有机发光二极管显示器制造技术

本发明专利技术涉及一种有机发光二极管显示器。根据本公开的有机发光二极管(OLED)显示器包括：基底，位于基底上的薄膜晶体管，位于薄膜晶体管上并电联接至薄膜晶体管的第一电极，位于第一电极上的有机发射层，位于有机发射层上的第二电极，以及位于第二电极上的覆盖层，其中第二电极的厚度为约65埃至约125埃，并且其中覆盖层的厚度为约(500*1.88/n)埃至约(700*1.88/n)埃，n是覆盖层的光学常数。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用此申请要求2015年6月25日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2015-0090723的优先权和权益，其全部内容通过引用被合并于此。
本公开涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示器包括空穴注入电极、电子注入电极和位于它们之间并包括有机发射层的有机发光元件。OLED显示器是自发射型显示设备，其中从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发射层中组合形成的激子从激发态下降到基态，从而发射光。因为OLED显示器作为自发射型显示设备不需要附加的光源，因此OLED显示器由于低操作电压、轻薄设计的实现以及诸如宽视角、高对比度和快速响应速度的高品质特性而作为下一代显示设备备受关注。然而，当从OLED显示器的侧视角观看时，可能会由于在有机发光元件中设置的发射角度而出现色彩偏移。在此
技术介绍
部分公开的上述信息只是为了增强对本公开的背景的理解，因此它可能包含不形成在此国家本领域普通技术人员已经知晓的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开提供了能够减少在侧视角发生的色彩偏移的有机发光二极管(OLED)显示器。本公开的一个示例性实施例提供了一种OLED显示器，其包括：基底，位于基底上的薄膜晶体管，位于薄膜晶体管上并电联接至薄膜晶体管的第一电极，位于第一电极上的有机发射层，位于有机发射层上的第二电极，以及位于第二电极上的覆盖层，其中第二电极的厚度为约65埃至约125埃，并且其中覆盖层的厚度为约(500*1.88/n)埃至约(700*1.88/n)埃，n是覆盖层的光学常数。n可与约530纳米的波长相对应。n在约530纳米的波长下可以为约1.88。覆盖层的厚度可为约500埃至约700埃。覆盖层的厚度可为约550埃至约650埃。n在约530纳米的波长下可以为约2.07。覆盖层的厚度可为约454埃至约700埃。n在约530纳米的波长下可以为约2.36。覆盖层的厚度可为约398埃至约557埃。第二电极可包括银(Ag)。第二电极可进一步包括Yb、Mg和Al中的至少一种。第二电极可以包括约90体积％或以上的银(Ag)。第二电极的厚度可为约95埃至约105埃。第一电极和第二电极中的一个可以包括半透层。覆盖层可包括有机层或无机层。有机发射层可以包括位于第一电极上的空穴注入层和空穴传输层、位于空穴传输层上的发射层、以及位于发射层上的电子传输层和电子注入层。第一电极可以包括阳极，并且第二电极可以包括阴极。OLED显示器可以进一步包括位于覆盖层上的薄膜封装层，薄膜封装层与基底接合并封装，并用于封装有机发光元件。除了本公开的上述方面，本公开的其它方面将在下面描述，或将通过描述和下面的解释被本领域技术人员清楚地理解。根据本实施例，如上所述，蓝色偏移可以通过调整OLED显示器的第二电极和覆盖层的厚度来减小，从而提高了侧视角。另外，本公开的其它方面可以通过本公开的示例性实施例而被新近认识。附图说明图1是根据本公开示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的一个像素的电路图。图2是根据本实施例的OLED显示器的剖视图。图3是根据本实施例的发光元件的放大剖视图。图4和图5是示出了有机发射层中的发光机制的示意性剖视图。图6是示出了当第二电极的厚度是大约100埃并且覆盖层的厚度是大约830埃时的蓝色偏移现象的曲线图。图7是示出了当第二电极的厚度是大约100埃并且覆盖层的厚度是大约350埃时的蓝色偏移现象的曲线图。图8是示出了当第二电极的厚度是大约100埃并且覆盖层的厚度是大约550埃时的蓝色偏移现象的曲线图。图9是示出了当第二电极的厚度是大约100埃并且覆盖层的厚度是大约650埃时的蓝色偏移现象的曲线图。具体实施方式通过参考下述对实施例的详细描述以及附图，可以更容易地理解本专利技术构思的特征及实现本专利技术构思的方法。然而，本专利技术构思可以以许多不同的形式体现，而不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。在下文中，将参考附图更详细地描述示例性实施例，其中贯穿全文相同的附图标记指代相同的元件。