移位寄存器和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种移位寄存器和显示装置。移位寄存装包含预充电单元、上拉单元、第一下拉单元和第二下拉单元。预充电单元接收第一输入信号和第二输入信号，且由第一节点输出预充电信号。上拉单元接收预充电信号和时钟信号，且由第二节点输出扫描信号。第一下拉单元接收预充电信号、第一下拉控制信号和第二下拉控制信号，且控制是否将扫描信号下拉至参考电位，其中第一下拉控制信号与第二下拉控制信号互为反相。第二下拉单元接收预充电信号、第一下拉控制信号和第二下拉控制信号，且控制是否将扫描信号维持在参考电位。上述时钟信号的占空比小于百分之五十。具有此移位寄存器的显示装置可改善画面显示问题，进而增强显示表现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种移位寄存器，且特别是一种可提升显示品质的移位寄存器和具有此移位寄存器的显示装置。
技术介绍
平面显示装置，例如液晶显示装置或有机发光二极管(organiclight-emittingdiode；OLED)显示装置等，通常具有多个移位寄存器(shiftregister)，以用于控制显示装置中每个像素在同一时间点所显示的灰阶。然而，移位寄存器的电路设计需考虑信号在每个时间点所对应输出的正确性，以确保显示装置的图像显示品质。另一方面，就高分辨率的显示装置而言，电阻电容负载的增大也会影响到移位寄存器输出波形的正确性，可能造成显示装置中的像素所接收到的资料错误，或是导致产生例如水波纹、横纹不良或是噪声干扰等问题，使得用户体验因而降低。
技术实现思路
本专利技术的目的是在于提供一种移位寄存器和显示装置，其可有效降低例如水波纹、横纹不良或是噪声干扰等画面显示问题，进而提升显示品质。根据本专利技术的上述目的，提出一种移位寄存器。此移位寄存器包含预充电单元、上拉单元、第一下拉单元和第二下拉单元。预充电单元接收第一输入信号和第二输入信号，且根据第一输入信号和第二输入信号而由第一节点输出预充电信号。上拉单元耦接预充电单元，其接收预充电信号和时钟信号，且根据预充电信号和时钟信号由第二节点输出扫描信号。第一下拉单元耦接预充电单元和上拉单元，其接收预充电信号、第一下拉控制信号和第二下拉控制信号，且根据预充电信号、第一下拉控制信号和第二下拉控制信号来控制是否将扫描信号下拉至第一参考电位，其中第一下拉控制信号与第二下拉控制信号实质上互为反相。第二下拉单元耦接预充电单元和上拉单元，其接收预充电信号、第一下拉控制信号和第二下拉控制信号，且根据预充电信号、第一下拉控制信号和第二下拉控制信号来控制是否将扫描信号维持在第一参考电位。时钟信号的占空比小于百分之五十。依据本专利技术的一实施例，上述时钟信号的高电位持续时间为时钟信号的周期的一半减去资料写入时间。依据本专利技术的另一实施例，上述预充电单元包含第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管的闸极接收起始信号，第一晶体管的第一源漏极接收顺向输入信号，且第一晶体管的第二源漏极输出预充电信号。第二晶体管的闸极和第一源漏极接收对应移位寄存器的后四级移位寄存器所输出的扫描信号，且第二晶体管的第二源漏极耦接第一晶体管的第二源漏极。依据本专利技术的另一实施例，上述预充电单元包含第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管的闸极接收对应移位寄存器的前四级移位寄存器所输出的扫描信号，第一晶体管的第一源漏极接收顺向输入信号，且第一晶体管的第二源漏极输出预充电信号。第二晶体管的闸极接收对应移位寄存器的后四级移位寄存器所输出的扫描信号，第二晶体管的第一源漏极接收反向输入信号，且第二晶体管的第二源漏极耦接第一晶体管的第二源漏极。依据本专利技术的另一实施例，上述上拉单元包含第三晶体管和电容。第三晶体管的闸极接收预充电信号，第三晶体管的第一源漏极接收时钟信号，且第三晶体管的第二源漏极输出扫描信号。