薄膜晶体管的特性检测装置和显示设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管的特性检测装置和显示设备。所述薄膜晶体管的特性检测装置，包括栅极测试端、源极测试端和与漏极测试端；源极测试端与工作电压输出端连接；所述薄膜晶体管的特性检测装置还包括：特性检测单元，分别与栅极测试端和漏极测试端连接，通过向所述栅极测试端分别输入不同的控制信号，并相应检测所述漏极测试端输出的电信号，以检测所述测试薄膜晶体管的开启电流、所述测试薄膜晶体管的关断电流和/或所述测试薄膜晶体管的开启延迟时间。本发明专利技术解决了现有技术中不能模拟显示面板远端TFT(薄膜晶体管)的特性情况来达到监控产品的目的，并不能检测测试薄膜晶体管的开启电流、所关断电流和/或开启延迟时间的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管的特性检测
，尤其涉及一种薄膜晶体管的特性检测装置和显示设备。
技术介绍
TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystaldisplay，薄膜晶体管-液晶显示器)的驱动器主要包括栅极驱动器和数据驱动器，其中，栅极驱动器将输入的时钟信号通过移位寄存器转换后加在液晶显示面板的栅线上。现有的针对TFT-LCD的ET(electronictest，电学测试)pad(端口)设计仅限于产品测试阶段使用，产线量产阶段暂无使用，并且现有的电学特性测试装置没有通过减少走线宽度和增加走线距离来模拟panel(显示面板)远端TFT(薄膜晶体管)特性情况来达到监控产品的目的，也没有提供具体的检测电路来检测TFT的开启电流、关断电流和开启延迟电流。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种薄膜晶体管的特性检测装置和显示设备，解决了现有技术中不能模拟显示面板远端TFT(薄膜晶体管)的特性情况来达到监控产品的目的，并不能检测测试薄膜晶体管的开启电流、所关断电流和/或开启延迟时间的问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种薄膜晶体管的特性检测装置，用于检测显示面板包括的测试薄膜晶体管的特性，包括栅极测试端、源极测试端和与漏极测试端；所述栅极测试端与所述测试薄膜晶体管的栅极之间通过第一连接线电连接，所述源极测试端与所述测试薄膜晶体管的源极之间通过第二连接线电连接，所述漏极测试端与所述测试薄膜晶体管的漏极之间通过第三连接线电连接；所述第一连接线的长度大于第一预定长度，所述第二连接线的长度和第三连接线的长度都大于第二预定长度，所述第一连接线的宽度小于第一预定宽度，所述第二连接线的宽度和所述第三连接线的宽度都小于第二预定宽度；所述源极测试端与工作电压输出端连接；所述薄膜晶体管的特性检测装置还包括：特性检测单元，分别与所述栅极测试端和所述漏极测试端连接，用于通过向所述栅极测试端分别输入不同的控制信号，并相应检测所述漏极测试端输出的电信号，以检测所述测试薄膜晶体管的开启电流、所述测试薄膜晶体管的关断电流和/或所述测试薄膜晶体管的开启延迟时间。实施时，所述第一预定长度为所述显示面板上的远端TFT的栅极与驱动集成电路的栅极驱动信号输出端之间的实际走线的长度的1/4，所述第一预定宽度为所述显示面板上的远端TFT的栅极与所述驱动集成电路的栅极驱动信号输出端之间的实际走线的宽度的1/4；所述第二预定长度为所述显示面板上的远端TFT的源极与所述驱动集成电路的数据信号输出端之间的实际走线的长度的1/4，所述第一预定宽度为所述显示面板上的远端TFT的源极与所述驱动集成电路的数据信号输出端之间的实际走线的宽度的1/4。实施时，所述特性检测单元包括：控制信号输入控制模块，用于在开启电流测试阶段控制所述栅极测试端与第一电平输出端连接，在关断电流测试阶段控制所述栅极测试端与第二电平输出端连接；以及，电流检测模块，用于在开启电流测试阶段检测所述漏极测试端输出的开启电流，在关断电流测试阶段检测所述漏极测试端输出的关断电流。实施时，所述控制信号输入控制模块，还用于在开启延迟时间测试阶段控制所述栅极测试端与预定方波信号输出端连接；所述预定方波信号输出端输出的预定方波信号的电位持续为第一电平的时间为第一时间；第一时间与栅极扫描信号的电位持续为第一电平的第二时间之间的差值的绝对值小于预定差值；所述预定方波信号的占空比在预定占空比范围内；所述特性检测单元还包括：开启延迟时间检测模块，用于通过将所述漏极测试端输出的电压信号与预定基准电压比较而检测得到所述开启延迟时间；所述预定基准电压的波形与所述预定方波信号的波形相同。实施时，本专利技术所述的薄膜晶体管的特性检测装置还包括：控制单元，分别与所述漏极测试端、所述电流检测模块和所述开启延迟时间检测模块连接，用于在开启电流测试阶段和关断电流测试阶段控制导通所述漏极测试端与所述电流检测模块之间的连接，在开启延迟时间测试阶段控制导通所述漏极测试端与所述开启延迟时间检测模块之间的连接。实施时，所述电流检测模块包括：共集电极电流放大电路，输入端与所述漏极测试端连接，用于对所述漏极测试端输出的电流进行放大；电流检测电路，与所述共集电极电流放大电路的输出端连接，用于检测所述共集电极电流放大电路的输出端的输出电流；以及，电流计算电路，与所述电流检测电路连接，用于根据所述共集电极电流放大电路的输出端的输出电流和所述共集电极电流放大电路的放大倍数计算所述漏极测试端输出的电流。实施时，所述共集电极电流放大电路包括放大三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述放大三极管的基极通过所述第二电阻与所述漏极测试端连接，所述放大三极管的集电极与第三电平输出端连接，所述放大三极管的发射极与所述共集电极电流放大电路的输出端连接；所述第一电阻连接于所述放大三极管的基极与所述第三电平输出端之间；所述第三电阻和所述第四电阻相互并联；相互并联的第三电阻和第四电阻连接于所述放大三极管的发射极和地端之间；所述开启延迟时间检测模块包括PWM比较器、控制晶体管、电容和开启延迟时间计算子模块，其中，PWM比较器，正相输入端与预定基准电压输出端连接，负相输入端与所述漏极测试端连接；控制晶体管，栅极与所述PWM比较器的输出端连接，第一极与第二电压输出端连接，第二极与延迟电压输出端连接；电容，连接于所述控制晶体管的第二极与地端之间；以及，开启延迟时间计算子模块，用于根据所述第一时间、预定平均电压和所述延迟电压输出端在开启延迟时间测试阶段的输出电压计算薄膜晶体管的开启延迟时间；所述预定平均电压为当所述PWM比较器的负相输入端接入预定基准电压时所述延迟电压输出端的输出电压的平均电压。本专利技术还提供了一种显示设备，包括显示面板和上述的薄膜晶体管的特性检测装置。实施时，所述显示面板包括阵列基板；所述测试薄膜晶体管设置于所述阵列基板上；所述测试薄膜晶体管的特性检测装置包括的栅极测试端、源极测试端和与漏极测试端都设置于所述阵列基板上。实施时，本专利技术所述的显示设备还包括夹持于所述显示面板的侧边的夹持单元，所述薄膜晶体管的特性检测装置包括的特性检测单元设置于所述夹持单元上。与现有技术相比，本专利技术所述的薄膜晶体管的特性检测装置和显示设备通过减少走线宽度和增加走线距离来模拟显示面板)端TFT(薄膜晶体管)的特性情况来达到监控产品的目的，并增加了特性检测单元来通过向所述栅极测试端分别输入不同的控制信号，并相应检测所述漏极测试端输出的电信号，以检测所述测试薄膜晶体管的开启电流、所述测试薄膜晶体管的关断电流和/或所述测试薄膜晶体管的开启延迟时间，提高了对显示产品品质监控的能力，减少资材浪费，减小样品在客户端出现的问题。附图说明图1是本专利技术实施例所述的薄膜晶体管的特性检测装置的结构图；图2是本专利技术另一实施例所述的薄膜晶体管的特性检测装置的结构图；图3是本专利技术又一实施例所述的薄膜晶体管的特性检测装置的结构图；图4是本专利技术实施例所述的薄膜晶体管的特性检测装置包括的电流检测模块的结构框图；图5是本专利技术实施例所述的薄膜晶体管的特性检测装置中的各测试端的连接示意图；图6是本专利技术所述的薄膜晶体管的特性检测装置的一具体实施例的电路图；图7是本专利技术所述的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的特性检测装置，用于检测显示面板