然而，本专利技术可以以许多不同的形式体现，而不应被解释为仅限于在本文中所示的实施例。相反，提供这些实施例作为示例是为了使得此公开充分和完整，并且向本领域技术人员充分地传达本专利技术的方面和特征。因此，对于本领域普通技术人员来说对于完整理解本专利技术的方面和特征并非必要的流程、元件和技术可以不进行描述。除非另有说明，贯穿附图和书面描述，相同的附图标记指代相同的元件，因而其描述将不再重复。在图中，为了清楚起见，元件、层和区域的相对尺寸可能被夸大了。将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语用来区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分。因此，下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离本专利技术的精神和范围。出于易于解释的目的，可以在本文中使用诸如“之下”、“下方”、“下”、“下面”、“上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征相对于另一个(些)元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描述的方位之外，空间相对术语意在包含设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将被定向为在其它元件或特征的“上方”。因此，示例性术语“下方”和“下面”可以包括上方和下方两种方位。设备可被另外定向(例如旋转90度或者在其它方向)，本文使用的空间相对描述符可以进行相应的解释。将理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上，直接连接至或联接至另一元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或中间层。另外，还将理解的是，当元件或层被称为在两个元件或两个层“之间”时，它可以是这两个元件或两个层之间的唯一元件或唯一层，或者也可以存在一个或多个中间元件或中间层。本文使用的术语仅用于描述特定的实施例，并不旨在限制本专利技术。如本文所用，单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式，除非上下文另有明确说明。将进一步理解的是，当在说明书中使用时，术语“包括”和“包含”表明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如本文所用，术语“和/或”包括相关联的所列项目的一个或多个的任意和所有组合。诸如“……中的至少一个”的表述在位于一列元素之后时，修饰整列元素，而不是修饰该列中的单独元素。如本文所用，术语“基本上”、“大约”和类似术语被用作近似的术语，而不是作为程度的术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员所公认的测量或计算值的固有公差。此外，当描述本专利技术的实施例时，使用“可以”指的是“本专利技术的一个或多个实施例”。如本文所用，术语“使用”和“被用来”可以被认为分别与术语“利用”和“被利用来”同义。另外，术语“示例性”意指示例或例示。根据在本文中描述的本专利技术实施例的电气或电子设备和/或任何其它相关本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，包括：基底；位于所述基底上的薄膜晶体管；位于所述薄膜晶体管上并电联接至所述薄膜晶体管的第一电极；位于所述第一电极上的有机发射层；位于所述有机发射层上的第二电极；以及位于所述第二电极上的覆盖层，其中所述第二电极的厚度为65埃至125埃，并且其中所述覆盖层的厚度为500*1.88/n埃至700*1.88/n埃，n是所述覆盖层的光学常数。

【技术特征摘要】
2015.06.25 KR 10-2015-00907231.一种有机发光二极管显示器，包括：基底；位于所述基底上的薄膜晶体管；位于所述薄膜晶体管上并电联接至所述薄膜晶体管的第一电极；位于所述第一电极上的有机发射层；位于所述有机发射层上的第二电极；以及位于所述第二电极上的覆盖层，其中所述第二电极的厚度为65埃至125埃，并且其中所述覆盖层的厚度为500*1.88/n埃至700*1.88/n埃，n是所述覆盖层的光学常数。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中n与530纳米的波长相对应。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中n在530纳米的波长下为...

【专利技术属性】
技术研发人员：任相熏，金东赞，金元钟，金应道，金在福，徐东揆，宋原准，李智慧，林多慧，赵尹衡，韩沅锡，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR