一种有机薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种有机薄膜晶体管及其制作方法。该制作方法包括：提供一基板；在基板上形成有机半导体图案、与有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案，其中，有机半导体图案包括与源/漏极图案接触的第一掺杂区和远离源/漏极图案的第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区具有不同的电导率。通过上述方式，本发明专利技术能够大大提高源/漏极图案与有机半导体图案的接触性，进而减少有机薄膜晶体管中的漏电问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，特别是涉及一种有机薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
在有机薄膜晶体管(OTFT)中，通常是金属源/漏极图案直接与有机半导体(OSC)层直接接触，金属源/漏极图案通过表面单层自组装(SAM)的方法增加金属功函数，使之与有机半导体层的HOMO能级匹配。但是采用SAM处理，对改善金属源/漏极图案与有机半导体层的接触性能是有限的，从而使得有机薄膜晶体管中的漏电较大。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种有机薄膜晶体管及其制作方法，能够大大提高源/漏极图案与有机半导体层的接触性，进而减少有机薄膜晶体管中的漏电问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种有机薄膜晶体管的制作方法，该制作方法包括：提供一基板；在基板上形成有机半导体图案、与有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案，其中，有机半导体图案包括与源/漏极图案接触的第一掺杂区和远离源/漏极图案的第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区具有不同的电导率；在形成有有机半导体图案和源/漏极图案的基板上形成第一绝缘层、栅极图案、信号传输线、第二绝缘层和像素电极。其中，在基板上形成有机半导体图案、与有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案的步骤包括：在基板上形成有机半导体层、与有机半导体层两侧接触的源/漏极图案；形成覆盖有机半导体层和源/漏极图案的电解质薄膜层；在电解质薄膜层上形成辅助电极，其中，辅助电极设置在源/漏极图案和有机半导体层相接触的区域的正对位置；在辅助电极和源/漏极图案之间施加偏置电压以使电解质薄膜层中的导电离子流入有机半导体层，以形成包括第一掺杂区和第二掺杂区的有机半导体图案；去掉辅助电极和电解质薄膜层。其中，电解质薄膜层的材料为凝胶型聚合物电解质、全固态聚合物电解质、多孔型聚合物电解质和复合型聚合物电解质中的至少一种。其中，在形成有有机半导体图案和源/漏极图案的基板上形成第一绝缘层、栅极图案、信号传输线、第二绝缘层和像素电极的步骤包括：形成覆盖有机半导体图案和源/漏极图案的第一绝缘层，其中，第一绝缘层设置有暴露出一源/漏极图案的第一过孔；在第一绝缘层上形成栅极图案和信号传输线，其中，信号传输线通过第一过孔与对应的源/漏极图案接触；形成覆盖栅极图案和信号传输线的第二绝缘层，其中，第二绝缘层设置有暴露出另一源/漏极图案的第二过孔；在第二绝缘层上形成像素电极，其中，像素电极通过第二过孔与对应的源/漏极图案接触。其中，在形成有有机半导体图案和源/漏极图案的基板上形成第一绝缘层、栅极图案、信号传输线、第二绝缘层和像素电极的步骤包括：形成覆盖有机半导体图案和源/漏极图案的第一绝缘层，其中，第一绝缘层设置有分别暴露出对应的源/漏极图案的两个第一过孔；在第一绝缘层上形成栅极图案和两条信号传输线，其中，两条信号传输线通过对应的第一过孔与源/漏极图案接触；形成覆盖栅极图案和信号传输线的第二绝缘层，其中，第二绝缘层设置有暴露出一条信号传输线的第二过孔；在第二绝缘层上形成像素电极，其中，像素电极通过第二过孔与对应的信号传输线接触。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括基板、有机半导体图案和源/漏极图案；其中，有机半导体图案和源/漏极图案设置在基板上，源/漏极图案与有机半导体图案的两侧接触；其中，有机半导体图案包括与源/漏极图案接触的第一掺杂区和远离源/漏图案的第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区具有不同的电导率。其中，有机半导体图案通过在基板上形成有机半导体层，在有机半导体层上涂布电解质薄膜层，在电解质薄膜层上制备辅助电极，在辅助电极和源/漏极图案之间施加偏置电压形成。其中，电解质薄膜层的材料为凝胶型聚合物电解质、全固态聚合物电解质、多孔型聚合物电解质和复合型聚合物电解质中的至少一种。其中，薄膜晶体管进一步包括第一绝缘层、栅极图案、信号传输线、第二绝缘层和像素电极；第一绝缘层覆盖有机半导体图案和源/漏极图案，其中，第一绝缘层设置有暴露出一源/漏极图案的第一过孔；栅极图案和信号传输线设置在第一绝缘层上，其中，信号传输线通过第一过孔与对应的源/漏极图案接触；第二绝缘层覆盖栅极图案和信号传输线，其中，第二绝缘层设置有暴露出另一源/漏极图案的第二过孔；像素电极设置在第二绝缘层上，其中，像素电极通过第二过孔与对应的源/漏极图案接触。其中，薄膜晶体管进一步包括第一绝缘层、栅极图案、信号传输线、第二绝缘层和像素电极；第一绝缘层覆盖有机半导体图案和源/漏极图案，其中，第一绝缘层设置有暴露出对应的源/漏极图案的两个第一过孔；栅极图案和两条信号传输线设置在第一绝缘层上，其中，两条信号传输线通过第一过孔与对应的源/漏极图案接触；第二绝缘层覆盖栅极图案和信号传输线，其中，第二绝缘层设置有暴露出一条信号传输线的第二过孔；像素电极设置在第二绝缘层上，其中，像素电极通过第二过孔与对应的信号传输线接触。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术的有机薄膜晶体管及其制作方法通过在基板上形成有机半导体图案、与有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案，其中，有机半导体图案包括与源/漏极图案接触的第一掺杂区和远离源/漏极图案的第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区具有不同的电导率。