电连接结构及阵列基板制造技术

一种电连接结构，所述电连接结构包括电连接单元、位于所述电连接单元一侧的干涉层以及位于所述电连接单元远离所述干涉层的一侧并覆盖所述电连接单元的绝缘覆盖层，所述电连接单元包括金属层，所述干涉层靠近所述绝缘覆盖层的一侧对光线的反射率与所述金属层对光线的反射率相同。本发明专利技术还提供一种阵列基板。本发明专利技术由于设置了干涉层，能够降低反射至绝缘覆盖层的光线强度，使绝缘覆盖层不易被光线破坏，进而得到平坦的绝缘覆盖层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电连接结构及一种阵列基板。
技术介绍
液晶显示面板通常包括阵列基板、对向基板及夹设在所述阵列基板与对向基板之间的液晶层，通过控制所述液晶层中液晶分子的旋转以控制光线的通过量，进而实现画面显示。其中，该阵列基板包括诸如薄膜晶体管、存储电容以及位于阵列基板周边的连接垫、连接线等结构。在形成上述结构之后，通常形成一覆盖上述结构的绝缘覆盖层，例如形成一平坦化层，并对所述绝缘覆盖层进行曝光。然而，对所述绝缘覆盖层进行曝光容易使绝缘覆盖层的表面不平整，影响阵列基板的稳定性。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种电连接结构，所述电连接结构包括电连接单元、位于所述电连接单元一侧的干涉层以及位于所述电连接单元远离所述干涉层的一侧并覆盖所述电连接单元的绝缘覆盖层，所述电连接单元包括金属层，所述干涉层靠近所述绝缘覆盖层的一侧对光线的反射率与所述金属层对光线的反射率相同。还有必要提供一种阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管、位于所述薄膜晶体管一侧的干涉层以及位于所述薄膜晶体管远离所述干涉层的一侧并覆盖所述薄膜晶体管的绝缘覆盖层，所述薄膜晶体管包括金属层，所述干涉层靠近所述绝缘覆盖层的一侧对光线的反射率与所述金属层对光线的反射率相同。与现有技术相对比，本专利技术具体实施方式提供的电连接结构及阵列基板由于设置了干涉层，能够降低反射至绝缘覆盖层的光线强度，使绝缘覆盖层不易被光线破坏，进而得到平坦的绝缘覆盖层。附图说明图1是本专利技术具体实施方式所提供的电连接结构的示意图。图2是本专利技术具体实施方式所提供的阵列基板的示意图。图3是本专利技术具体实施方式电连接结构的制作方法的流程图。图4至图8是图3中各步骤的分步示意图。图9是本专利技术具体实施方式阵列基板的制作方法的流程图。图10至图16是图9中各步骤的分步示意图。主要元件符号说明液晶显示面板1阵列基板10对向基板11液晶层12基板100缓冲层105干涉层108第一干涉层108a第二干涉层108b栅极114连接垫118绝缘层122连接垫孔172接触孔174通道层132源极142漏极144绝缘覆盖层152像素电极162连接线146如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式在液晶显示器中阵列基板的形成过程中，经常会在阵列基板上的电连接结构上形成一绝缘覆盖层，如钝化层，之后对该绝缘覆盖层进行曝光以在所述绝缘覆盖层上开孔或对所述绝缘覆盖层漂白。然而，对所述绝缘覆盖层进行曝光容易使该绝缘覆盖层的表面不平整。经研究发现，导致所述绝缘覆盖层不平整的原因主要在于对所述绝缘覆盖层进行曝光时该由金属层形成的电连接结构会把曝光的光线反射至所述绝缘覆盖层，导致该绝缘覆盖层受到了双重曝光，进而使得该绝缘覆盖层的表面被破坏。因此，在本专利技术具体实施方式中，通过在阵列基板上设置一对光线的反射率与连接线相同的干涉层，使该干涉层与连接线所反射的反射光形成干涉，降低由所述连接线反射至绝缘覆盖层的光线强度，进而得到平坦的绝缘覆盖层。请参阅图1，本专利技术具体实施方式所提供的电连接结构10包括基板100、缓冲层105、干涉层108、连接垫118、绝缘层122、连接线146以及绝缘覆盖层152。所述缓冲层105形成在所述基板100上并覆盖所述基板100。所述干涉层108形成在所述缓冲层105上。所述连接垫118形成在所述干涉层108上。所述绝缘层122覆盖所述干涉层108及所述连接垫118。所述绝缘层122对应所述连接垫118的位置开设有连接垫孔172。所述连接线146形成在所述绝缘层122上且通过所述连接垫孔172与所述连接垫118电性连接。所述连接垫118与连接线146相互电性连接构成一电连接单元。所述绝缘覆盖层152覆盖所述绝缘层122以及所述连接线146。所述绝缘覆盖层152远离所述基板100的一侧为平坦的表面。所述干涉层108能够将从所述干涉层108远离所述基板100一侧射向所述干涉层108的光线以一定的反射率反射，并将从所述干涉层108靠近所述基板100一侧射向所述干涉层108的光线透射。所述干涉层108远离所述基板100的一侧对光线的反射率与所述连接线146对光线的反射率相同。在本实施方式中，所述干涉层108在所述基板100上的投影面积不小于所述连接线146在所述基板100上的投影面积。优选地，所述干涉层108在所述基板100上的投影面积为所述连接线146在所述基板100上的投影面积的1至10倍。可以理解，所述缓冲层105不是必要的，在其它实施方式中，所述干涉层108可直接形成在所述基板100上。在本实施方式中，所述基板100的材质选自透明基材，例如玻璃、石英或有机聚合物等。所述缓冲层105的材质选自透明绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。