封装结构及其制法制造技术

本申请揭示一种封装结构及其制法，该封装结构包括：介电层、嵌埋于该介电层中并外露于该介电层表面的第一线路层、设于该第一线路层上的多个导电凸块、以及形成于该介电层、导电凸块与该第一线路层上的第一绝缘保护层，且该导电凸块的部分表面外露于该第一绝缘保护层。藉由该第一线路层上形成有该导电凸块，使该导电凸块外露于该第一绝缘保护层，而该第一线路层仍受该第一绝缘保护层覆盖，故于接置电子元件后，可避免焊料与第一线路层发生桥接的问题，因而能提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装结构，尤指一种能提高产品良率的封装结构及其制法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，许多高阶电子产品都逐渐朝往轻、薄、短、小等高集积度方向发展，且随着封装技术的演进，芯片的封装技术也越来越多样化，半导体封装件的尺寸或体积也随之不断缩小，藉以使该半导体封装件达到轻薄短小的目的。图1为现有封装结构1的剖视图。如图1所示，该封装结构1包括：封装基板10、嵌埋于该封装基板10中的线路层11、以及设于该封装基板10上并藉由多个焊料凸块13电性连接该线路层11的半导体芯片12。惟，现有封装结构1中，由于该线路层11的线距愈来愈小，致使该焊料凸块13的间距也日益缩小，故于封装基板10接置该半导体芯片12后，该焊料凸块13的焊料于回焊后容易与相邻的线路层11的线路或接触垫桥接(bridge)，因而发生短路，导致产品良率下降。因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺失，本专利技术提供一种封装结构及其制法，可避免焊料与第一线路层发生桥接的问题，因而能提高产品良率。本专利技术的封装结构，包括：介电层，其具有相对的第一表面与第二表面；第一线路层，其嵌埋于该介电层中并外露于该第一表面；多个导电凸块，其设于该第一线路层上；以及第一绝缘保护层，其形成于该介电层的第一表面、导电凸块与该第一线路层上，且该导电凸块的部分表面外露于该第一绝缘保护层。前述的封装结构中，还包括第二线路层，其形成于该介电层的第二表面上且电性连接该第一线路层。本专利技术还提供一种封装结构的制法，其包括：提供一承载件；形成第一线路层于该承载件上；形成一介电层于该承载件上，以令该介电层覆盖该第一线路层；形成第二线路层于该介电层上，且该第二线路层电性连接该第一线路层；移除该承载件，且形成多个导电凸块于该第一线路层上；以及形成第一绝缘保护层于该介电层、导电凸块与该第一线路层上，且令该导电凸块的部分表面外露于该第一绝缘保护层。前述的制法中，该导电凸块为以电镀方式形成者。前述的制法中，还包括藉由显影方式移除该第一绝缘保护层的部分材质，令该导电凸块的部分表面外露于该第一绝缘保护层。前述的封装结构及其制法中，该导电凸块凸出该第一绝缘保护层。前述的封装结构及其制法中，该第一绝缘保护层形成有凹部，且所述导电凸块位于该凹部中。又包括设置至少一电子元件于该第一绝缘保护层上，且形成底胶于该第一绝缘保护层与该电子元件之间，使该底胶填充于该凹部中。前述的封装结构及其制法中，还包括形成第二绝缘保护层于该介电层与该第二线路层上。例如，该第二绝缘保护层为防焊层，且该第二线路层的部分表面外露于该第二绝缘保护层。又包括形成多个导电元件于该第二线路层上。前述的封装结构及其制法中，形成该介电层的材质为模压树脂、预浸材、ABF或感光型介电材。前述的封装结构及其制法中，该第一绝缘保护层为防焊层。前述的封装结构及其制法中，还包括设置至少一电子元件于该第一绝缘保护层上，且该电子元件电性连接至所述导电凸块。又包括形成封装胶体于该第一绝缘保护层上，使该封装胶体包覆该电子元件；或者，包括形成底胶于该第一绝缘保护层与该电子元件之间。本专利技术另提供一种封装结构，其包括：介电层，其具有相对的第一表面与第二表面，且形成该介电层的材质为ABF；以及第一线路层，其嵌埋于该介电层中并外露于该第一表面。前述的封装结构中，还包括第二线路层，其形成于该介电层的第二表面上且电性连接该第一线路层。前述的封装结构中，还包括一承载件，其供该第一线路层与该介电层形成于其上。前述的封装结构中，还包括多个导电凸块，其设于该第一线路层上。由上可知，本专利技术的封装结构及其制法中，主要藉由该第一线路层上形成有该导电凸块，使该导电凸块外露于该第一绝缘保护层，而该第一线路层仍受该第一绝缘保护层覆盖，故于接置该电子元件后，可避免焊料与该第一线路层发生桥接的问题，因而能避免发生短路，进而提高产品良率。附图说明图1为现有封装结构的剖面示意图；以及图2A至图2H为本专利技术的封装结构的制法的剖面示意图；其中，图2G’为图2G的另一实施例，图2H’及图2H”为图2H的其它实施例。符号说明1,2,2’,2”,2a,2a’,2a”封装结构10封装基板11线路层12半导体芯片13,260焊料凸块20介电层20a第一表面20b第二表面200盲孔21第一线路层22第二线路层23导电凸块220导电体24,24’第一绝缘保护层240凹部25第二绝缘保护层250开孔26电子元件27封装胶体28导电元件29底胶9承载件9a,9b表面90板体91金属层T,t厚度。具体实施方式以下藉由特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术也可藉由其他不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本专利技术的精神下进行各种修饰与变更。