LLC电路的控制方法以及电子设备技术

本发明专利技术实施例提供一种LLC电路的控制方法以及电子设备。所述控制方法包括：判断LLC电路是否工作在轻载或空载模式下；在所述LLC电路工作在轻载或空载模式的情况下，对所述LLC电路进行PWM方式的控制；在所述LLC电路没有工作在轻载或空载模式的情况下，对所述LLC电路进行PFM方式的控制。由此，不仅可以在中载或重载的情况下实现良好的效率，而且可以在轻载或空载的情况下降低LLC电路的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子电路
，尤其涉及一种LLC电路的控制方法以及电子设备。
技术介绍
LLC电路是一种包括了电容和电感的电路，具有谐振电感、谐振电容和励磁电感。LLC电路是电源主功率拓扑电路的一种，具有较好的软开关特性，可以大幅减小电源的开关损耗，提高能量的传输效率，显著降低电源的噪声，是目前使用最普遍的大功率拓扑之一。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本专利技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
但是，专利技术人发现目前的LLC电路一般使用脉冲频率调制(PFM，PulseFrequencyModulation)方式进行控制。PFM控制方式通过调节电路频率，控制电路增益的DC-DC转换器。因此，在轻载或空载的情况下，整个LLC电路的功耗不能进一步降低，不利于节省能源。本专利技术实施例提供一种LLC电路的控制方法以及电子设备。期望在轻载或空载的情况下，能够降低LLC电路的功耗。根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种LLC电路的控制方法，其中，所述控制方法包括：判断所述LLC电路是否工作在轻载或空载模式下；在所述LLC电路工作在轻载或空载模式的情况下，对所述LLC电路进行脉冲宽度调制方式的控制；在所述LLC电路没有工作在轻载或空载模式的情况下，对所述LLC电路进行脉冲频率调制方式的控制。根据本专利技术实施例的第二方面，其中，所述LLC电路包括第一互补金属氧化物半导体即CMOS晶体管和第二CMOS晶体管，以及所述LLC电路还包括谐振电容、谐振变压器和副边整流电路。根据本专利技术实施例的第三方面，其中，通过向所述第一CMOS晶体管输入占空比为D的第1驱动信号以及向所述第二CMOS晶体管输入占空比为1-D的第2驱动信号，对所述LLC电路进行脉冲宽度调制方式的控制。根据本专利技术实施例的第四方面，其中，所述D小于50％，且所述第1驱动信号和所述第2驱动信号为固定频率或可变频率。根据本专利技术实施例的第五方面，其中，对所述LLC电路进行脉冲宽度调制方式的控制时，所述LLC电路的工作模态包括：所述第一CMOS晶体管导通而所述第二CMOS晶体管关断的第一模态；所述第一CMOS晶体管关断而所述第二CMOS晶体管关断的第二模态；所述第一CMOS晶体管关断而所述第二CMOS晶体管导通的第三模态；以及所述第一CMOS晶体管关断而所述第二CMOS晶体管关断的第四模态。根据本专利技术实施例的第六方面，其中，在所述第一模态中，所述谐振电容相当于短路，所述第二CMOS晶体管的电压为低电平；在所述第三模态中，所述谐振电容和所述谐振变压器中的励磁电感进行谐振；在所述第二模态和所述第四模态中，所述LLC电路进入死区时间。根据本专利技术实施例的第七方面，提供一种电子设备，其中，所述电子设备包括：LLC电路，具有第一CMOS晶体管和第二CMOS晶体管，以及谐振电容、谐振变压器和副边整流电路；判断单元，判断所述LLC电路是否工作在轻载或空载模式下；控制单元，在所述LLC电路工作在轻载或空载模式的情况下，对所述LLC电路进行脉冲宽度调制方式的控制；在所述LLC电路没有工作在轻载或空载模式的情况下，对所述LLC电路进行脉冲频率调制方式的控制。根据本专利技术实施例的第八方面，其中，通过向所述第一CMOS晶体管输入占空比为D的第1驱动信号以及向所述第二CMOS晶体管输入占空比为1-D的第2驱动信号，对所述LLC电路进行脉冲宽度调制方式的控制。根据本专利技术实施例的第九方面，其中，所述D小于50％，且所述第1驱动信号和所述第2驱动信号为固定频率或可变频率。根据本专利技术实施例的第十方面，其中，对所述LLC电路进行脉冲宽度调制方式的控制时，所述LLC电路的工作模态包括：所述第一CMOS晶体管导通而所述第二CMOS晶体管关断的第一模态；其中所述谐振电容相当于短路，所述第二CMOS晶体管的电压为低电平；所述第一CMOS晶体管关断而所述第二CMOS晶体管关断的第二模态；所述第一CMOS晶体管关断而所述第二CMOS晶体管导通的第三模态；其中所述谐振电容和所述谐振变压器中的励磁电感进行谐振；以及所述第一CMOS晶体管关断而所述第二CMOS晶体管关断的第四模态。本专利技术的有益效果在于：在LLC电路工作在轻载或空载模式的情况下，对所述LLC电路进行PWM方式的控制；在LLC电路没有工作在轻载或空载模式的情况下，对所述LLC电路进行PFM方式的控制。