电容的第一端耦接第三晶体管的闸极，且电容的第二端耦接第三晶体管的第二源漏极。依据本专利技术的另一实施例，上述第一下拉单元包含第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管。第四晶体管的闸极和第一源漏极输入第一下拉控制信号。第五晶体管的闸极输入第二下拉控制信号，第五晶体管的第一源漏极耦接第一参考电位，且第五晶体管的第二源漏极耦接第四晶体管的第二源漏极。第六晶体管的闸极耦接第一节点，第六晶体管的第一源漏极耦接第一参考电位，且第六晶体管的第二源漏极耦接第四晶体管的第二源漏极。第七晶体管的闸极耦接第六晶体管的第二源漏极，第七晶体管的第一源漏极耦接第一参考电位，且第七晶体管的第二源漏极耦接第一节点。第八晶体管的闸极耦接第六晶体管的第二源漏极，第八晶体管的第一源漏极耦接第二参考电位，且第八晶体管的第二源漏极耦接第二节点。依据本专利技术的另一实施例，上述第二下拉单元包含第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管和第十三晶体管。第九晶体管的闸极和第一源漏极输入第二下拉控制信号。第十晶体管的闸极输入第一下拉控制信号，第十晶体管的第一源漏极耦接第一参考电位，且第十晶体管的第二源漏极耦接第九晶体管的第二源漏极。第十一晶体管的闸极耦接第一节点，第十一晶体管的第一源漏极耦接第一参考电位，且第十一晶体管的第二源漏极耦接第九晶体管的第二源漏极。第十二晶体管的闸极耦接第十一晶体管的第二源漏极，第十二晶体管的第一源漏极耦接第一参考电位，且第十二晶体管的第二源漏极耦接第一节点。第十三晶体管的闸极耦接第十一晶体管的第二源漏极，第十三晶体管的第一源漏极耦接第二参考电位，且第十三晶体管的第二源漏极耦接第二节点。依据本专利技术的另一实施例，上述第二参考电位低于上述第一参考电位。依据本专利技术的另一实施例，上述第二参考电位与上述第一参考电位相差3伏。根据本专利技术的上述目的，还提出一种显示装置。此显示装置包含显示面板和移位寄存器。其中，移位寄存器为如上所述的移位寄存器，以驱动显示面板。本专利技术的有益效果在于，可有效降低例如水波纹、横纹不良或是噪声干扰等画面显示问题，进而提升显示品质。附图说明为了更完整了解实施例及其优点，现参照结合附图做出下列描述，其中：图1为显示装置的结构示意图；图2为依据本专利技术第一实施例的闸极驱动电路的结构示意图；图3为依据图2的闸极驱动电路中移位寄存器的等效电路图；图4A和图4B为依据图2的闸极驱动电路的时序图；图5为另一显示装置的结构示意图；图6为依据本专利技术第二实施例的闸极驱动电路的结构示意图；图7为依据图6的闸极驱动电路中移位寄存器的等效电路图；以及图8A和图8B为依据图6的闸极驱动电路的时序图。具体实施方式以下仔细讨论本专利技术的实施例。然而，可以理解的是，实施例提供许多可应用的概念，其可实施于各式各样的特定内容中。所讨论、揭示的实施例仅供说明，并非用以限定本专利技术的范围。请参照图1，其为显示装置100的结构示意图。显示装置100包括显示面板110、源极驱动器120和闸极驱动器130。显示面板110具有多个排列成阵列的像素，其共同用以显示图像。显示面板110可以是例如扭转向列(twistednematic；TN)型、水平切换(in-planeswitching；IPS)型、边缘电场切换(fringe-fieldswitching；FFS)型或垂直配向(verticalalignment；VA)型等各种类型的液晶显示面板，或是有机发光二极管(organiclight-emittingdiode；OLED)显示面板。源极驱动器120电性连接至显示面板110，其用以将图像数据转换为源极驱动信号，且将源极驱动信号传输至显示面板110。闸极驱动器130用以产生闸极驱动信号，且将闸极驱动信号传输至显示面板110。显示面板110受到源极驱动信号和闸极驱动信号的驱动而显示图像。请参照图2，其为依据本专利技术第一实施例的闸极驱动电路200的结构示意图。