包括的测试薄膜晶体管的特性，包括栅极测试端、源极测试端和与漏极测试端；所述栅极测试端与所述测试薄膜晶体管的栅极之间通过第一连接线电连接，所述源极测试端与所述测试薄膜晶体管的源极之间通过第二连接线电连接，所述漏极测试端与所述测试薄膜晶体管的漏极之间通过第三连接线电连接；其特征在于，所述第一连接线的长度大于第一预定长度，所述第二连接线的长度和第三连接线的长度都大于第二预定长度，所述第一连接线的宽度小于第一预定宽度，所述第二连接线的宽度和所述第三连接线的宽度都小于第二预定宽度；所述源极测试端与工作电压输出端连接；所述薄膜晶体管的特性检测装置还包括：特性检测单元，分别与所述栅极测试端和所述漏极测试端连接，用于通过向所述栅极测试端分别输入不同的控制信号，并相应检测所述漏极测试端输出的电信号，以检测所述测试薄膜晶体管的开启电流、所述测试薄膜晶体管的关断电流和/或所述测试薄膜晶体管的开启延迟时间。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的特性检测装置，用于检测显示面板包括的测试薄膜晶体管的特性，包括栅极测试端、源极测试端和与漏极测试端；所述栅极测试端与所述测试薄膜晶体管的栅极之间通过第一连接线电连接，所述源极测试端与所述测试薄膜晶体管的源极之间通过第二连接线电连接，所述漏极测试端与所述测试薄膜晶体管的漏极之间通过第三连接线电连接；其特征在于，所述第一连接线的长度大于第一预定长度，所述第二连接线的长度和第三连接线的长度都大于第二预定长度，所述第一连接线的宽度小于第一预定宽度，所述第二连接线的宽度和所述第三连接线的宽度都小于第二预定宽度；所述源极测试端与工作电压输出端连接；所述薄膜晶体管的特性检测装置还包括：特性检测单元，分别与所述栅极测试端和所述漏极测试端连接，用于通过向所述栅极测试端分别输入不同的控制信号，并相应检测所述漏极测试端输出的电信号，以检测所述测试薄膜晶体管的开启电流、所述测试薄膜晶体管的关断电流和/或所述测试薄膜晶体管的开启延迟时间。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的特性检测装置，其特征在于，所述第一预定长度为所述显示面板上的远端TFT的栅极与驱动集成电路的栅极驱动信号输出端之间的实际走线的长度的1/4，所述第一预定宽度为所述显示面板上的远端TFT的栅极与所述驱动集成电路的栅极驱动信号输出端之间的实际走线的宽度的1/4；所述第二预定长度为所述显示面板上的远端TFT的源极与所述驱动集成电路的数据信号输出端之间的实际走线的长度的1/4，所述第一预定宽度为所述显示面板上的远端TFT的源极与所述驱动集成电路的数据信号输出端之间的实际走线的宽度的1/4。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的特性检测装置，其特征在于，所述特性检测单元包括：控制信号输入控制模块，用于在开启电流测试阶段控制所述栅极测试端与第一电平输出端连接，在关断电流测试阶段控制所述栅极测试端与第二电平输出端连接；以及，电流检测模块，用于在开启电流测试阶段检测所述漏极测试端输出的开启电流，在关断电流测试阶段检测所述漏极测试端输出的关断电流。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的特性检测装置，其特征在于，所述控制信号输入控制模块，还用于在开启延迟时间测试阶段控制所述栅极测试端与预定方波信号输出端连接；所述预定方波信号输出端输出的预定方波信号的电位持续为第一电平的时间为第一时间；第一时间与栅极扫描信号的电位持续为第一电平的第二时间之间的差值的绝对值小于预定差值；所述预定方波信号的占空比在预定占空比范围内；所述特性检测单元还包括：开启延迟时间检测模块，用于通过将所述漏极测试端输出的电压信号与预定基准电压比较而检测得到所述开启延迟时间；所述预定基准电压的波形与所述预定方波信号的波形相同。5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐飞，薛伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11