在本实施方式中，所述干涉层108的材质选自氧化铌与二氧化硅的聚合物(Nb2O5-SiO2)。所述连接垫118与连接线146的材质选自铝、钛、钼、钽、铜等金属。在本实施方式中，所述绝缘层122的材质选自透明绝缘材料，例如氧化铝、氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。在本实施方式中，所述绝缘覆盖层152为一钝化层，所述绝缘覆盖层152选自常作为钝化层的有机材料，例如采用聚碳酸酯(PC)以及苯并环乙烯(BCB)等。本专利技术具体实施方式所提供的电连接结构10由于在所述电连接结构10中设置了与该连接线146反射率相同的该干涉层108，且所述干涉层108在所述基板100上的投影面积不小于所述连接线146在所述基板100上的投影面积，该干涉层108能够与所述连接线146所反射的光线形成相互干涉，在对所述绝缘覆盖层152进行曝光时，能够降低所述绝缘覆盖层152与所述连接线146对应位置的光线强度，使绝缘覆盖层152不易被光线破坏，进而得到平坦的绝缘覆盖层152。同时，经试验，当所述干涉层108在所述基板100上的投影面积为所述连接线146在所述基板100上的投影面积的1至10倍时效果最佳，所述干涉层108在不与该连接线146对应的位置基本不会反射多余的光线，因此基本不会对所述绝缘覆盖层152进行不必要的破坏。在本实施方式中，该电连接结构10是形成在一阵列基板1中的非显示区域，以下具体实施方式针对该阵列基板1的加以说明。请参阅图2，本专利技术具体实施方式所提供的阵列基板1包括基板100、缓冲层105、第一干涉层108a、第二干涉层108b、栅极114、连接垫118、绝缘层122、通道层132、源极142、漏极144、连接线146、绝缘覆盖层152以及像素电极162。所述缓冲层105形成在所述基板100上并覆盖所述基板100。所述第一干涉层108a与第二干涉层108b分别形成在所述缓冲层105上，且所述第一干涉层108a与第二干涉层108b相互间隔设置。所述连接垫118形成在所述第一干涉层108a上。所述栅极114形成在所述第二干涉层108b上。所述绝缘层122覆盖所述缓冲层105、第一干涉层108a、第二干涉层108b、栅极114与连接垫118。所述绝缘层122对应所述连接垫118的位置开设有连接垫孔172。所述通道层132形成在所述绝缘层122上与所述栅极114对应的位置。所述源极142与漏极144形成在所述绝缘层122上且分别覆盖所述通道层132的两端。所述连接线146形成在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电连接结构，包括电连接单元、位于所述电连接单元一侧的干涉层以及位于所述电连接单元远离所述干涉层的一侧并覆盖所述电连接单元的绝缘覆盖层，所述电连接单元包括金属层，所述干涉层靠近所述绝缘覆盖层的一侧对光线的反射率与所述金属层对光线的反射率相同。

【技术特征摘要】
1.一种电连接结构，包括电连接单元、位于所述电连接单元一侧的干涉层以及位于所述电连接单元远离所述干涉层的一侧并覆盖所述电连接单元的绝缘覆盖层，所述电连接单元包括金属层，所述干涉层靠近所述绝缘覆盖层的一侧对光线的反射率与所述金属层对光线的反射率相同。2.如权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，所述干涉层形成在一基板上，所述电连接单元形成在所述干涉层上，所述绝缘覆盖层覆盖所述电连接单元，所述干涉层在所述基板上的投影面积不小于所述电连接单元在所述基板上的投影面积。3.如权利要求2所述的电连接结构，其特征在于，所述干涉层在所述基板上的投影面积为所述电连接单元在所述基板上的投影面积的1至10倍。4.如权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，所述电连接单元包括相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层，所述干涉层靠近所述绝缘覆盖层的一侧对光线的反射率与距离该绝缘覆盖层较近的金属层对光线的反射率相同。5.如权利要求4所述的电连接结构，其特征在于，所述连接垫形成在所述干涉层上，所述电连接结构还包括一覆盖所述连接垫的绝缘层，所述连接线形成在所述绝缘层上并通过一开设在所述绝缘层上的连接垫孔与所述连接垫电性连接，所述绝缘覆盖层覆盖所述连接线，所述干涉层靠近所述绝缘覆盖层的一侧对光线的反射率与所述连接线对光线的反射率相同。6.如权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，所述干涉层的材质选自氧化铌与二氧化硅的聚合物。7.一种阵列基板，该阵列基板包括薄膜晶体管、位于所述薄膜晶体管一侧的干涉层以及位于所述薄膜晶体管远离所述干涉层的一侧并覆盖所述薄膜晶体管的绝缘覆盖层，所述薄膜晶体管包括金属层，所述干涉层靠近所述绝缘覆盖层的一侧对光线的反射率与所述金属层对光线的反射率相同。8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述干涉层形成在一基板上，所述薄膜晶体管形成在所述干涉层上，所述绝缘覆盖层覆盖所述薄膜晶体管，所述干涉层在所述基板上的投影面积不小于所述薄膜晶体管在所述基板上的投...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖金阅，刘家麟，戴延樘，吕宏哲，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44