闸极驱动电路200适用于图1的显示装置100或是其他类似的显示装置。以下以设置使用于图1的显示装置100为例说明。闸极驱动电路200为闸极驱动器130的一部分。闸极驱动电路200包括时钟信号线L本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移位寄存器，其特征在于，所述移位寄存器包含：预充电单元，其接收第一输入信号和第二输入信号，且根据所述第一输入信号和所述第二输入信号而由第一节点输出预充电信号；上拉单元，其耦接所述预充电单元，所述上拉单元接收所述预充电信号和时钟信号，且根据所述预充电信号和所述时钟信号由第二节点输出扫描信号；第一下拉单元，其耦接所述预充电单元和所述上拉单元，所述第一下拉单元接收所述预充电信号、第一下拉控制信号和第二下拉控制信号，且根据所述预充电信号、所述第一下拉控制信号和所述第二下拉控制信号来控制是否将所述扫描信号下拉至第一参考电位，其中所述第一下拉控制信号与所述第二下拉控制信号互为反相；以及第二下拉单元，其耦接所述预充电单元和所述上拉单元，所述第二下拉单元接收所述预充电信号、所述第一下拉控制信号和所述第二下拉控制信号，且根据所述预充电信号、所述第一下拉控制信号和所述第二下拉控制信号来控制是否将所述扫描信号维持在所述第一参考电位；其中，所述时钟信号的占空比小于百分之五十。

【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器，其特征在于，所述移位寄存器包含：预充电单元，其接收第一输入信号和第二输入信号，且根据所述第一输入信号和所述第二输入信号而由第一节点输出预充电信号；上拉单元，其耦接所述预充电单元，所述上拉单元接收所述预充电信号和时钟信号，且根据所述预充电信号和所述时钟信号由第二节点输出扫描信号；第一下拉单元，其耦接所述预充电单元和所述上拉单元，所述第一下拉单元接收所述预充电信号、第一下拉控制信号和第二下拉控制信号，且根据所述预充电信号、所述第一下拉控制信号和所述第二下拉控制信号来控制是否将所述扫描信号下拉至第一参考电位，其中所述第一下拉控制信号与所述第二下拉控制信号互为反相；以及第二下拉单元，其耦接所述预充电单元和所述上拉单元，所述第二下拉单元接收所述预充电信号、所述第一下拉控制信号和所述第二下拉控制信号，且根据所述预充电信号、所述第一下拉控制信号和所述第二下拉控制信号来控制是否将所述扫描信号维持在所述第一参考电位；其中，所述时钟信号的占空比小于百分之五十。2.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述时钟信号的高电位持续时间为所述时钟信号的周期的一半减去资料写入时间。3.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述预充电单元包含：第一晶体管，其闸极接收起始信号，其第一源漏极接收顺向输入信号，且其第二源漏极输出所述预充电信号；以及第二晶体管，其闸极和其第一源漏极接收对应所述移位寄存器的后四级移位寄存器所输出的所述扫描信号，且其第二源漏极耦接所述第一晶体管的第二源漏极。4.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述预充电单元包含：第一晶体管，其闸极接收对应所述移位寄存器的前四级移位寄存器所输出的所述扫描信号，其第一源漏极接收顺向输入信号，且其第二源漏极输出所述预充电信号；以及第二晶体管，其闸极接收对应所述移位寄存器的后四级移位寄存器所输出的所述扫描信号，其第一源漏极接收反向输入信号，且其第二源漏极耦接所述第一晶体管的第二源漏极。5.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹建廷，
申请(专利权)人：南京瀚宇彩欣科技有限责任公司，瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32