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读，并非用以限定本创作可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“一”、“第一”、“第二”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。请参阅图2A至图2H为显示本专利技术的封装结构2的制法的剖面示意图。如图2A所示，提供一具有相对的两表面9a,9b的承载件9，且形成第一线路层21于该承载件9的两表面9a,9b上。于本实施例中，该承载件9的两表面9a,9b为金属表面。具体地，该承载件9具有如金属板、半导体晶圆或玻璃板的板体90与设于该板体90两侧的金属层91，如铜箔，且于该板体90与该金属层91之间也可依需求设有如离形膜、粘着材或绝缘材等的结合层(图略)。此外，是以电镀或沉积方式形成该第一线路层21。如图2B所示，形成一介电层20于该承载件9的两表面9a,9b上，以令该介电层20覆盖该第一线路层21。于本实施例中，形成该介电层20的材质如模压树脂(moldingcompound)、预浸材(prepreg)、ABF(AjinomotoBuild-upFilm)或感光型介电材，但不限于此。此外，该介电层20具有相对的第一表面20a与第二表面20b，且该介电层20以其第一表面20a结合于该承载件9的两表面9a,9b上。又，对应该第二表面20b，于该介电层20中形成多个盲孔200，以令该第一线路层21的部分表面外露于所述盲孔200中。例如，所述盲孔200是以激光、曝光显影或蚀刻等方式形成者。如图2C所示，形成图案化导电材于该介电层20的第二表面20b上，以令该导电材作为第二线路层22，且该导电材还形成于该盲孔200中，使该第二线路层22具有延伸于该介电层20中的导电体220，以令该第二线路层22藉由该导电体220电性连接该第一线路层21。如图2D所示，移除该承载件9以外露出该第一线路层21。于本实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，其特征为，该封装结构包括：介电层，其具有相对的第一表面与第二表面；第一线路层，其嵌埋于该介电层中并外露于该第一表面；多个导电凸块，其设于该第一线路层上；以及第一绝缘保护层，其形成于该介电层的第一表面、导电凸块与该第一线路层上，且该导电凸块的部分表面外露于该第一绝缘保护层。

【技术特征摘要】
2015.06.29 TW 1041209161.一种封装结构，其特征为，该封装结构包括：介电层，其具有相对的第一表面与第二表面；第一线路层，其嵌埋于该介电层中并外露于该第一表面；多个导电凸块，其设于该第一线路层上；以及第一绝缘保护层，其形成于该介电层的第一表面、导电凸块与该第一线路层上，且该导电凸块的部分表面外露于该第一绝缘保护层。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该导电凸块凸出该第一绝缘保护层。3.如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该第一绝缘保护层形成有凹部，且所述导电凸块位于该凹部中。4.如权利要求3所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括设于该第一绝缘保护层上的至少一电子元件、及形成于该第一绝缘保护层与该电子元件之间的底胶，且该底胶填充于该凹部中。5.如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括第二线路层，其形成于该介电层的第二表面上且电性连接该第一线路层。6.如权利要求5所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括第二绝缘保护层，其形成于该介电层的第二表面与该第二线路层上，且该第二线路层的部分表面外露于该第二绝缘保护层。7.如权利要求6所述的封装结构，其特征为，该第二绝缘保护层为防焊层。8.如权利要求5所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括形成于该第二线路层上的多个导电元件。9.如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括设于该第一绝缘保护层上的至少一电子元件，且该电子元件电性连接至所述导电凸块。10.如权利要求9所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括形成于该第一绝缘保护层上的封装胶体，且该封装胶体包覆该电子元件。11.如权利要求9所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括形成于该第一绝缘保护层与该电子元件之间的底胶。12.如权利要求1所述的封装结构，其特征为，形成该介电层的材质为模压树脂、预浸材、ABF或感光型介电材。13.如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该第一绝缘保护层为防焊层。14.一种封装结构的制法，其特征为，该制法包括：提供一承载件；形成第一线路层于该承载件上；形成一介电层于该承载件上，以令该介电层覆盖该第一线路层；形成第二线路层于该介电层上，且该第二线路层电性连接该第一线路层；移除该承载件，且形成多个导电凸块于该第一线路层上；以及形成第一绝缘保护层于该介电层、导电凸块与该第一线路层上，且令该导电凸块的部分表面外露于该第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱士超，林俊贤，白裕呈，范植文，陈嘉成，洪祝宝，何祈庆，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71