提供的触摸屏铜制程方法，由于金属铜膜层与ITO采用一次成型，因此，当将其应用于触摸屏上时，能够解决搭接精度不高而导致的电阻较高且延迟现象严重的问题，进而使得触摸屏的触控手感更佳，显示画质更清新。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的触摸屏铜制程方法的流程图；图2是本专利技术实施例提供的触摸屏铜制程方法中的S2的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为便于描述，这里可以使用诸如“在…之下”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空间相对性术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一个(些)元件或特征的关系。可以理解，当一个元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或耦接到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。可以理解，这里所用的术语仅是为了描述特定实施例，并非要限制本专利技术。在这里使用时，除非上下文另有明确表述，否则单数形式“一”和“该”也旨在包括复数形式。进一步地，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”表明所述特征、整体、步骤、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、元件、组件和/或其组合的存在或增加。说明书后续描述为实施本专利技术的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本专利技术的一般原则为目的，并非用以限定本专利技术的范围。本专利技术的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。请一并参阅图1至图2，为本专利技术实施例提供的一种触摸屏铜制程方法，包括以下步骤：S1：提供基材层，在所述基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触摸屏铜制程方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供基材层，在所述基材层上依次形成ITO膜层及金属铜膜层，且所述金属铜膜层包括可视区及非可视区，所述ITO膜层位于所述可视区内；S2：对所述金属铜膜层进行光刻，以得到预设的ITO膜层图案；S3：在所述金属铜膜层的非可视区表面形成保护膜层；S4：对所述可视区内的金属铜膜层进行蚀刻，以去除所述ITO膜层上的金属铜膜层；S5：去除所述金属铜膜层的非可视区表面的保护膜层。

【技术特征摘要】
1.一种触摸屏铜制程方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供基材层，在所述基材层上依次形成ITO膜层及金属铜膜层，且所述金属铜膜层包括可视区及非可视区，所述ITO膜层位于所述可视区内；S2：对所述金属铜膜层进行光刻，以得到预设的ITO膜层图案；S3：在所述金属铜膜层的非可视区表面形成保护膜层；S4：对所述可视区内的金属铜膜层进行蚀刻，以去除所述ITO膜层上的金属铜膜层；S5：去除所述金属铜膜层的非可视区表面的保护膜层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S1中，具体包括以下步骤：在所述基材层上形成衬底；在所述衬底上通过气相沉积依次形成所述ITO膜层及金属铜膜层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S2中，具体包括以下步骤：对所述金属铜膜层进行压干膜；对所述金属铜膜层进行曝光；将曝光后的所述金属铜膜层进行切片；将切片后的金属铜膜层进行干膜显影；将显影后的所述金属铜膜层进行蚀刻；对位于所述金属铜膜层可视区的ITO膜层进行蚀刻，以得到所述预设的ITO膜层图案。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在“对位于所述金属铜膜层可视区的ITO膜层进行蚀刻，以得到所述预设的ITO膜层图案”的步骤之后，还包括以下步骤：去除所述金属铜膜层上的干膜。5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述方法采用卷料压膜机对所述金属铜膜层进行压干膜，所述卷料压膜机的上轮温度及下轮温度均为110℃～130℃，所述卷料压膜机的压干膜速度为(0.8～1.2)m/min。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在对所述金属铜膜层进行压干膜时，其压干膜的压力为0.45MPa～0.5MPa，且其压干膜的水流量为(20～30)ml/min。7.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述方法采用曝光机对所述金属铜膜层进行曝光，所述曝光机的灯管功率为(4～6)KW，所述曝光机的曝光尺为(6～16)阶，所述曝光机的能量为(60～90)mj/cm2。8.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述方法采用显影蚀刻线将切片后的金属铜膜层进行干膜显影以及将显影后的所述金属铜膜层进行蚀刻。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，采用所述显影蚀刻线进行显影时的温度为(28～3...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋洪波，李均，李学才，
申请(专利权)人：意力广州电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44