通断继热式控制开关电路制造技术

本发明专利技术涉及一种适用于交流适配器的开关电路，尤其涉及通断继热式控制开关电路。通断继热式控制开关电路，包括采用交流电供电的电源电路；所述电源电路包括整流桥、集成芯片MIP0254SP、光耦、变压器、电感一、电感二、电容一至七、电阻一、电阻二、电阻三、二极管五和二极管六。本发明专利技术通断继热式控制开关电路，不需要进行反馈环路补偿，解决了现有的开关电路需要添加辅助绕组及附加外部元件对反馈环路进行补偿的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种适用于交流适配器的电源电，尤其涉及通断继热式控制开关电路。
技术介绍
对一般的开关电路来说，通常都采用脉宽调制的方式进行控制，通过反馈电路用输出电压去控制脉冲的占空比，从而达到调节稳定输出电压的目的。但是，通过这种方式往往都需要添加辅助绕组及附加外部元件对反馈环路进行补偿。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种不需要进行反馈环路补偿的通断继热式控制开关电路。为了解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案:通断继热式控制开关电路，包括采用交流电供电的电源电路；其特征在于：所述电源电路包括整流桥、集成芯片MIP0254SP、光耦、变压器、电感一、电感二、电容一至七、电阻一、电阻二、电阻三、二极管五和二极管六；所述交流电源与整流桥交流接线端连接，所述电阻一与交流电源火线串联，所述电感一与电容二串联，电阻二与电感一并联，所述整流桥公共阴极端与电感一和电容一连接，所述整流桥公共阳极端与电容一和电容二连接，所述电阻三与电容三串联，所述变压器初级绕组一端与电感一和电容二连接，另一端与电阻四和集成芯片MIP0254SP的漏极连接，所述集成芯片MIP0254SP的反馈端与光耦的集电极连接，旁路端与电容四连接，所述电容三、电容四、集成芯片MIP0254SP的接地端和光耦的发射极与整流桥公共阳极端连接，所述电感二的一端与二极管五负极、电容六和光耦阳极连接，另一端与电容七和输出电压正极连接，所述变压器次级绕组一端与二极管五正极连接，另一端与电容六、电容七和输出电压负极连接，所述电容五一端与光耦发射极连接，另一端与二极管六正极和输出电压负极连接，所述二极管六负极与光耦阴极连接，输出电压正、负极之间加载有加热电阻丝。本专利技术的工作原理：集成芯片MIP0254SP内集成有大功率场效应管、振荡器、高耐压电源和限流器，并具有过热保护功能。220V交流电经电阻一限流、整流桥整流，电容一、电感一和电容二等组成的滤波电路滤波后，得到的直流电压约为305V左右，通过变压器初级绕组加到集成芯片MIP0254SP的漏极，集成芯片MIP0254SP通过改变流经反馈端的电流值来接通或者关断振荡频率fCLK=44KHz的振荡电路的方波输出通路，从而控制其内部的大功率场效应管的通断。当反馈端流过的电流在50µA以下时，大功率场效应管以44KHz的频率工作于开关状态。大功率场效应管的导通时刻由44KHz的时钟脉冲控制。但截止时刻并不由44KHz的时钟脉冲控制，而是用限流电路来控制。当大功率场效应管的漏极电流随时间从零增大至限流值时，大功率场效应管转入截止状态。当反馈端流过的电流大于40µA时，大功率场效应管不导通，时钟频率变为8844KHz，提高了反馈端的取样速率，加快了环路的响应速度。由于限流电平与开关频率是固定的，所以最大输出功率与变压器初级绕组的电感量成比例，与输入电压的大小无关。本专利技术的技术效果：1、只要在集成芯片MIP0254SP的漏极提供电源电压就可以工作，不需要添加辅助绕组及附加外部元件。2、由于集成芯片MIP0254SP旁路端所接的滤波电容不大，所以启动延时很小，约为0.3ms。3、由于是通过单纯的通/断控制来稳定输出电压的，所以不需要进行反馈环路补偿，在接通电源时也不会出现输出电压过高的现象。4、由于振荡频率不高，所以只需使用简答的缓冲电路和EMI滤波电路就可以抑制噪声。进一步，还包括用于封装所述电容二的电容壳体，所述电容壳体包括本体，所述本体为筒状结构，所述本体上设有散热装置，散热装置围绕本体的外壁均匀分布，所述散热装置包括导热管、散热管和连接管，所述导热管的外壁呈波浪状，散热管呈螺旋状，所述导热管与电容二均设于本体内腔中，散热管处于本体外部，导热管的两端分别通过连接管与散热管的两端连接，导热管、散热管和它们两端的连接管形成一闭合回路管，所述连接管穿过本体的侧壁，并固定在本体的侧壁上，导热管、散热管和连接管内充满导热液体。通过在本体上设置多个散热装置，散热装置包括导热管、散热管和连接管组成，管内充满导热液体，通过导热管在本体内腔中吸热，散热管在本体外部散热，内部的导热液体通过热液体上升，冷却液体下降的原理，使导热液体自动循环冷却，且将导热管的外壁设计呈波浪状，使导热面增大，提高吸热效率，将散热管设计呈螺旋状，使散热面增大，提高散热性能，从而提高本体内部热量的散热率。进一步，所述导热管与散热管的长度方向与所述本体的长度方向一致。如果导热管与散热管中有一个的长度方向与本体相互垂直或呈倾斜角都会增加整个壳体的占据空间，为了减小壳体的占据空间，方便安装，特限定导热管与散热管的长度方向与所述本体的长度方向一致。进一步，所述导热管与散热管均为铝管。出于成本以及散热效率的综合考虑，铝管是较为优化的选择。附图说明图1是本专利技术通断继热式控制开关电路的电路原理图。图2为本专利技术中电容外壳的结构示意图。具体实施方式如图1所示，通断继热式控制开关电路，包括采用交流电供电的电源电路；其特征在于：所述电源电路包括整流桥VD1～VD4、集成芯片MIP0254SPIC1、光耦IC2、变压器T1、电感一L1、电感二L2、电容一至七C1～C7、电阻一R1、电阻二R2、电阻三R3、二极管五VD5和二极管六VD6；所述交流电源与整流桥VD1～VD4交流接线端连接，所述电阻一R1与交流电源火线串联，所述电感一L1与电容二C2串联，电阻二R2与电感一L1并联，所述整流桥VD1～VD4公共阴极端与电感一L1和电容一C1连接，所述整流桥VD1～VD4公共阳极端与电容一C1和电容二C2连接，所述电阻三R3与电容三C3串联，所述变压器T1初级绕组一端与电感一L1和电容二C2连接，另一端与电阻四R4和集成芯片MIP0254SPIC1的漏极D连接，所述集成芯片MIP0254SPIC1的反馈端FB与光耦IC2的集电极连接，旁路端BP与电容四C4连接，所述电容三C3、电容四C4、集成芯片MIP0254SPIC1的接地端和光耦IC2的发射极与整流桥VD1～VD4公共阳极端连接，所述电感二L2的一端与二极管五VD5负极、电容六C6和光耦IC2阳极连接，另一端与电容七C7和输出电压正极连接，所述变压器T1次级绕组一端与二极管五VD5正极连接，另一端与电容六C6、电容七C7和输出电压负极连接，所述电容五C5一端与光耦IC2发射极连接，另一端与二极管六VD6正极和输出电压负极连接，所述二极管六VD6负极与光耦IC2阴极连接。输出电压正、负极之间加载有加热电阻丝(图1中未绘出)。电容二外套设有电容器外壳，如图2所示电容器外壳包括本体10，所述本体10为筒状结构，所述本体10上设有多个散热装置20，散热装置20围绕本体10的外壁均匀分布，所述散热装置20包括导热管21、散热管22和连接管23，所述导热管21的外壁呈波浪状，散热管22呈螺旋状，所述导热管21设于本体10内腔中，散热管22处于本体10外部，导热管21的两端分别通过连接管23与散热管22的两端连接，导热管21、散热管22和它们两端的连接管23形成一闭合回路管，所述连接管23穿过本体10的侧壁，并固定在本体10的侧壁上，导热管21、散热管22和连接管23内充满导热液体。所述导热管21和散热管22竖直放置（与壳体的长度本文档来自技高网...