由此，不仅可以在中载或重载的情况下实现良好的效率，而且可以在轻载或空载的情况下降低LLC电路的功耗。参照后文的说明和附图，详细公开了本专利技术的特定实施方式，指明了本专利技术的原理可以被采用的方式。应该理解，本专利技术的实施方式在范围上并不因此而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本专利技术的实施方式包括许多改变、修改和等同。针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。附图说明所包括的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本专利技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本专利技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1是本专利技术实施例的LLC电路的控制方法的一示意图；图2是本专利技术实施例的LLC电路的一示意图；图3是本专利技术实施例的第1驱动信号和第2驱动信号的一示意图；图4是本专利技术实施例的第1驱动信号和第2驱动信号的另一示意图；图5是本专利技术实施例的电子设备的一示意图。具体实施方式参照附图，通过下面的说明书，本专利技术的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本专利技术的特定实施方式，其表明了其中可以采用本专利技术的原则的部分实施方式，应了解的是，本专利技术不限于所描述的实施方式，相反，本专利技术包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。实施例1本专利技术实施例提供一种LLC电路的控制方法。图1是本专利技术实施例的LLC电路的控制方法的一示意图，如图1所示，所述控制方法包括：步骤101，判断LLC电路是否工作在轻载或空载模式下；在所述LLC电路工作在轻载或空载模式的情况下，执行步骤102；在所述LLC电路没有工作在轻载或空载模式的情况下，执行步骤103；步骤102，对所述LLC电路进行PWM方式的控制；步骤103，对所述LLC电路进行PFM方式的控制。在本实施例中，与现有技术中对LLC电路使用PFM控制方式不同的是，本专利技术实施例对LLC电路的负载情况进行判断。在轻载或空载的情况下使用脉冲宽度调制(PWM，PulseWidthModulation)方式，在不是轻载或空载(例如中载或者重载)的情况下使用PFM方式。其中，对于LLC电路的负载情况的判断可以通过内部或外部器件实现，例如可以通过检测原边电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LLC电路的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：判断所述LLC电路是否工作在轻载或空载模式下；在所述LLC电路工作在轻载或空载模式的情况下，对所述LLC电路进行脉冲宽度调制方式的控制；在所述LLC电路没有工作在轻载或空载模式的情况下，对所述LLC电路进行脉冲频率调制方式的控制。

【技术特征摘要】
1.一种LLC电路的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：判断所述LLC电路是否工作在轻载或空载模式下；在所述LLC电路工作在轻载或空载模式的情况下，对所述LLC电路进行脉冲宽度调制方式的控制；在所述LLC电路没有工作在轻载或空载模式的情况下，对所述LLC电路进行脉冲频率调制方式的控制。2.根据权利要求1所述的控制方法，其中，所述LLC电路包括第一互补金属氧化物半导体即CMOS晶体管和第二CMOS晶体管，以及所述LLC电路还包括谐振电容、谐振变压器和副边整流电路。3.根据权利要求2所述的控制方法，其中，通过向所述第一CMOS晶体管输入占空比为D的第1驱动信号以及向所述第二CMOS晶体管输入占空比为1-D的第2驱动信号，对所述LLC电路进行脉冲宽度调制方式的控制。4.根据权利要求3所述的控制方法，其中，所述D小于50％，且所述第1驱动信号和所述第2驱动信号为固定频率或可变频率。5.根据权利要求3所述的控制方法，其中，对所述LLC电路进行脉冲宽度调制方式的控制时，所述LLC电路的工作模态包括：所述第一CMOS晶体管导通而所述第二CMOS晶体管关断的第一模态；所述第一CMOS晶体管关断而所述第二CMOS晶体管关断的第二模态；所述第一CMOS晶体管关断而所述第二CMOS晶体管导通的第三模态；以及所述第一CMOS晶体管关断而所述第二CMOS晶体管关断的第四模态。6.根据权利要求5所述的控制方法，其中，在所述第一模态中，所述谐振电容相当于短路，所述第二CMOS晶体管的电压为低电平；在所述第三模态中，所述谐振...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘争林，
申请(专利权)人：三垦电气上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31