通过上述方式，本专利技术能够大大提高源/漏极图案与有机半导体图案的接触性，进而减少有机薄膜晶体管中的漏电问题。附图说明图1是本专利技术第一实施例的有机薄膜晶体管的制作方法的流程示意图；图2是本专利技术第二实施例的有机薄膜晶体管的制作方法的流程示意图；图2A-2E是图2所示制作方法在制作过程中的有机薄膜晶体管的结构示意图；图3是图2所示制作方法制得的有机薄膜晶体管的结构示意图；图4是本专利技术第三实施例的有机薄膜晶体管的制作方法的流程示意图；图4A是图4所示制作方法在制作过程中的有机薄膜晶体管的结构示意图；图5是图4所示制作方法制得的有机薄膜晶体管的结构示意图。具体实施方式在说明书及权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定的组件，所属领域中的技术人员应可理解，制造商可能会用不同的名词来称呼同样的组件。本说明书及权利要求书并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的基准。下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细说明。图1是本专利技术第一实施例的有机薄膜晶体管的制作方法的流程示意图。如图1所示，该方法包括如下步骤：步骤S1：提供一基板。步骤S2：在基板上形成有机半导体图案、与有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案，其中，有机半导体图案包括与源/漏极图案接触的第一掺杂区和远离源/漏极图案的第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区具有不同的电导率。步骤S3：在形成有有机半导体图案和源/漏极图案的基板上形成第一绝缘层、栅极图案、信号传输线、第二绝缘层和像素电极。图2是本专利技术第二实施例的有机薄膜晶体管的制作方法的流程示意图。图2A-2E是图2所示制作方法在制作过程中的有机薄膜晶体管的结构示意图。需注意的是，若有实质上相同的结果，本专利技术的方法并不以图2所示的流程顺序为限。如图2所示，该方法包括如下步骤：步骤S101：提供一基板。在步骤S101中，基板包括玻璃基板、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作制作方法包括：提供一基板；在所述基板上形成有机半导体图案、与所述有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案，其中，所述有机半导体图案包括与所述源/漏极图案接触的第一掺杂区和远离所述源/漏极图案的第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有不同的电导率；在形成有所述有机半导体图案和所述源漏极图案的所述基板上形成第一绝缘层、栅极图案、信号传输线、第二绝缘层和像素电极。

【技术特征摘要】
1.一种有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作制作方法包括：提供一基板；在所述基板上形成有机半导体图案、与所述有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案，其中，所述有机半导体图案包括与所述源/漏极图案接触的第一掺杂区和远离所述源/漏极图案的第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有不同的电导率；在形成有所述有机半导体图案和所述源漏极图案的所述基板上形成第一绝缘层、栅极图案、信号传输线、第二绝缘层和像素电极。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成有机半导体图案、与所述有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案的步骤包括：在所述基板上形成有机半导体层、与所述有机半导体层两侧接触的源/漏极图案；形成覆盖所述有机半导体层和所述源/漏极图案的电解质薄膜层；在所述电解质薄膜层上形成辅助电极，其中，所述辅助电极设置在所述源/漏极图案和所述有机半导体层相接触的区域的正对位置；在所述辅助电极和所述源/漏极图案之间施加偏置电压以使所述电解质薄膜层中的导电离子流入所述有机半导体层，以形成包括所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的所述有机半导体图案；去掉所述辅助电极和所述电解质薄膜层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述电解质薄膜层的材料为凝胶型聚合物电解质、全固态聚合物电解质、多孔型聚合物电解质和复合型聚合物电解质中的至少一种。4.根据权利要求1至3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述在形成有所述有机半导体图案和所述源/漏极图案的所述基板上形成第一绝缘层、栅极图案、信号传输线、第二绝缘层和像素电极的步骤包括：形成覆盖所述有机半导体图案和所述源/漏极图案的第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层设置有暴露出一所述源/漏极图案的第一过孔；在所述第一绝缘层上形成所述栅极图案和所述信号传输线，其中，所述信号传输线通过所述第一过孔与对应的所述源/漏极图案接触；形成覆盖所述栅极图案和所述信号传输线的第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层设置有暴露出另一所述源/漏极图案的第二过孔；在所述第二绝缘层上形成所述像素电极，其中，所述像素电极通过所述第二过孔与对应的所述源/漏极图案接触。5.根据权利要求1至3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述在形成有所述有机半导体图案和所述源/漏极图案的所述基板上形成第一绝缘层、栅极图案、信号传输线、第二绝缘层和像素电极的步骤包括：形成覆盖所述有机半导体图案和所述源/漏极图案的第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层设置有分别暴露出对应的所述源/漏极图案的两个第一过孔；在所述第一绝缘层上形成所述栅极图案和两条所述信号传输线，其中，两条所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘哲，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42