【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子
,具体涉及一种薄膜微电感器件,特别是涉及一种图形化平面磁芯的双层平面螺旋结构薄膜微电感及其制备方法。该薄膜微电感有利于三维微系统技术的集成,有效降低电感的体积从而提高空间集成度。
技术介绍
随着便携式电子产品的体积与重量不断减小,其对内部集成的电源管理芯片要求也越来越高.而电子元器件的小型化是电子产品的小型化、微型化的前提,磁性器件如电感器件及由其构成的电源变压器、DC-DC变换器、放大器和振荡器等是电子电路必不可少的重要元件,因此电感器件的微型化备受关注。一般来说,常规的电感器件大都采用机械绕线方式在磁芯周围绕制线圈或空心线圈,具有体积大、重量高、工作频率低等缺点。随着磁性器件工作频率的提高,磁性薄膜微电感器件要求工作在1MHz以上,尺寸在20mm2以下,然而采用常规的微电子技术难以在平面衬底上制作高性能的微型化电感器件。近年来,微机电系统(MEMS)技术的迅速发展,特别是以三维非硅材料为主的准-LIGA加工技术成为当前国际上研制微型化多层结构微器件的一种最先进技术。将薄膜技术融入到MEMS技术研制微型化电感器件,将具有低电阻、小面积、低损耗和低成本及批量化生产等优点。另外,在有磁性薄膜的器件中,磁性薄膜可以很好的集中磁力线的分布,可以有效地降低衬底的涡流损耗,因而在有磁性薄膜的器件中,衬底的损耗可以忽略。D.J.Sadler等人在《IEEETRANSACTIONSONMAGNETICS》上发表了“MicromachinedspiralinductorsusingUV-LIGAtechniques”一文,该文提到一种平面磁芯 ...
【技术保护点】
一种图形化平面磁芯双层平面螺旋结构薄膜微电感,其特征在于,包括:由底层薄膜磁芯和顶层薄膜磁芯组成的薄膜磁芯,由上层平面螺旋线圈和下层平面螺旋线圈组成的双层平面螺旋结构线圈,第一引线,第二引线,下层平面螺旋线圈引脚,上层平面螺旋线圈引脚,以及绝缘材料;其中:所述上层平面螺旋线圈、下层平面螺旋线圈位于底层薄膜磁芯和顶层薄膜磁芯之间;所述底层薄膜磁芯位于衬底上方,所述第一引线为上层平面螺旋线圈与下层平面螺旋线圈之间的引线,所述上层平面螺旋线圈与下层平面螺旋线圈通过第一引线连通;所述上层平面螺旋线圈引脚与下层平面螺旋线圈引脚在同一平面;所述下层平面螺旋线圈引脚通过第二引线连通上层平面螺旋线圈,并与上层平面螺旋线圈引脚在同一平面;所述底层薄膜磁芯与下层平面螺旋线圈之间、所述顶层薄膜磁芯与上层平面螺旋线圈之间、所述上层平面螺旋线圈与下层平面螺旋线圈之间,以及所述上层平面螺旋线圈、下层平面螺旋线圈与第一引线、第二引线之间均通过绝缘材料隔开。
【技术特征摘要】
1.一种图形化平面磁芯双层平面螺旋结构薄膜微电感,其特征在于,包括:由底层薄膜磁芯和顶层薄膜磁芯组成的薄膜磁芯,由上层平面螺旋线圈和下层平面螺旋线圈组成的双层平面螺旋结构线圈,第一引线,第二引线,下层平面螺旋线圈引脚,上层平面螺旋线圈引脚,以及绝缘材料;其中:所述上层平面螺旋线圈、下层平面螺旋线圈位于底层薄膜磁芯和顶层薄膜磁芯之间;所述底层薄膜磁芯位于衬底上方,所述第一引线为上层平面螺旋线圈与下层平面螺旋线圈之间的引线,所述上层平面螺旋线圈与下层平面螺旋线圈通过第一引线连通;所述上层平面螺旋线圈引脚与下层平面螺旋线圈引脚在同一平面;所述下层平面螺旋线圈引脚通过第二引线连通上层平面螺旋线圈,并与上层平面螺旋线圈引脚在同一平面;所述底层薄膜磁芯与下层平面螺旋线圈之间、所述顶层薄膜磁芯与上层平面螺旋线圈之间、所述上层平面螺旋线圈与下层平面螺旋线圈之间,以及所述上层平面螺旋线圈、下层平面螺旋线圈与第一引线、第二引线之间均通过绝缘材料隔开。2.根据权利要求1所述一种图形化平面磁芯双层平面螺旋结构薄膜微电感,其特征在于,所述薄膜磁芯为图形化的平面铁镍合金结构,薄膜磁芯为不同宽度的矩形阵列。3.根据权利要求1所述一种图形化平面磁芯双层平面螺旋结构薄膜微电感,其特征在于,所述上层平面螺旋线圈和下层平面螺旋线圈的外径尺寸小于薄膜磁芯的尺寸。4.根据权利要求1所述一种图形化平面磁芯双层平面螺旋结构薄膜微电感,其特征在于,所述双层平面螺旋结构线圈,线圈导体的厚度为20~30μm、宽度为20~30μm,线圈导体之间的间距为20μm,线圈匝数为13~17匝。5.根据权利要求4所述一种图形化平面磁芯双层平面螺旋结构薄膜微电感,其特征在于,所述双层平面螺旋结构线圈为正方形或长方形。6.根据权利要求4所述一种图形化平面磁芯双层平面螺旋结构薄膜微电感,其特征在于,所述双层平面螺旋结构线圈为微型薄膜线圈。7.根据权利要求1-6任一项所述一种图形化平面磁芯双层平面螺旋结构薄膜微电感,其特征在于,所述绝缘材料为聚酰亚胺;所述衬底的材料为玻璃。8.一种如权利要求1-7任一项所述图形化平面磁芯双层平面螺旋结构薄膜微电感的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、在清洗处理过的玻璃衬底的一面溅射一层Cr/Cu种子...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈明明,丁桂甫,朱小敏,刘哲,
申请(专利权)人:上海交通大学,
类型:发明
国别省市:上海;31
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