【技术保护点】
通断继热式控制开关电路，包括采用交流电供电的电源电路；其特征在于： 所述电源电路包括整流桥、集成芯片MIP0254SP、光耦、变压器、电感一、电感二、电容一至七、电阻一、电阻二、电阻三、二极管五和二极管六；所述交流电源与整流桥交流接线端连接，所述电阻一与交流电源火线串联，所述电感一与电容二串联，电阻二与电感一并联，所述整流桥公共阴极端与电感一和电容一连接，所述整流桥公共阳极端与电容一和电容二连接，所述电阻三与电容三串联，所述变压器初级绕组一端与电感一和电容二连接，另一端与电阻四和集成芯片MIP0254SP的漏极连接，所述集成芯片MIP0254SP的反馈端与光耦的集电极连接，旁路端与电容四连接，所述电容三、电容四、集成芯片MIP0254SP的接地端和光耦的发射极与整流桥公共阳极端连接，所述电感二的一端与二极管五负极、电容六和光耦阳极连接，另一端与电容七和输出电压正极连接，所述变压器次级绕组一端与二极管五正极连接，另一端与电容六、电容七和输出电压负极连接，所述电容五一端与光耦发射极连接，另一端与二极管六正极和输出电压负极连接，所述二极管六负极与光耦阴极连接，输出电压正、负极之间加载有加热电阻丝。...

【技术特征摘要】
1.通断继热式控制开关电路，包括采用交流电供电的电源电路；其特征在于：所述电源电路包括整流桥、集成芯片MIP0254SP、光耦、变压器、电感一、电感二、电容一至七、电阻一、电阻二、电阻三、二极管五和二极管六；所述交流电源与整流桥交流接线端连接，所述电阻一与交流电源火线串联，所述电感一与电容二串联，电阻二与电感一并联，所述整流桥公共阴极端与电感一和电容一连接，所述整流桥公共阳极端与电容一和电容二连接，所述电阻三与电容三串联，所述变压器初级绕组一端与电感一和电容二连接，另一端与电阻四和集成芯片MIP0254SP的漏极连接，所述集成芯片MIP0254SP的反馈端与光耦的集电极连接，旁路端与电容四连接，所述电容三、电容四、集成芯片MIP0254SP的接地端和光耦的发射极与整流桥公共阳极端连接，所述电感二的一端与二极管五负极、电容六和光耦阳极连接，另一端与电容七和输出电压正极连接，所述变压器次级绕组一端与二极管五正极连接，另一端与电容六、电容七和输出电压负极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨向东，
申请(专利权)人：贵州遵义鑫阳电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州;52